dc-dc開關(guān)電源設(shè)計(jì)—畢業(yè)設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-01-04 10:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 供給負(fù)載，此時(shí)原邊電流降到零，副邊整流二極管導(dǎo)通，感生電流將出現(xiàn)在副邊 。根據(jù)電感的伏秒積平衡可以得到： TDVNNDTV Os pin )1( ??，所以輸出電壓和輸入電壓的關(guān)系為INPSO VDDNNV ?? 1,通過控制開關(guān)管的 5 導(dǎo)通時(shí)間（即“占空比”）去控制輸出電壓，即可得到想要輸出的電壓。而控制占空比可以通過設(shè)計(jì)控制回路，用 PWM 控制芯片 UC3843來控制 MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而調(diào)節(jié)占空比。 單元模塊設(shè)計(jì) 主回路設(shè)計(jì) 主回路電路圖： 如圖所示，主回路由變壓器進(jìn)行了電氣隔離，符合題目要求 ，變壓器原邊是輸入部分，輸入電壓經(jīng)過電容濾波后到達(dá)變壓器原邊兩端，由MODFET 控制回路的導(dǎo)通和關(guān)斷，當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，變壓器接受的能量除磁化電流外都傳遞到輸出端，當(dāng)其關(guān)斷時(shí)，導(dǎo)向二極管 D5 反偏而不可能有鉗位作用或能量泄放到回路，磁化能量將引起較大反壓加 在 MOSFET 集 射極之間，為防止高反壓的出現(xiàn)，設(shè)置磁復(fù)位線圈經(jīng)過二極管 D2，使存儲(chǔ)的能量反送回電源 Vin 中，變壓器副邊在 MOFET導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生感生電壓，經(jīng)過二極管和電容整流濾波后給負(fù)載供電，同 6 時(shí)電感儲(chǔ)存能量，當(dāng)其斷開時(shí)，電感釋放能量。 控制回路設(shè)計(jì) 控制回路由 PWM 脈寬調(diào)制芯片 UC3844 作為主控制芯片 ，用 TL431 的內(nèi)部參考 作為參考電壓，經(jīng)過具有電氣隔離特性的 PC817 光耦傳送給 UC3844 的補(bǔ)償端 1 腳，若輸出電壓增大或減小時(shí)，控制芯片會(huì)根據(jù)其變化來控制驅(qū)動(dòng)波形的占空比，即控制 MOSFET 的開通或關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而使輸出電壓達(dá)到穩(wěn)定。 其電路圖如下： 電路主要參數(shù)的計(jì)算及元器件的選擇 令 Vin最小時(shí)， Dmax=,?Bm=,f=82KHZ, 39。? =85% (1)所需 AP值 Pin= WAVIVp ONOON %85 51239。39。 ???? ?? 7 AP=（39。 fKB Pm in? ?） = （ 2）磁芯選擇 因?yàn)樗x磁芯的 AP 值要使所需 AP 值的二倍以上，所以考慮選擇EE40 型磁芯，其參數(shù)為： AP=, Ae=128mm2, Aw=108mm2 （ 3）原邊所需匝數(shù) Np (m i n) 36m a x ????? ????? ?? ?fBA DVN meinp (4 原邊匝數(shù)比 : *(m i n) 1 m a x m a x0 ???????? ）（））（（ DV DVUNNn infps (5)副邊匝 數(shù) : ?? nNN p
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