【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 標(biāo)準(zhǔn)型單片機(jī)，它和MCS51系列單片機(jī)兼容。內(nèi)部有4K可重復(fù)編程的Flash memory，可進(jìn)行1000次擦寫(xiě)操作，全靜態(tài)工作為小33MHz，有三級(jí)程序存儲(chǔ)器加密鎖定，有內(nèi)部含12856字節(jié)的RAM，32條可編程的FO端口，有2個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，有通用串行接口，有低電壓空閑及電源下降方式；中斷有6級(jí)。 AT89C52的引腳及其特性AT89C52 ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓，高性能CMOS 8位單片機(jī)．片內(nèi)含8K byTES的可反復(fù)擦寫(xiě)的只讀程序存儲(chǔ)器（PEROM）和256 byTES 。的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，與標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng)及8052 產(chǎn)品引腳兼容，片內(nèi)置通用8位中央處理器（CPU ）和FLASH由存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大AT89C52單片適用于許多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場(chǎng)合。主要性能參數(shù)：（1） 與Mcs51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。（2） 8字節(jié)可重擦寫(xiě)FLASH閃速存儲(chǔ)器（3） 1000 次擦寫(xiě)周期（4） 全靜態(tài)操作：0HZ24MHZ（5） 三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器（6） 256X8字節(jié)內(nèi)部RAM（7） 32個(gè)可編程I/0口線（8） 3個(gè)16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器（9） 8個(gè)中斷源（10） 可編程串行UART通道（11） 低功耗空閑和掉電模式功能特性：AT89C52 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能：8字節(jié)FLASH閃速存儲(chǔ)器，256字竹內(nèi)部RAM , 32個(gè)I/O口線，3個(gè)16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器，一個(gè)6向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí)，AT89c52可降至OHz的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電上作模式。空閑方式停止CPU 的工作，但允許RAM，定時(shí)／計(jì)數(shù)器．串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。功能引腳說(shuō)明：Vcc:電源電壓；GND:地；P0口：P0口是一組8位漏極開(kāi)路型雙向1/O 口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)．每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL 邏輯門(mén)電路，對(duì)端口P0 寫(xiě)“1”時(shí)，可作為高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低8位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部 上拉電阻。在FLASH由編程時(shí)，P0口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字 節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。P1口：P1口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，Pl的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)“1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。與AT89C52不同之處是， （）和輸入（)，如表（1)， flash編程和程序校驗(yàn)期間，Pl接收低8位地址。P2口：P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流）4個(gè)TTL邏輯電路。對(duì)端口P2寫(xiě)“l(fā)，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行MOvx@DPTR 指令）時(shí)，P2送出高8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn)8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、如執(zhí)行MOVX@RI指令）時(shí)，P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。FLASH編程或校驗(yàn)時(shí)，P2亦接收高位地址和一些控制信號(hào)。 P3口：P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流）4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)P3口寫(xiě)入“1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時(shí)，被外部拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流 。P3口除了作為一般的I/0口線外，更重要的用途是它的第二功能，如表（2）所示。此外，P3口還接收一些用于FLASH閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。ALE/PROG:當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，ALE(地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)．一般情況下，ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的脈沖信號(hào)，因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是：每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中的8EH單元的D0位置位．可禁止ALE操作。該位置位后，只有一條MOVX和MOVC指令才能將ALE激活,此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置ALE禁止位無(wú)效。PSEN：程序儲(chǔ)存允許PSEN輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng)AT89C52由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，將跳過(guò)兩次PSEN信號(hào)。EA/VPP：外部訪問(wèn)允許。欲使CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000HFFFFH ) , EA端必須保持低電平(接地）．需注怠的是：如果加密位LBI被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平（接Vcc端）, CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。flash存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上+12V的編程允許電源VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓VPP 。XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。表（1） 的第二功能端口引腳 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)第二功能 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)T2，時(shí)鐘輸出upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)T2EX（定時(shí)/計(jì)數(shù)器2upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)表（2） P3第二功能端口引腳 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)第二功能 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)RXD（串行輸入口〕 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)TXD（串行輸出口〕 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)INTO（外中斷0〕 upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)INTO（外中斷l(xiāng)) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)TO （定時(shí)／計(jì)數(shù)器0 ) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)Tl （定時(shí)／計(jì)數(shù)器l ) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)WR（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通） upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào)RD（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通） upF838電子技術(shù)資料電子元件電路圖技術(shù)應(yīng)用網(wǎng)站基本知識(shí)原理維修作用參數(shù)電子元器件符號(hào) 特殊功能寄存器：在AT89C52片內(nèi)存儲(chǔ)器中，80HFFH共128個(gè)單元為特殊功能寄存器（SFE ) , SFR的地址空間映象如表2所示。并非所有的地址都被定義，從80HFFH共128 個(gè)字節(jié)只有一部分被定義，還有相當(dāng)一部分沒(méi)有定義。對(duì)沒(méi)有定義的單元讀寫(xiě)將是無(wú)效的，讀出的數(shù)位將不確定，而寫(xiě)入的數(shù)據(jù)也將丟失。不應(yīng)將數(shù)據(jù)1寫(xiě)入未定義的單元，由于這些單元在將來(lái)的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，復(fù)位后這些單元數(shù)值總是“0”。中斷寄存器：AT89C52有6個(gè)中斷源，2個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)，lE寄存器控制各中斷位，lP寄存器中6個(gè)中斷源的每一個(gè)可定為2個(gè)優(yōu)先級(jí)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：AT89C52有256個(gè)字節(jié)的內(nèi)部RAM ,