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正文內(nèi)容

外文翻譯--燃?xì)鈭?bào)警器-其他專業(yè)-資料下載頁(yè)

2025-01-19 10:16本頁(yè)面

【導(dǎo)讀】燃?xì)鈭?bào)警器作為預(yù)防燃?xì)庑孤┑挠辛ξ淦?,它的出現(xiàn)卻似乎并沒(méi)有引起人們應(yīng)有的注意。氣爆炸的"保護(hù)神"存在。以上海為例,去年因熱水器廢氣中毒及灶具溢熄、橡皮管老化脫落。引起的燃?xì)庑孤┖驮斐芍卸舅劳龅墓?6人,占全部燃?xì)馐鹿仕劳鋈藬?shù)據(jù)的84%。在日常生活中,無(wú)論是煤氣中毒還是煤氣爆炸事故,都因煤氣泄漏而起。取任何措施的家庭就更加危險(xiǎn)。因此很有必要在家里準(zhǔn)備一個(gè)燃?xì)鈭?bào)警器,隨時(shí)替主人守護(hù)。際,成為家庭安全的好管家,讓家人使用燃?xì)饩邥r(shí),用得安心放心。悲劇,如果有一個(gè)報(bào)警器,類似這樣的悲劇就可以大大避免。新增傳感器漂移自動(dòng)補(bǔ)償功能,真正防止了誤報(bào)和漏報(bào).報(bào)警器故障提示功能,以便用戶更換和維修,防止了不報(bào).

  

【正文】 and input to the internal clock operating circuit. 5 XTAL2 Output from the inverting oscillator amplifier. 譯文: STC89C52 數(shù)據(jù)手冊(cè) 功能特性描述 STC89C52 是一種低功耗、高性能 CMOS8位微控制器,具有 8K 在系統(tǒng)可編程 Flash 存儲(chǔ)器。使用高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造,與工業(yè) 80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上 Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程,亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上,擁有靈巧的 8 位 CPU 和在系統(tǒng)可編程 Flash,使得 STC89C52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。 STC89C52 具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能; 8k 字節(jié) Flash, 256字節(jié) RAM, 32 位 I/O 口線,看門(mén)狗定時(shí)器, 2 個(gè)數(shù)據(jù)指針,三個(gè) 16 位定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器,一個(gè) 6向量 2 級(jí)中斷結(jié)構(gòu),全雙工串行口,片內(nèi)晶振及時(shí)鐘電路。另外, STC89C52 可降至 0Hz 靜態(tài)邏輯操作,支持 2 種軟件可選擇節(jié)電模式??臻e模式下, CPU停止工作,允許 RAM、定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作。掉電保護(hù)方式下, RAM 內(nèi)容被保存,振蕩器被凍結(jié),單片機(jī)一切工作停止,直到下一個(gè)中斷或硬件復(fù)位為止。 VCC : 電源 GND: 地 P0 口: P0口是一個(gè) 8位漏極開(kāi)路的雙向 I/O口 。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL邏輯電平。對(duì) P0端口寫(xiě) “1” 時(shí),引腳用作高阻抗輸入。當(dāng)訪問(wèn)外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P0口也被作為低 8位地址 /數(shù)據(jù)復(fù)用。在這種模式下, P0具有內(nèi)部上拉電阻。在 flash編程時(shí), P0口也用來(lái)接收指令字節(jié);在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié)。程序校驗(yàn)時(shí),需要外部上拉電阻。 P1 口: P1口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, p1 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì) P1 端口寫(xiě) “1” 時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部 電阻的原因,將輸出電流( IIL)。此外, 和 /計(jì)數(shù)器 2的外部計(jì)數(shù)輸入( )和時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 2的觸發(fā)輸入( ),在 flash編程和校驗(yàn)時(shí), P1口接收低 8位地址字節(jié)。 P2 口: P2口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì) P2 端口寫(xiě) “1” 時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流( IIL)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或用 16位地址讀取外部數(shù) 據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行 MOVX @DPTR)時(shí), P2 口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中, P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送 1。在使用 8位地址(如 MOVX @RI)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P2口輸出 P2鎖存器的內(nèi)容。在 flash編程和校驗(yàn)時(shí), P2口也接收高 8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。 6 P3 口: P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì) P3 端口寫(xiě) “1” 時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電 流( IIL) 。 P3口亦作為STC89C52特殊功能(第二功能)使用,如下表所示。在 flash編程和校驗(yàn)時(shí), P3口也接收一些控制信號(hào) RST: 復(fù)位輸入。晶振工作時(shí), RST腳持續(xù) 2個(gè)機(jī)器周期高電平將使單片機(jī)復(fù)位??撮T(mén)狗計(jì)時(shí)完成后, RST 腳輸出 96個(gè)晶振周期的高電平。特殊寄存器 AUXR(地址 8EH)上的 DISRTO位可以使此功能無(wú)效。 DISRTO默認(rèn)狀態(tài)下,復(fù)位高電平有效。 ALE/PROG: 地址鎖存控制信號(hào)( ALE)是訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器時(shí),鎖存低 8 位地址的輸出脈沖。在 flash編程時(shí),此引腳( PROG)也 用作編程輸入脈沖。在一般情況下, ALE 以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖,可用來(lái)作為外部定時(shí)器或時(shí)鐘使用。然而,特別強(qiáng)調(diào),在每次訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), ALE脈沖將會(huì)跳過(guò)。如果需要,通過(guò)將地址為 8EH的 SFR的第 0位置 “1” , ALE操作將無(wú)效。這一位置 “1” , ALE 僅在執(zhí)行 MOVX 或 MOVC指令時(shí)有效。否則, ALE 將被微弱拉高。這個(gè) ALE 使能標(biāo)志位(地址為 8EH的 SFR的第 0位)的設(shè)置對(duì)微控制器處于外部執(zhí)行模式下無(wú)效。 PSEN:外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)( PSEN)是外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)。當(dāng) STC89C52從外部程序存儲(chǔ)器執(zhí)行外部代碼時(shí), PSEN在每個(gè)機(jī)器周期被激活兩次,而在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),PSEN將不被激活。 EA/VPP:訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器控制信號(hào)。為使能從 0000H 到 FFFFH的外部程序存儲(chǔ)器讀取指令, EA必須接 GND。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令, EA應(yīng)該接 VCC。在 flash編程期間, EA也接收 12伏 VPP電壓。 XTAL1:振蕩器反相放大器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。 XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。
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