【文章內(nèi)容簡介】 間接尋址指令訪問高 128 字節(jié) RAM，例如，下面的間接尋址指令中， R0的內(nèi)容為0A0H，則訪問數(shù)據(jù)字節(jié)地址為 0A0H，而不是 P2 口（ 0A0H）。 MOV @RO,data 堆棧操作也是間接尋址方式，所以，高 128 位數(shù)據(jù) RAM 亦可作為堆棧區(qū)使用。 定時器 0和定時器 1： A89C52 的定時器 0和定時器 1 的工作方式與 AT89C51 相同。 16 定時器 2： 定時器 2是一個 16位定時 /計數(shù)器。它既可當定時器使用，也可作為外部事件計數(shù)器使用，其工作方式由特殊功能寄存器 T2CON（如表 3）的 C/T2 位選擇。定時器 2有三種工作方式：捕獲方式，自動重裝載（向上或向下計數(shù)）方式和波特率發(fā)生器方式，工作方式由 T2CON 的控制位來選擇，參見表 4 定時器 2由兩個 8位寄存器 TH2 和 TL2 組成，在定時器工作方式中，每個機器周期 TL2 寄存器的 值加 1，由于一個機器周期由 12 個振蕩時鐘構(gòu)成，因此，計數(shù)速率為振蕩頻率的 1/12。 在計數(shù)工作方式時，當 T2 引腳上外部輸入信號產(chǎn)生由 1 至 0 的下降沿時，寄存器的值加 1，在這種工作方式下，每個機器周期的 5SP2 期間，對外部輸入進行采樣。若在第一個機器周期中采到的值為 1，而在下一個機器周期采到的值為 0，則在緊跟著的下一個周期的 S3P1 期間寄存器加 1。由于識別 1 至 0 的跳變需要 2 個機器周期，因此，最高計數(shù)速率為振蕩頻率的 1/24。為確保采樣的正確性，要求輸入的電平在變化前至少保持一個完整周期的時間，以保證輸入信號至少 被采樣一次。 捕獲方式 ： 在捕獲方式下，通過 T2CON 控制位 EXEN2 來選擇兩種方式。如果 EXEN2=0，定時器 2是一個 16 位定時器或計數(shù)器，計數(shù)益處時，對 T2CON 的益處標志 TF2置位，同時激活中斷。如果 EXEN2=1，定時器 2 完成相同的操作，而當 T2EX 引腳外部輸入信號發(fā)生 1 至 0 負跳變時，也出現(xiàn) TH2 和 TL2 中的值分別被捕獲到 RCAP2H 和 RCAP2L中。另外， T2EX 引腳信號的跳變使得 T2CON 中的 EXF2 置位，與 TF2 相仿， EXF2 也會激活中斷。捕獲方式如圖 4所示。 自動重裝載（向上或向下計數(shù)器）方 式 當定時器 2 工作于 16 位自動重裝載方式時，能對其編程為向上或向下計數(shù)方式，這個功能可通過特殊功能寄存器 T2CON（見表 5）的 DDCEN 位（允許向下計數(shù)）來選擇的。復位時， DCEN 位置“ 0”，定時器 2 默認設(shè)置為向上計數(shù)。當 DCEN 置位時，定時器 2即可向上計數(shù)也可向下計數(shù)，這取決于 T2EX 引腳的值，參見表 5，當 DCEN=0 時，定時器 2 自動設(shè)置為向上計數(shù)，在這種方式下， T2CON 中的 EXEN2 控制位有兩種選擇，若 EXEN2=0，定時器 2為向上計數(shù)至 0FFFFH 益處，置位 TF2 激活中斷，同時把 16 位 17 計數(shù)寄存器 RCAP2H 和 RCAP2L 重裝載， RCAP2H 和 RCAP2L 的值可由軟件設(shè)置。若EXEN2=1，定時器 2的 16 位重裝載由益處或外部輸入端 T2EX 從 1至 0的下降沿觸發(fā)。這個脈沖使 EXF2 置位，如果中斷允許，同樣產(chǎn)生中斷。 當 DCEN=1 時，允許定時器 2 向上或向下計數(shù)，如圖 6 所示。這種方式下， T2EX引腳控制計數(shù)器方向。 T2EX 引腳為邏輯“ 1”時，定時器向上計數(shù)，當計數(shù) 0FFFFH向上溢出時，置位 TF2，同時把 16 位計數(shù)寄存器 RCAP2H 和 RCAP2L 重裝載到 TH2 和TL2 中， T2EX 引腳為邏輯“ 0”時，定 時器 2向下計數(shù)，當 TH2 和 TL2中的數(shù)值等于RCAP2H 和 RCAP2L 中的值時，計數(shù)溢出，置位 TF2，同時將 0FFFFH 數(shù)值重新載入定時寄存器中。 當定時 /計數(shù)器 2向上溢出或向下溢出時，置位 EXF2 位。 波特率發(fā)生器 ： 當 T2CON（表 3）中的 TCLK 和 RCLK 置位時，定時 /計數(shù)器 2作為波特率發(fā)生器使用。如果定時 /計數(shù)器 2作為發(fā)送器或接收器，其發(fā)送和接收的波特率可以是不同的，定時器 1 用于其他功能，如圖 7所示 。若 RCLK 和 TCLK 置位，則定時器 2工作于波特 18 率發(fā)生器方式。 波特率發(fā)生器的方式與自動重裝 載方式相仿，在此方式下， TH2 翻轉(zhuǎn)使定時器 2的寄存器用 RCAP2H 和 RCAP2L 中的 16 位數(shù)值重新裝載，該數(shù)值由軟件設(shè)置。 在方式 1個方式 3中，波特率由定時器 2的溢出速率根據(jù)下式確定： 定時器既能工作于定時方式也能工作于計數(shù)方式，在大多數(shù)的應(yīng)用中，是工作在定時方式（ C/T2=0）。定時器 2作為波特率發(fā)生器時，與作為定時器的操作是不同的，通常作為定時器時，在每個機器周期（ 1/12 振蕩頻率）寄存器的值加 1，而作為波特率發(fā)生器使用時，在每個狀態(tài)時間（ 1/2 振蕩頻率）寄存器的值加 1。波特率 的計算公式如下： 式中（ RCAP2H， RCAP2L）是 RCAP2H 和 RCAP2L 中是 16 位無符號數(shù)。 19 定時器 2 作為波特率發(fā)生器使用的電路入圖 7所示。 T2CON 中的 RCLK 或 TCLK=1 時，波特率工作方式才有效。在波特率發(fā)生器工作方式中， TH2 翻轉(zhuǎn)不能使 TF2置位，故而不產(chǎn)生中斷。但若 EXEN2 置位，且 T2EX 端產(chǎn)生由 1 至 0 的負跳變，則會使 EXF2置位，此時并不能將（ RCAP2H， RCAP2L）的內(nèi)容重新裝入 TH2 和 TL2 中。所以，當定時器 2 作為波特率發(fā)生器使用時， T2EX 可作為附加 的外部中斷源來使用。需要注意的是，當定時器 2工作于波特率器時，作為定時器運行（ TR2=1）時，并不能訪問 TH2和 TL2。因為此時沒個狀態(tài)時間器都會加 1，對其讀寫將得到一個不確定的數(shù)值。 然而，對 RCAP2 則可讀而不可寫，因為寫入操作將是重新裝載，寫入操作可能令寫和 /或重裝載出錯。在訪問定時器 2 或 RCAP2 寄存器之前，應(yīng)將定時器關(guān)閉。 時鐘振蕩器 ： AT89C52中有一個用語構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳 XTAL1和 XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個放大器與作為反饋元件的片外石英晶體 或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖 10。 外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容 C C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。對外接電容 C C2 雖然沒有十分嚴格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30pF177。 10F。 用戶也可以采用外部時鐘。采用外部時鐘的電路如圖 10右圖所示。這種情況下，外部時鐘脈沖接到 XTAL1 端，即內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端， XTAL2 則懸空。 20 由于外部時鐘信號 是通過一個 2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時鐘信號，所以對外部時鐘信號的占空比沒有特殊要求。但最小高電平持續(xù)時間和最大的低電平儲蓄時間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。 空閑節(jié)電模式 ： 在空閑工作模式狀態(tài)， CPU 自身處于睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時，同時將片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容凍結(jié)?？臻e模式可由任何允許的中斷請求或硬件復位終止。 由硬件復位終止空閑狀態(tài)只需兩個機器周期有效復位信號，在此狀態(tài)下，片內(nèi)硬件禁止訪問內(nèi)部 RAM，但可以訪問端口引腳，當用復位終止空閑方式時，為避免可能對 端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。 掉電模式 ： 在掉電模式下，振蕩器停止工作，進入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)，退出掉電模式的唯一方法是硬件復位，復位后將重新定義全部特殊功能寄存器，但不改變 RAM中的內(nèi)容，在Vcc 恢復到正常工作電平前，復位應(yīng)無效，且必須保持一定時間以振蕩器重起動并穩(wěn)定工作。 空閑和掉電模式下，個端口引腳狀態(tài)如表 6 所示。 21 程序存儲器的加密： AT89C52 有 3個程序加 密位，可對芯片上的 3個加密位 LB LB LB3進行編程（ P）或不編程（ U）來得到如表 7 所示的功能 注：表中的 U— 表示未編程， P— 表示編程 當加密位 LB1 被編程時，在復位期間， EA 非端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機上電后一直沒有復位，則鎖存起的初始值是一個隨機數(shù)，且這個隨機數(shù)會一直保存到真正復位為止。為使單片機能正常工作，被鎖存的 EA 非電平值必須與該引腳當前的邏輯電平一致。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。 Flash 存儲器的編程 ： AT89C52 單片機內(nèi)部有 8k 字節(jié)的 FlashPEROM， 這個 Flash 存儲陣列出廠時已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容均為 FFH），用戶隨時可對其進行編程。編程接口可接收高電壓（ +12V）或低電壓（ Vcc）的允許編程信號。低電壓編程模式適合于用戶在線編程系統(tǒng)，而高電壓編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容。 AT89C52 單片機中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的簽名字節(jié)獲得該信息，見表 8 AT89C52 是程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個字節(jié)，要對整個芯片內(nèi)的 PEROM 程序存儲 器寫入一個非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個存儲器的內(nèi)容清除。 編程方法 ： 22 編程前，須按表 9和圖 11 所示設(shè)置好地址、數(shù)據(jù)及控制信號， AT89C52 變成方法如下： 1，在地址線上加上要編程單元的地址信號。 2，在數(shù)據(jù)線上加上要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。 3，激活相應(yīng)的控制信號。 4，在高壓編程方式時，將 EA 非 /Vpp 端加上 +12V 編程電壓。 5，每對 Flash 存儲陣列寫入一個字節(jié)或每寫入一個程序加密位，加上一個ALE/PROG 非編程脈沖。每個字節(jié)寫入周期是自身定時的，通常約為 。重復 1—5 步驟，改變編程單元的 地址和寫入的數(shù)據(jù)，直到全部文件編程結(jié)束。 數(shù)據(jù)查詢： AT89C52 單片機用 Data Palling 表示一個寫周期結(jié)束為特征，在一個周期中，如需讀取最后寫入的一個字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（ ）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。寫周期完成后，所輸出的數(shù)據(jù)是有效的數(shù)據(jù)，即可進入下一個字節(jié)的寫周期，寫周期開始后， Data 非 Palling 可能隨時有效。 Ready/Busy 非：字節(jié)編程的進度可通過 RDY/BSY 非輸出信號檢測，編程期間， ALE變?yōu)楦唠娖健?H”后， （ RDY/BSY 非）端電平被拉低，表示 正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。編程完成后， 變?yōu)楦唠娖奖硎緶蕚渚途w狀態(tài)。 程序校驗：如果加密位 LB LB2 沒有進行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回編寫的數(shù)據(jù)，采用如圖 12 的電路。加密位不可直接校驗，加密位的校驗可通過對存儲器的校驗和寫入狀態(tài)來驗證。 23 24 芯片擦除： 利用控制信號的正確組合（表 6）并保持 ALE/PROG 非引腳 10mS 的低電平脈沖寬度即可將 PEROM 陣列（ 4k 字節(jié)）和三個加密位整片擦除，代碼陣列在片擦除操作中將任何非空單元寫入“ 1”，這步驟需再變成之前進行。 讀片內(nèi)簽名字節(jié)： AT89C52 單片機內(nèi)有 3個簽名字節(jié)，地址為 030H、 031H 及 032H的正常檢驗相仿，只返回值意義如下： （ 030H） =1EH 聲明由 ATMEL 公司制造。 （ 031H） =52H 聲明為 AT89C52 單片機。 （ 032H） =FFH 聲明為 12V 編程電壓。 （ 032H） =05H 聲明為 5V 編程電壓。 編程接口： 25 采用控制信號的正確組合可對 Flash 閃速存儲陣列中的每一代碼字進行寫入和存儲器的整片擦除，寫操作周期是自身定時的，初始化后他將自動定時操作完成。 AT89C52 的極限參數(shù)： 直流參數(shù) ： 26 交流特性 ： 在以下工作條件 ， P0 口， ALE/PROG， PSEN 的負載電容為 100pF，其他輸出口負載電容為 80pF。 外部程序和數(shù)據(jù)存儲器參數(shù) 27 如何使用 MAX1898 MAX1898 是本設(shè)計充電器中的一個關(guān)鍵器件。首先需要了解 MAX472 的一些基本的特性和功能。 MAX1898配合外部 PNP或 PMOS晶體管可以組成完整的單節(jié)鋰電池充電器。 MAX1898提供精確的恒流 /恒壓充電。電池電壓調(diào)節(jié)精度為正負百 分之 75，提高了電池性能并