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正文內(nèi)容

電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)5篇(編輯修改稿)

2024-11-08 06:26 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 實(shí)用手冊可控硅觸發(fā)電路分冊.北京:科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)出版社,2002年2月題目一: 單相半波晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:電源電壓:交流100V/50Hz輸出功率:500W移相范圍0186。~180186。題目二: 單相半波晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)(阻感負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:電源電壓:交流100V/50Hz輸出功率:500W移相范圍0186。~90186。題目三: 單相全控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:電源電壓:交流100V/50Hz輸出功率:500W移相范圍0186。~180186。題目四: 單相全控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)(阻感負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:電源電壓:交流100V/50Hz輸出功率:500W移相范圍0186。~90186。題目五: 單相半控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)(阻感負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:電源電壓:交流100V/50Hz輸出功率:500W移相范圍0186。~180186。題目六: 單相半控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì)(帶續(xù)流二極管)(阻感負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:電源電壓:交流100V/50Hz輸出功率:500W移相范圍0186。~180186。題目七: MOSFET降壓斬波電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=100V輸出功率:300W開關(guān)頻率5KHz占空比10%~90%輸出電壓脈率:小于10%題目八: IGBT降壓斬波電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=100V輸出功率:300W開關(guān)頻率5KHz占空比10%~90%輸出電壓脈率:小于10%題目九: MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=50V輸出功率:300W開關(guān)頻率5KHz占空比10%~50%輸出電壓脈率:小于10%題目十: IGBT升壓斬波電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=50V輸出功率:300W開關(guān)頻率5KHz占空比10%~50%輸出電壓脈率:小于10%題目十一: MOSFET單相橋式無源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=100V輸出功率:300W輸出電壓波形:1KHz方波題目十二: IGBT單相橋式無源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=100V輸出功率:300W輸出電壓波形:1KHz方波題目十三: MOSFET單相半橋無源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=100V輸出功率:300W輸出電壓波形:1KHz方波題目十四: IGBT單相半橋無源逆變電路設(shè)計(jì)(純電阻負(fù)載)設(shè)計(jì)要求:輸入直流電壓:Ud=100V輸出功率:300W輸出電壓波形:1KHz方波題目十五:升降壓斬波在直流可逆電動機(jī)調(diào)速
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