【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， P0口內(nèi)部上拉電阻有效。 P0 口也可以提供低 8 位 地址和 8 位數(shù)據(jù)的復(fù)用總線 以及 位數(shù)據(jù)的復(fù)用總線。在 Flash ROM 編 在 程時(shí)， P0 端口接收指令字節(jié)端口接收指令字節(jié)；而在校驗(yàn)程序時(shí)，則輸出指令字節(jié)則輸出指令字節(jié)。驗(yàn)證時(shí)，要求外接上拉電阻。 P1 端口（ ～， 1～ 8 引腳） P1 口是一個(gè) 8位雙向 I/O 口 （ 帶內(nèi)部上拉電阻 ） 。 P1 口作輸入口使用時(shí)，對(duì)端口寫入 1， 因?yàn)橛袃?nèi)部上拉電阻，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位 ， 那些被外部拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流 （ I） 。 利用 吸收或者輸出電流方式 ， P1 的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 輸入。 P2 端口（ ～， 21～ 28 引腳） P2 口是一個(gè) 8位雙向 I/O 口 （ 帶內(nèi)部上拉電阻 ） 。 P2 口作輸入口使用時(shí)，對(duì)端口寫入 1， 因?yàn)橛袃?nèi)部上拉電阻，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位 ， 那 些被外部拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流 （ I） 。 利用 吸收或者輸出電流方式 ， P2的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL輸入。 在執(zhí)行 “MOVX @DPTR” 指令時(shí)（訪問外部程序存儲(chǔ)器和 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器）， P2 送出高 8 位地址。在執(zhí)行 “MOVX @R1” 指令（訪問 8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器）時(shí)， P2 口引腳上的內(nèi)容，在整個(gè)訪問期間不會(huì)改變。 在對(duì) Flash ROM 編程和程序校驗(yàn)期間， P2也接收高位地址和一些控制信號(hào)。 南昌大學(xué)共青學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第三章 硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 9 P3 端口（ ～， 10～ 17 引腳） P3口是一個(gè) 8位雙向 I/O 口 （ 帶內(nèi)部上拉電阻 ） 。 P3口作輸入口使用時(shí)，對(duì)端口寫入 1， 因?yàn)橛袃?nèi)部上拉電阻，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位 ， 那些被外部拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流 （ I） 。 利用 吸收或者輸出電流方式 ， P3的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 輸入。在對(duì) Flash ROM 編程或程序校驗(yàn)時(shí)， P3 還接收一些控制信號(hào)。 P3 口除作為一般 I/O 口外，還有其他一些復(fù)用功能 。 RST（ 9 引腳） 復(fù)位輸入。復(fù)位高電平有效 ，作用是讓完成單片機(jī)完成初始化操作。 ALE/ ROG （ 30 引腳） 地址鎖存控制信號(hào) ALE 是 在 訪問外部程序存儲(chǔ)器時(shí) ， 鎖存低 8位地址的輸出脈沖。在 Flash 編程時(shí)，此引腳也用作編程輸入脈沖（ 即 ROG）。 在一般情況下， ALE可以用作外部定時(shí)器或者時(shí)鐘來使用（因?yàn)樵撘_一般 以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖 ） 。然而，特別強(qiáng)調(diào)，在每次訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， ALE 脈沖 將會(huì)跳過。 在需要的時(shí)候我們可以 通過將地址位 8EH 的 SFR 的第 0 位置“1” ， 使得 ALE 的 操作將無效。 該無效操作 僅 ALE 在執(zhí)行 MOVX 或 MOV 指令時(shí)有效。否則， ALE 將被微弱拉 高。 ALE 使能標(biāo)志位（地 址位 8EH 的 SFR 的第 0 位）的設(shè)置對(duì)微控制器處于外部執(zhí)行模式下無效。 SEN（ 29 引腳） SEN是外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)。當(dāng) STC89C52RC 從外部程序存儲(chǔ)器執(zhí)行外部代碼時(shí)， SEN在每個(gè)機(jī)器周 期被激活兩次，而訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， SEN將不被激活。 A/VPP （ 31 引腳） 訪問外部程序存儲(chǔ)器控制信號(hào)。 為使能從 0000H 到 FFFFH 的外部程序存儲(chǔ)器讀取指令， A必須接 GND。注意加密方式 1 時(shí)， A將內(nèi)部鎖 定位 RESET。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令， A應(yīng)該接 VCC。在 Flash 編程期間， A也 接收 12 伏 VPP 電壓。 南昌大學(xué)共青學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第三章 硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 10 XTAL1（ 19 引腳） 振蕩器反相放大器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。 XTAL2（ 18 引腳） 振蕩器反相放大器的輸入端。 晶振電路 :目前一般都是采用 12MHZ 晶振以構(gòu)成晶振電路。 注意?。?！我們?cè)谑褂脝纹瑱C(jī)的時(shí)候，容易忽視一點(diǎn)： 31 號(hào)引腳 EA/Vpp 在執(zhí)行復(fù)位之前，若接高電平 ,單片機(jī)在復(fù)位后從內(nèi)部 ROM 的 0000H 開始執(zhí)行 。如果在執(zhí)行復(fù)位之前，接低電平 ,則單片機(jī)在執(zhí)行 復(fù)位 操作后會(huì)從 外部 ROM 的 0000H 開始執(zhí)行 。 復(fù)位電路 一、復(fù)位電路的用途 如果把單片機(jī)比做我們平常所用的電腦的話，復(fù)位電路的作用就相當(dāng)于電腦重啟部分的作用。單片機(jī)在運(yùn)行的過程中，在收到外界因素的影響時(shí)有可能程序會(huì)跑不動(dòng)，或者產(chǎn)生混亂，在這個(gè)時(shí)候我們按下復(fù)位按鈕，程序就會(huì)重新運(yùn)行起來。 單片機(jī)復(fù)位電路如 圖 ： 圖 二、 復(fù)位電路的工作原理 在單片機(jī)系統(tǒng)中， 系統(tǒng)上電啟動(dòng)的時(shí)候，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)復(fù)位一次；在復(fù)位按鍵按下 之后系統(tǒng)會(huì)再次 再次復(fù)位 ；放開按鈕之后 ， 再次按下復(fù)位鍵， 系統(tǒng)還會(huì)復(fù)位。南昌大學(xué)共青學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第三章 硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 11 因此，控制系統(tǒng)復(fù)位只要控制按鈕 即可實(shí)現(xiàn)。 在電路圖中，電容的的大小是 10uF，電阻的大小是 10k。 根據(jù)計(jì)算公式可以得出，電容充電到電源電壓 倍需要 。 也就是說在電腦啟動(dòng)的 內(nèi)，電容兩端的電壓時(shí)在 0~ 增加。這個(gè)時(shí)候 10K電阻兩端的電壓為從 5~ 減少（串聯(lián)電路各處電壓之和為總電壓）。所以在 內(nèi)， RST 引腳所接收到的電壓是 5V~。 51 單片機(jī)的工作電壓為 5V，輸入電壓 小于 是 低電平信號(hào) ； 而大于 是 高電平信號(hào)。所以在開機(jī) 內(nèi)，單片機(jī)系統(tǒng)自動(dòng)復(fù)位（ RST 引腳接收到的高電平信號(hào)時(shí)間 為 左右）。 系統(tǒng)啟動(dòng)之后 ， 電容充電到 5V， 此時(shí)電阻兩端的電壓接近 0V， RST 處于低電平狀態(tài)，單片機(jī)系統(tǒng)正常工作 。 再按下復(fù)位按鍵之后 ， 電容由之前的充電飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)變成放點(diǎn)狀態(tài)，電容兩端接通形成一個(gè)回路 ， 放電的過程中（ ）電容兩端電壓從之前的 5V 降至 甚至更低 。 由串聯(lián)電路特性可知（串聯(lián)電路電壓總和為 0） ，電阻兩端的電壓 ≥ ， 此時(shí) RST 引腳所接為高電平 。 系統(tǒng)執(zhí)行復(fù)位操作。 總結(jié)： 復(fù)位電路中的電容值實(shí)際上是可以改變的，只要 RST引腳接通高電平時(shí)間以及電容的充 放電時(shí)間均超過 2us 時(shí)，單片機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行復(fù)位操作。 按鍵按下系統(tǒng)復(fù)位，是 由于電容此時(shí)與電阻構(gòu)成了回路，電阻兩端的電壓增加， RST 引腳所接為高電平。 51 單片機(jī)最小系統(tǒng)電路介紹 ： 單片機(jī)最小系統(tǒng)的復(fù)位電路中，電容的大小直接影響復(fù)位操作執(zhí)行所需要的時(shí)間 ， 電容的容值一般在 10~30uF 之間，容值越大，復(fù)位操作所需的時(shí)間約短。 單片機(jī)最小系統(tǒng)中的晶振是直接影響單片機(jī)處理速度的，除了采用 12MHz晶振外，我們還可以用 6MHz 晶振或者 晶振，但是晶振的振蕩頻率 越大，單片機(jī)的處理速度越快。 單片機(jī)最小系統(tǒng)中的晶振電路離單片機(jī)越近越好。起振電容的容值一般在15pF~33pF 之間。 口作為輸出口使用時(shí)需接上拉電阻（ 10K 左右），因?yàn)?P0 口是開漏輸出。 設(shè)置為定時(shí)器模式時(shí)， +1 計(jì)數(shù)器只針對(duì)內(nèi)部機(jī)器周期計(jì)數(shù)【 12 個(gè)振蕩周期 =1個(gè)機(jī)器周期， 就是說 f（計(jì)數(shù)） =f（晶振 ） /12】 。 N*Tcy=t（定時(shí)周期） 。 南昌大學(xué)共青學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第三章 硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 12 對(duì) 外部事件計(jì)數(shù)脈沖 的計(jì)數(shù) 。 計(jì)數(shù)器對(duì) T0/T1 腳采用間隔采樣 。 如果在 Tx周期采樣到一個(gè)高電平，在 T（ x+1）周期采樣到一個(gè)低電平，計(jì)數(shù)器則自動(dòng)加 1。該過程完成后的數(shù)值 裝入計(jì)數(shù)器 的時(shí)間為 下一個(gè)機(jī)器周期的 S3P1 期間。由于一個(gè)從 1到 0 的下降沿 的檢測(cè)時(shí)間為 2 個(gè)機(jī)器周期， 此時(shí)對(duì)于被采樣的脈沖（電平）的要求是，脈沖維持的時(shí)間至少是 1個(gè)機(jī)器周期 。 一般來說 晶振頻率為 12MHz 時(shí) ，計(jì)數(shù)頻率 應(yīng)滿足≤ 1/2MHz， 也就是說計(jì)數(shù)脈沖周期必須＞ 2 ms。 模塊電路一介紹 脈沖振蕩系統(tǒng)模塊： 圖 可以說，沒有晶振，就沒有時(shí)鐘周期，沒有時(shí)鐘周期，就無法執(zhí)行程序代碼，單片機(jī)就無法工作。因此晶振系統(tǒng)是單片機(jī)系統(tǒng)中很重要的一部分。 一、脈沖振蕩系統(tǒng)的組成 本次設(shè)計(jì)，脈沖振蕩系統(tǒng)所用的是一個(gè) 12M 晶振和兩個(gè) 22pf 電容構(gòu)成，接線如圖 。 二、單片機(jī)晶振的必要性 單片機(jī)工作時(shí)，是一條一條地從 RoM 中取指令，然后一步一步地執(zhí)行。單片機(jī)訪問一次存儲(chǔ)器的時(shí)間，稱之為一個(gè)機(jī)器周期，這是一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)。 — 個(gè)機(jī)器周期包括 12個(gè)時(shí)鐘周期。如果一個(gè)單片機(jī)選擇了 12MHZ 晶振，它的時(shí)鐘周期是1/12us，它的一個(gè)機(jī)器周期是 12 (1/12)us，也就是 1us。 51 單片機(jī)的所有指令中，有一些完成得比較快，只要一個(gè)機(jī)器周期就行了，有一些完成得比較饅，得要 2 個(gè)機(jī)器周期，還有兩條指令要 4 個(gè)機(jī)器周期才行。為了衡量指令執(zhí)行時(shí)間的長短，又引入一個(gè)新的概念：指令周期。所謂指令周期南昌大學(xué)共青學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第三章 硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 13 就是指執(zhí)行一條指令的時(shí)間。例如，當(dāng)需要計(jì)算 DJNZ 指令完成所需要的時(shí)間時(shí)，首先必須要知道晶振的頻率，設(shè)所用晶振為 12MHZ，則一個(gè)機(jī)器周期就是 1us。而DJNZ 指令是雙周期指令，所以執(zhí)行一次要 2us。如果該指令需要執(zhí)行 500 次，正好 1000us，也就是 1ms。 機(jī)器周期不僅對(duì)于指令執(zhí)打有著重要的意義，而且機(jī)器周期也是單片機(jī)定時(shí)器和計(jì)數(shù)器的時(shí)間基準(zhǔn)。例如一個(gè)單片機(jī)選擇了 12MHZ 晶振，那么 當(dāng)定時(shí)器的數(shù)值加 1時(shí)，實(shí)際經(jīng)過的時(shí)間就是 1us，這就是單片機(jī)的定時(shí)原理。 三、單片機(jī)晶振的作用 單片機(jī)晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振，便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調(diào)整頻率的方法保持同步。 晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)，可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來提供。 在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對(duì)精度可達(dá)百萬分之五十。高級(jí)的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在 一定范圍內(nèi)調(diào)整頻率，稱為壓控振蕩器(VCO)。晶振用一種能把電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的晶體在共振的狀態(tài)下工作，以提供穩(wěn)定，精確的單頻振蕩。 模塊電路二介紹 主控模塊電路：主控模塊分為兩部分，一部分為循環(huán)方式控制模塊，另外一部分為延遲控制模塊，下面分別介紹。 循環(huán)方式控制模塊： 圖 循環(huán)方式控制模塊 南昌大學(xué)共青學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 第三章 硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 14 循環(huán)方式控制模塊主要由 ~ 分別接一個(gè)發(fā)光二極管，三個(gè)發(fā)光二極管各接一個(gè) 1K電阻后再接電源，在發(fā)光二極管與單片機(jī)端口之間分別接一個(gè)開關(guān)接地， ABC 三個(gè)開關(guān)實(shí)物為 撥碼開關(guān)。接線如上圖所示。 ABC 三個(gè)開關(guān)分別控制三種循環(huán)方式， D17為循環(huán)方式一指示開關(guān)， D18 位循環(huán)方式二指示開關(guān)， D19 為循環(huán)方式三指示開關(guān)。當(dāng)開關(guān) A接通，給 端口送入低頻信號(hào)，程序跑動(dòng)，啟動(dòng)循環(huán)方式一，指示燈 D17 點(diǎn)亮；當(dāng)開關(guān) B 接通，給 端口送入低頻信號(hào)，程序跑動(dòng)，啟動(dòng)循環(huán)方式二，指示燈 D18 點(diǎn)亮；當(dāng)開關(guān)C 接通，給 端口送入低頻信號(hào)，程序跑動(dòng)，啟動(dòng)循環(huán)方式三，指示燈 D9 點(diǎn)亮。 撥碼開關(guān)介紹： 撥碼開關(guān)：分平撥式，琴鍵式，直角型，貼片型， ic 型 材料 : 蓋： PBT 藍(lán)、紅、 黑 圖 平撥式撥碼開關(guān) 平撥式撥碼開關(guān)： ： PBT 黑 ： POM 白 ：鍍金磷銅 產(chǎn)品特征 : ， 。 。 、通信、遙控和防盜自動(dòng)警鈴系統(tǒng)等需要手動(dòng)程式編