【文章內(nèi)容簡介】 。tying onto any places besides safety rope is should be equipped with tool accessories should be kept in the boxand fastened to rope when in use to prevent from being dropped from height andhitting people or and supplies at the edge of construction area should not be placed at will。more than one meter’s distance from the edgeof the floor is considered safe location for placing。in this way, droppingcaused by wind or man and hitting people or objects could be big objects such as glass or boxes are placed, safety protection measures must becarried example, glass of big dimensions(above square meters)should be placed onto the two sides of the glass shelf with symmetry, and boundand fastened with in boxes should be placed together at one placeas much as of Glass should be well padded to prevent should be used to joint all boxes to prevent from should be placed at construction should be given heat controlarticles in high temperature season.第三篇：專業(yè)英語194頁：了解什么歸入類別嵌入計(jì)算，它足以說明什么不是嵌入式設(shè)備的要求。嵌入的設(shè)備的壽命非常不同于通用機(jī)器的3 年的逐漸過時(shí)循環(huán)。有些設(shè)備是幾乎一次性的：平均日本celluar電話在少于一年被替換。在oppsite極端，基礎(chǔ)建設(shè)的設(shè)備例如電話交換機(jī)在30年的日程表貶值。這些壽命差異產(chǎn)生具體的影響，可升級(jí)性和向后兼容性。少量嵌入設(shè)備有升級(jí)要求。例如，積極汽車熱衷者更改自己的車?yán)锏男酒沁@些通常是只讀光盤，不是處理器。大多數(shù)消費(fèi)者項(xiàng)將被替換，不會(huì)升級(jí)。Backward patibility is seldom an embedded requirement,as software does not migrate from one device to interesting exception is game consoles:to maintain patibility,later console chips must be capable of being exactly as fast as the early versions despite changes in underlying process consoles,backward patible is often implemented by putting a plete copy of the previousgeneration console in one small corner of the nextgeneration many embedded designs need not be backward patible with previous implementations,designers are free to switch designs with each product ,there is less emphasis on the distinction between architecture and a new version of a chip is slightly inpatible but much better than its predecessors,designers may still be willing to use ，向后兼容性很少是嵌入式的要求，一個(gè)有趣的例外是游戲控制臺(tái)：要維護(hù)兼容性，盡管最新控制臺(tái)芯片在基礎(chǔ)工藝技術(shù)上有所改變，但是它一定是可勝任的是象早版本一樣快速地確切。往往通過將上一代控制臺(tái)的完整副本放在一個(gè)小角落里的下一代模向后兼容。因?yàn)樵S多嵌入式的設(shè)計(jì)需要，不能與以前實(shí)現(xiàn)向后的兼容，設(shè)計(jì)師可以自由切換的每一代產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。因此，有少強(qiáng)調(diào)體系結(jié)構(gòu)與實(shí)施之間的區(qū)別。如果稍有不兼容，但比其前任的芯片的新版本，設(shè)計(jì)師仍可能愿意使用它。第四篇：太陽能電池專業(yè)英語A ：暗飽和電流英文：Dark Saturation Current 解釋：沒有光照的條件下，將PN結(jié)反偏達(dá)到飽和時(shí)的電流。降低暗飽和電流利于提高電池品質(zhì)在以下的理想二極管公式中，I =流過二極管的總電流。I0 = “暗飽和電流”, V = 加在二極管兩端的電壓B ：包裝密度英文：Packing density 解釋：組件中被太陽能電池覆蓋的面積對比于整個(gè)組件的面積。它影響了組件的輸出功率及工作溫度：背電場英文：Back Surface Field 解釋：在電池背面由于重?fù)诫s引起的電場。該電場會(huì)排斥少數(shù)載流子以使它們遠(yuǎn)離高復(fù)合率的背表面：背面反射/底面反射英文：Rear Surface Reflection 解釋：穿過電池而未被吸收的長波光會(huì)被電池背面的金屬或染料反射回電池，增大吸收概率：本底摻雜 英文：Background Doping 解釋：電池襯底的摻雜濃度：表面制絨英文：Surface Texturing 解釋：用物理或化學(xué)的方法將平滑的硅電池表面變得粗糙，增大光捕獲，減小反射：并網(wǎng)系統(tǒng)英文：Gridconnected Systems 解釋：并網(wǎng)系統(tǒng)指由光伏組件供電的，接入公用電網(wǎng)的光伏系統(tǒng)。這類系統(tǒng)無須蓄電池：薄膜太陽能電池英文：Thinfilm Solar Cells 解釋：薄膜太陽能電池是通過在襯底上鍍光伏材料薄層制成的，厚度從幾微米到幾十微米不等。成本較低但效率普遍較低：復(fù)合英文：Rembination 解釋：又稱為載流子復(fù)合，是指半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴）成對消失的過程。：表面復(fù)合速率英文：Surface Rebination Velocity 解釋：當(dāng)少子在表面消失時(shí)，由于濃度梯度，少子會(huì)從電池體流向表面。表面復(fù)合速度表征表面復(fù)合的強(qiáng)弱。C ：摻雜英文：Doping 解釋：在本征半導(dǎo)體里加入施主或受主雜質(zhì)（通常是磷或硼）使半導(dǎo)體內(nèi)自由載流子濃度變高并使其具有p型或n型半導(dǎo)體的性質(zhì)：串聯(lián)電阻英文：Series Resistance 解釋：由電池體、電極接觸等產(chǎn)生的分壓電阻。電池運(yùn)作時(shí)，部分電壓降在電池的串聯(lián)電阻上，影響了電池輸出效率D ：大氣質(zhì)量/大氣光學(xué)質(zhì)量英文：Air Mass 解釋：定義為1/cos(太陽與法線夾角）。表征太陽光到達(dá)電池前穿越的大氣厚度。不同的AM值還對應(yīng)不同的太陽光譜：帶隙英文：Band Gap 解釋：半導(dǎo)體導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的能級(jí)差。常溫下， ：導(dǎo)帶 英文：Conduction Band 解釋：又名傳導(dǎo)帶，是指半導(dǎo)體或是絕緣體材料中，一個(gè)電子所具有能量的范圍。這個(gè)能量的范圍高于價(jià)帶（valence band），而所有在導(dǎo)帶中的電子均可經(jīng)由外在的電場加速而形成電流。：電池工作溫度英文：Cell Operating Temperature 解釋：太陽能電池在受到光照激發(fā)產(chǎn)生電流時(shí)的實(shí)際溫度。工作溫度通常高于標(biāo)準(zhǔn)測試條件（STC)規(guī)定的25攝氏度，并且會(huì)影響電池的開路電壓：電池互聯(lián)英文：Cell Interconnection 解釋：將電池板串聯(lián)一起組成電池組件：電池降格英文：Cell Degradation 解釋：電池降格指組件在戶外工作一段時(shí)間后，效能降低。對晶硅電池來說原因包括：電極脫落或被腐蝕，電極金屬遷移透過PN節(jié)而降低了并聯(lián)電阻，減反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物 等：電流電壓特性英文：CurrentVoltage Charateristic 解釋：又稱為伏安特性，是電子器件的在外部電壓偏置的情況下電流隨外部變壓變化的特性，常用伏安特性曲線來表征。：電子空穴對英文：Electronhole Pair 解釋：半導(dǎo)體中，吸收了一個(gè)光子能量的電子離開原子束縛，成為自由載流電子，原來的原子則產(chǎn)生了正