【文章內容簡介】 tq 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt 通態(tài)電流臨界上升率di/dt快速晶閘管(Fast Switching Thyristor, FST)雙向晶閘管(Triode AC Switch——TRIAC or Bidirectional Triode Thyristor)逆導晶閘管(Reverse Conducting Thyristor, RCT)光控晶閘管(Light Triggered Thyristor, LTT)典型全控型器件4門極可關斷晶閘管(GateTurnOff Thyristor, GTO)晶閘管的一種派生器件,但可以通過在門極施加負的脈沖電流使其關斷,因而屬于全控型器件?其結構原理可以參考晶閘管 數(shù)十個甚至數(shù)百個小GTO單元靜態(tài)特性和普通晶閘管類似 動態(tài)特性儲存時間ts 下降時間tf 尾部時間tt最大可關斷陽極電流IATO 電流關斷增益boff 開通時間ton 關斷時間toff5電力晶體管(Giant Transistor, GTR)與普通的雙極結型晶體管基本原理是一樣的? 最主要的特性是耐壓高?電流大?開關特性好? 達林頓接法 單元結構 并聯(lián) 三層半導體 兩個PN結右圖所示靜態(tài)特性右圖所示 動態(tài)特性右圖所示電流放大倍數(shù)b 直流電流增益hFE集電極與發(fā)射極間漏電流Iceo 集電極和發(fā)射極間飽和壓降Uces 開通時間ton和關斷時間toff 最高工作電壓BUceo:基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓實際使用GTR時,為了確保安全,最高工作電壓要比BUceo低得多?集電極最大允許電流IcM集電極最大耗散功率PcM6電力場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor FET, MOSFET)SDDGN+PN+N+溝道PN+NGGN+SSDN溝道P溝道a)b)圖119靜態(tài)特性動態(tài)特性MOSFET的開關速度和其輸入電容的充放電有很大關系,可以降低柵極驅動電路的內阻Rs,從而減小柵極回路的充放電時間常數(shù),加快開關速度?跨導Gfs?開啟電壓UT以及開關過程中的各時間參數(shù)?漏極電壓UDS漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM柵源電壓UGS極間電容 CGS?CGD和CDS?漏源間的耐壓?漏極最大允許電流和最大耗散功率決定了電力MOSFET的安全工作區(qū)?7絕緣柵雙極晶體管(Insulatedgate Bipolar Transistor, IGBT or IGT)綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點 場控器件內部結構圖其開通和關斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定的?靜態(tài)特性 轉移特性 輸出特性 動態(tài)特性開通過程開通延遲時間td(on)電流上升時間tr 電壓下降時間tfv 開通時間ton= td(on)+tr+tfvtfv分為tfv1和tfv2兩段?關斷過程關斷延遲時間td(off)電壓上升時間trv 電流下降時間tfi關斷時間toff = td(off)+trv+tfitfi分為tfi1和tfi2兩段最大集射極間電壓UCES 最大集電極電流 最大集電極功耗PCM8其他新型電力電子器件MOS控制晶閘管MCT 靜電感應晶體管SIT 靜電感應晶閘管SITH 集成門極換流晶閘管IGCT基于寬禁帶半導體材料的電力電子器件第五篇：電力電子技術課程總結學 號：1111111111Hefei University功率變換技術課程綜述報告題目：IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢專業(yè)班級： XXXXXXXXXXXX 學生姓名： XXX 教師姓名： ZZZZZ老師 完成時間： 2017年5月14日IGBT研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢中 文 摘 要IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。關鍵詞：IGBT；半導體；研究現(xiàn)狀；發(fā)展前景Present situation and development trend of IGBT researchABSTRACT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), insulated gate bipolar transistor, is posed of BJT(bipolar transistor)and MOS(insulated gate FET)posite full controlled voltage posed of driven power semiconductor devices, has the advantages of high input impedance and low conductance GTR with MOSFET through the two aspects pressure GTR saturation voltage is reduced, the carrier current density is large, but the driving current is driving power of MOSFET is very small and the switching speed is fast, but the turnon voltage drop is large and the carrier current density is bines the advantages of the above two devices, small driving power and lower saturation voltage KEYWORD:IGBT。Semiconductor。Status。Development 、引言..............................................................................................................1二、IGBT介紹.....................................................................................................1 什么是IGBT..........................................................................................1 IGBT的各種有關參數(shù)...........................................................