基于單片機的節(jié)日彩燈設(shè)計課程設(shè)計(編輯修改稿)
2025-08-14 16:36 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 于內(nèi)部上拉的緣故。再 FLASH 編程和校驗時， P1 口作為第八位地址接收。 P2 端口（ ）： P2 口為一個內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 口緩沖器可接收，輸出 4 個 TTL 門電流，當 P2 口被寫“ 1”時，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時， P2 口的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2 口當用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進行存取時， P2 口輸出地址的高八位。在給出地址“ 1”時，它利用內(nèi)部 上拉優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時， P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P2 口在 FLASH 編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。 P3 端口（ ）： P3 口管腳是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位的雙向 I/O端口，可接收輸出 4 個 TTL 門電流。當 P3 口寫入“ 1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入端時，由于外部下拉為低電平， P3 口將輸出電流（ ILL）。 P3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如表 1 所示。 P3 口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。 復(fù)位 RST(9)：復(fù)位 輸入。在振蕩器運行時，有兩個機器周期（ 24 個振蕩周期）以上的高電平出現(xiàn)在此引腳時，將使單片機復(fù)位，只要這個腳保持高電平， 51 芯片便循環(huán)復(fù)位。復(fù)位后 口均置 1，引腳表現(xiàn)為高電平，程序計數(shù)器和特殊功能寄存器 SFR 全部清零。當復(fù)位腳由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，芯片為 ROM 的00H 處開始運行程序。復(fù)位操作不會對內(nèi)部 RAM 有所影響。 ALE/ PROG (30)：當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 FLASH 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時 ， ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：每當用作外部數(shù)據(jù)存儲器時，將跳過一個 ALE 脈沖。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。此時， ALE 只有在執(zhí)行 MOVX， MOVC 指令是 ALE 才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE 禁止，置位無效。 PSEN (29)：外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指令期間，每個機器周期兩次 PSEN 有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，這兩次有效的PSEN 信號將不出現(xiàn)。 EA/VPP(31) ：當 __EA保持低電平時，則在此期間外部程序存儲器（ 0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲器。注意加密方式 1 時， __EA將內(nèi)部 本科生課程設(shè)計（論文） 7 鎖定為 RESET；當 __EA端保持高電平時，此間內(nèi)部程序存儲器。在 FLASH 編程期間，此引腳也用于施加 12V 編程電源（ VPP）。 XTAL1(19)：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時鐘工作電路的輸入。 XTAL2(18)：來自反向振蕩器的輸出。其引腳圖如圖 所示。 表 端口引腳兼用功能表 圖 AT89C51 引腳圖 端口引腳 第二功能 RXD(串行輸入口 ) TXD（串行輸出口） 0INT （外中斷 0） 1INT （外中斷 1） T0(定時、計數(shù) 0) T1（定時、計數(shù) 1） WR （外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） 本科生課程設(shè)計（論文） 8 時鐘電路設(shè)計 單片機的時鐘信號用來提供單片機片內(nèi)各種微操作的時間基準，復(fù)位操作則使單片機的片內(nèi)電路初始化，使單片機從一種確定的初態(tài)開始運行。 時鐘電路 89C51 單片機的時鐘信號通常用兩種電路形式得到：內(nèi)部振蕩方式和外部振蕩方式。 在引腳 XTAL1 和 XTAL2 外接晶體振蕩器 (簡稱晶振 )或陶瓷諧振器，就構(gòu)成了內(nèi)部振蕩方式。由于單片機內(nèi)部有一個高增益反相放大器，當外接晶振后，就構(gòu)成了自激振蕩器并產(chǎn)生振蕩時鐘脈沖。內(nèi)部振蕩方式的外部電路如圖 31 所示。圖 31中，電容器 Cl， C2起穩(wěn)定振蕩頻率、快速起振的作用，其電容值一般在 530pF。晶振頻率的典型值為 12MHz，采用 6MHz的情況也比較多。內(nèi)部振蕩方式所得的時鐘情號比較穩(wěn)定，實用電路中使用較多。 圖 時鐘電路 復(fù)位電路設(shè)計 復(fù)位電路電路圖如圖 所示 當 89C51 單片 機的復(fù)位引腳 RST(全稱 RESET)出現(xiàn) 2 個機器周期以上的高電平時，單片機就執(zhí)行復(fù)位操作。如果 RST 持續(xù)為高電平，單片機就處于循環(huán)復(fù)位狀態(tài)。根據(jù)應(yīng)用的要求，復(fù)位操作通常有兩種基本形式：上電復(fù)位和上電或開關(guān)復(fù)位。上電復(fù)位要求接通電源后，自動實現(xiàn)復(fù)位操作。 89c51 X1 X2 C1 C2 GND 本科生課程設(shè)計（論文） 9 常用的上電復(fù)位電路電容 C1 和電阻 R1 對電源 +5V 來說 [20]構(gòu)成微分電路。上電后，保持 RST 一段高電平時間，由于單片機內(nèi)的等效電阻的作用，不用圖中電阻 R1，也能達到上電復(fù)位的操作功能，如圖 所示。 圖 復(fù)位電路電路圖 開關(guān)復(fù)位要求電源接通后，單片機自動復(fù)位，并且在單片機運行期間，用開關(guān)操作也能使單片機復(fù)位常用的上電或開關(guān)復(fù)位電路。上電后，由于電容 C3 的充電和反相門的作用，使 RESET 持續(xù)一段時間的高電平。當單片機已在運行當中時，按下復(fù)位鍵 K 后松開，也能使 RESET 為一段時間的高電平，從而實現(xiàn)上電或開關(guān)復(fù)位的操作。 鎖存控制電路 其鎖存功能利用 74LS373 來實現(xiàn)，其功能表如表 所示，引腳圖如圖 所示 10181。F +5V RET 1K 圖 74LS373 引腳圖 本科生課程設(shè)計（論
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