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正文內(nèi)容

無(wú)線電的發(fā)射與接收通信工程畢業(yè)設(shè)計(jì)論文(編輯修改稿)

2025-01-08 21:04 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 、 C3也遠(yuǎn)小于 C2,因而回路總?cè)萁频扔?C3。而且 L C C C3組成并聯(lián)諧振回路, C C2對(duì)振蕩頻率的影響便大大減小,回路振蕩頻率 f0則主要由 CL1決定,即: 31CL2 10f ?? 而管子的極間電容 Cce、 Cbe、 Ccb又全部直接并聯(lián)在 C C2上,它們只影響 CC2的值而不影響 C3??梢?C3越小,管子間電容對(duì)回路諧振頻率的影響就越小,回路標(biāo)準(zhǔn)性也就越高。但 C3 不能無(wú)限小,它受到振幅起振條件的限制。因?yàn)榻尤隒3后,接在電感 L1兩端的電路 RL’ ( RL//Re0)折算到振蕩管 CB極的數(shù)值 ?LR 減小,其值為: ? ? ??? ? L2CC CL RR123 3 其中:21 21 CC CC12C ?? 第二章 實(shí)際電路的設(shè)計(jì)與計(jì)算 7 因而放大器的增益也就是環(huán)路增益會(huì)相應(yīng)的減小。所以在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,要合理選擇 C3的值。 而 C1 兩端的電壓構(gòu)成振蕩器的反饋電壓 UBE ,以滿足相位平衡條件? ? ?? 2n 。比值 F=C2/C1決定反饋電壓的大小,當(dāng) Av0? F=1 時(shí),振蕩器滿足振幅平衡條件,電路的起振條件為: Av0?F ?1。 如果 C3 取幾十皮法, C C1 可取幾百皮法至幾千皮法。反饋系數(shù) F 一般取 21 — 81 。 電路采用 +12V 的直流穩(wěn)壓電源,高頻三級(jí)管選用 3DG100( 3DG6),主振頻率f0=。 b.確定電路形勢(shì)和設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn) 小功率振蕩器的靜態(tài)工作電流 ICQ一般為 1~ 4mA, ICQ偏大,振蕩 幅度增加,但波形失真加重。頻率穩(wěn)定度降低。振蕩器的靜態(tài)工作點(diǎn)?。?Icq=2mA, UCEQ=6V,測(cè)得三極管的β =60。 則: ???? 3KRRIcqU ceqU cc43 為了提高電路的穩(wěn)定性, R3的值可適當(dāng)增大, ?。?R3=2KΩ, R4=1KΩ 由: Ueq=Icq?Re=Icq?R4=2V 若取流過(guò) R2的電流 Ib2: Ib2=10?Ibq=10?Icq/β = 則: ? ??????? K28I1UIUR cq0bqbbq2 2 .? 由式cc21 2bq URR RU ?? 即: ? ??????????? ?? K2281UURRbqcc21 . R1 用 20 ?K 電阻和 47 ?K 的電位器串聯(lián),以便在實(shí)際電路中調(diào)整靜態(tài)工作點(diǎn)。 c.主振回路元件值的計(jì)算 第二章 實(shí)際電路的設(shè)計(jì)與計(jì)算 8 5MH z7CL2 1f310.?? ?? 若取 L1=10 H? ,則 C3≈ 45pF 試 驗(yàn)中可適當(dāng)調(diào)整 L C3及電路中各電容、電阻的值,以使振蕩器輸出正弦波波形和幅度達(dá)到要求。 電容 C C2有反饋系數(shù) F 及電路條件 C3遠(yuǎn)小于 C C3遠(yuǎn)小于 C2所決定,若取 C1=1000pF,由 F=C2/C1=~ ,若取 F=,則 C2=510pF,取藕和電容CB= H? 調(diào)頻電路的設(shè)計(jì) 調(diào)頻電路采用電容二極管用 2CC1C 電路。本設(shè)計(jì)中,調(diào)制信號(hào)為二元單極性碼,即只有高低兩個(gè)電平,故對(duì)調(diào)制線性度要求不高。因此,本設(shè)計(jì)采用電容二極管部分 接入,即對(duì)變?nèi)荻O管不外加反偏電壓的電路。變?nèi)荻O管部分接入振蕩電路,這有利于提高主振頻率 f0的穩(wěn)定性,減少調(diào)制失真。圖 23為變?nèi)荻O管部分接入振蕩回路的等效電路。 圖 23 變?nèi)荻O管部分接入振蕩回路的等效電路 由于對(duì)變?nèi)荻O管沒(méi)有加反偏壓,如圖 24所示: 圖 24 第二章 實(shí)際電路的設(shè)計(jì)與計(jì)算 9 Cj 為變?nèi)荻O管的結(jié)電容,它與外加電壓的關(guān)系為:????????? ??dj0jUu1CC 可求得 Cj 對(duì)主振回路的介入系數(shù) p為:jCCCp ??5 5 在上式中: Cj0— 變?nèi)荻O管零偏壓時(shí)的節(jié)電容 Ud— 變?nèi)荻O管 PN 結(jié)內(nèi)建電位差(硅管 Ud=0 .7V,鍺管 Ud=) ? — 電容變化指數(shù),由變?nèi)萦^型號(hào)決定,由變?nèi)莨苄吞?hào)決定,如變?nèi)莨?2CC1C的 ? = U— 變?nèi)荻O管兩端電壓, tc o sUUuUu Qm ?????? ? 本設(shè)計(jì)中,為使變?nèi)荻O管參量的變化對(duì)振蕩頻率影響較小,必須使接入系數(shù) p〈〈 1,這樣才能使振蕩器的頻率穩(wěn)定度提高。取 Cc=5pF, Cj=21pF,并在調(diào)試中作適當(dāng)調(diào)整。 低頻調(diào)制信號(hào) UΩ 的耦合之路電容 C5 及電感 L2 應(yīng)對(duì) UΩ 提供通路。 所以在電路中可以獲得最大的電容變化量,并且避免了由偏壓變化而引起的頻率漂移,同時(shí)還簡(jiǎn)化了電路。 若基帶信號(hào)引起的結(jié)電容變化為 C? ,則引入主振回路的電容變化量為p2? C? ,可求得由此引起的振蕩頻率的變化為 g22 f2C Cpf ?????? 式中4j5 j5 CCC CCC ?????為主振回路總電容。符號(hào)表示 C? 與 gf? 的變化相反。 射隨器的設(shè)計(jì) 設(shè)計(jì)中采用射隨器,是利用它的輸入阻抗高、輸出阻抗低的特點(diǎn),來(lái)將振蕩級(jí)和功放級(jí)隔開,以減小功放對(duì)振蕩級(jí)的影響。因?yàn)楣Ψ泡敵鲂盘?hào)功率較大,當(dāng)其工作狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)(如諧振阻抗變化),會(huì)影響振蕩器的穩(wěn)定度,使振蕩波形產(chǎn)生失真或減小振蕩器的輸出電壓。所以設(shè)計(jì)時(shí)為了減小級(jí)間相互影響,通常在振蕩級(jí)和功放級(jí)間插入緩沖隔離級(jí) — 比如本次采用的射隨器。射隨器的輸入阻抗高,可是振蕩電路有一個(gè)穩(wěn)定的負(fù)載,輸出 阻抗低,可為功放級(jí)提供一個(gè)恒壓源。雖然射隨器的電壓放大倍數(shù)A v 接近為 1,但對(duì)電流仍有放大作用。本設(shè)計(jì)中采用如圖 25所示的射隨器電路。 第二章 實(shí)際電路的設(shè)計(jì)與計(jì)算 10 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)位于交流負(fù)載線的中點(diǎn),取 Uceq=1/4Ucc, Icq=3~ 10mA。 圖 25 射隨器電路 實(shí)際電路中?。?Ucc=12V, Icq=5mA, Ubec=,β =60。 Ueq=UccUceq=123=9(V) Ubq=Ueq+Ubeq=9+=(V) Re=Ubeq/Icq=9/5=(KΩ ) Ibq≈ Icq/β =5/60=(A) Rb=(UCCUbq)/Ibq=100(KΩ ) Rb采用 30KΩ的固定電阻和 100KΩ的電位器串聯(lián), Re采用 ,這樣是為了便于在實(shí)際電路中調(diào)整靜態(tài)工作。由于諸多因素的影響,上面各元件的值僅作為調(diào)式電路的參考值。 末級(jí)功放及發(fā)射電路的設(shè)計(jì) 無(wú)論是在低頻電路中還是在高頻電路中,為了獲得足夠大的輸出功率,必須采用功率放大器,二者相同之處在于都是輸出功率大和效率高。但由于二者的工作頻率和相對(duì)頻帶寬度相差很大,就決定了它們之間有著根本的差異:低頻功率放大器的工 作頻率低,但相對(duì)頻帶寬度卻很寬;高頻功率放大器的工作頻率高,但相對(duì)頻帶很窄,中心頻率越高,則相對(duì)頻寬越小。利用選頻網(wǎng)絡(luò)作為負(fù)載回路的功率放大器稱為諧振功率放大器。諧振功率放大器主要工作在高頻段,用作無(wú)線電發(fā)射機(jī)的功率輸出級(jí)。根據(jù)放大器電流導(dǎo)通角的范圍,可分為甲類、乙類、第二章 實(shí)際電路的設(shè)計(jì)與計(jì)算 11 丙類、甲乙類、丁類及戊類等不同類型的功率放大器。甲乙類放大器適合作為中間級(jí)或輸出功率較小的末級(jí)功放。本設(shè)計(jì)中,對(duì)輸出功率要求不高,功率放大器可工作在甲乙類狀態(tài),作為發(fā)射機(jī)的末級(jí)功放。 甲乙類功率放大器的電路,如圖 26 所示: 電路參數(shù)的確定及 靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算: 設(shè)計(jì)中采用高頻小功率管 3DG100B,它的主要參數(shù)為: PCM=100mW, ICM=20mA, hfe≥ 30, UCES≤ 1V, fT≥ 150MHz, AP≥ 7dB, Ucc=+12V 電路要求:輸出功率 P0≤ 20mW,工作頻率 f0=,負(fù)載 RL=75Ω。 設(shè)功放工作在臨界狀態(tài),由于負(fù)載 RL與與功率放大器的諧振回路之間采用變壓器耦合的方式,實(shí)現(xiàn)了阻抗匹配,則集電極上的最佳負(fù)載電阻 R0上的功率就等于負(fù)載 RL上的功率所以將集電極的輸出功率視為高頻功率放大器的輸出功率。由于高頻功率放大器的輸出功 率為 P0=20mW,則取放大器的靜態(tài)電流 ICQ=ICM=4mA 圖 26 ∵02c im02c im02c imc imc im0 RU21RI21RI21IU21P ????? ? ?V10I2PU cm0cm ??? ? ????? 02cm0 則:靜態(tài)時(shí)晶體管的射級(jí)電位 UEQ為 VmARIU ecqeq 12 5 04 ?????? 第二章 實(shí)際電路的設(shè)計(jì)與計(jì)算 12 基極電位 UBQ、 電流 IBQ為: ? ?VUUU b e qeqbq ????? mAII cqbq ??? ? 若取基極偏置電流 I1=3IIBQ ,
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