【導(dǎo)讀】CompatiblewithMCS-51?Products. Two16-BitTimer/Counters. 128bytesofRAM,32I/Olines,two16-bittimer/counters,afivevector. VCCSupplyvoltage.GNDGround.FunctionRegister.

　　

【正文】 序存儲(chǔ)允許（ ^PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) at89s52 由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩個(gè) ^PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，這兩次有效的 ^PSEN 信號(hào)不出現(xiàn)。 EA/VPP:外部訪問(wèn)允許。欲使 CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為0000HFFFFH）， EA端必須保持低電平（接地）。需注意的是 。 如果加密位 LB1 被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA 端狀態(tài)。 如 EA 端為高電平（接 VCC 端）， CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 Flash 存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V 的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 VPP. XTAL1: 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸出端。 XTAL2: 振蕩器反相放大器的輸出端。 時(shí)鐘振蕩器 ： at89s52 中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1 和 XTAL2 分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見(jiàn)圖 5。 外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容 C C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對(duì)外接電容 C C2 雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器的穩(wěn)定性、起振的難易程度及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用30PF+10PF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40PF+10PF。 用戶也可以采用外部時(shí)鐘。采用外部時(shí)鐘的電路如圖 5 右所示。這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1 端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2 則懸空 由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè) 2 分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的，所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒(méi)有特殊 要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)要求。 空閑模式 : 在空閑工作模式狀態(tài)， CPU 保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)，片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變?？臻e模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。 終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，即可終止空閑工作模式。程序會(huì)首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷服務(wù)程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并僅隨終端返回指令，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令。其二是通 過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止，需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來(lái)終止空閑模式時(shí)， CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開(kāi)始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期（ 24 個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問(wèn)片內(nèi) RAM，而允許訪問(wèn)其它端口。為了避免可能對(duì)端口產(chǎn)生以外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)該是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫入指令。 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài) 模式 程序存儲(chǔ)器 ALE ^PSEN PORT0 PORT1 PORT2 PORT3 空閑模式 內(nèi)部 1 1 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 空閑模式 外部 1 1 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 內(nèi)部 0 0 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 外部 0 0 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 : 在掉電模式下，震蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM 中的內(nèi)容，在 VCC 恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無(wú)效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn) 定工作。 程序存儲(chǔ)器的加密 ： AT89S52 可使用對(duì)芯片上的 3個(gè)加密位進(jìn)行編程（ P）或不編程（ U）來(lái)得到如下表所示的功能： 加密位保護(hù)功能表 程序加密位 保護(hù)類型 LB1 LB2 LB3 1 U U U 沒(méi)有程序保護(hù)功能 2 P U U 禁止從外部程序存儲(chǔ)器中執(zhí)行 MOVC 指令讀取內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的內(nèi)容 3 P P U 除上表功能外，還禁止程序校驗(yàn) 4 P P P 除以上功能外，同時(shí)禁止外部執(zhí)行 當(dāng)加密位 LB1 被編程時(shí)，在復(fù)位期間， EA 端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒(méi) 有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會(huì)一直保持到真正復(fù)位為止。為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的 EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。此外，加密位只能通過(guò)整片擦除的方法清除。 FLASH 閃速存儲(chǔ)器的編程 ： at89s52 單片機(jī)內(nèi)部有 4K 字節(jié)的 FLASH PEROM,這個(gè) FLASH 存儲(chǔ)陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲(chǔ)單元的內(nèi)容均為 FFH），用戶隨時(shí)可對(duì)其進(jìn)行編程。編程接口可接收高電平（ +12V）或低電平（ VCC）的允許編程信號(hào)，低電平編程模式適合于用戶再線編程系統(tǒng)，而高電平編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容。 AT89S52 單片機(jī)中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電平編程方式，用戶可從芯片上的型號(hào)和讀取芯片內(nèi)的簽名字節(jié)獲得該信息，見(jiàn)下表。 Vpp=12v Vpp=5v 芯片頂面標(biāo)識(shí) at89s52 xxxx yyww at89s52 xxxx5 yyww 簽名字節(jié) (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=FFH (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=05H AT89S52 的程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一 個(gè)字節(jié)，要對(duì)整個(gè)芯片內(nèi)的 PEROM 程序存儲(chǔ)器寫入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的內(nèi)容清除。 編程方法： 編程前，需按表 圖 3和圖 4 所示設(shè)置好地址，數(shù)據(jù)及控制信號(hào)， at89s52 編程方法如下： 1． 在地址線上加上要編程單元的地址信號(hào)。 2． 在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。 3． 激活相應(yīng)的控制信號(hào)。 4． 在高電壓編程方式時(shí)，將 ^EA/VPP 端加上 +12V 編程電壓。 5． 每對(duì) FLASH 存儲(chǔ)陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位，加上一個(gè) ALE/^PROG 編程脈沖，改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，重復(fù) 1— 5步驟，直 到全部文件編程結(jié)束。每個(gè)字節(jié)寫入周期是自身定時(shí)地，通常約為 。 數(shù)據(jù)查詢 ： at89s52 單片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來(lái)檢測(cè)一個(gè)寫周期是否結(jié)束，在一個(gè)寫周期中，如需要讀取最后寫入的那個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（ ）是原來(lái)寫入字節(jié)最高位的反碼。寫周期完成后，有效的數(shù)據(jù)就會(huì)出現(xiàn)在所有輸出端上，此時(shí)，可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開(kāi)始后，可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢。 READY/^BUSY： 字節(jié)編程的進(jìn)度可通過(guò)“ RDY/^BSY”輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)，編程期間， ALE 變?yōu)楦唠娖健?H”后 (RDY/^BSY)端 電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。編程完成后， 變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài)。 程序校驗(yàn) ：如果加密位 LB LB2 沒(méi)有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過(guò)地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)。加密位不可能直接變化。證實(shí)加密位的完成通過(guò)觀察它們的特點(diǎn)和能力。 芯片擦除 ：利用控制信號(hào)的正確組合（表 1）并保持 ALE/^PROG 引腳 10ms 的低電平脈沖寬度即可將 PEROM 陣列（ 4k字節(jié)）整片擦除，代碼陣列在擦除操作中將任何非空單元寫入“ 1”，這步驟需要再編程之前進(jìn)行。 讀片內(nèi)簽名字節(jié)： at89s52 單片機(jī)內(nèi)有 3個(gè)簽名字節(jié)， 地址為 030H、031H 和 032H。用于聲明該器件的廠商、型號(hào)和編程電壓。讀簽名字節(jié)的過(guò)程和單元 030H、 031H和 032H的正常校驗(yàn)相仿，只需將 和 保持低電平，返回值意義如下： （ 030H） =1EH 聲明產(chǎn)品由 ATMEL 公司制造。 （ 031H） =51H 聲明為 at89s52 單片機(jī)。 （ 032H） =FFH 聲明為 12V 編程電壓。 （ 032H） =05H 聲明為 5V編程電壓。 編程接口： 采用控制信號(hào)的正確組合可對(duì) FLASH 閃速存儲(chǔ)陣列中的每一代碼字節(jié)進(jìn)行寫入和存儲(chǔ)器的整片擦除，寫操作周期是自身定時(shí)的，初始 化后它將自動(dòng)定時(shí)到操作完成。