任務(wù)二：晶硅電池產(chǎn)業(yè)鏈工藝流程(編輯修改稿)
2025-03-31 18:57 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 SiO2﹢ 2C＝ SiC﹢ 2CO SiC﹢ SiO2＝ SiO ﹢ CO+Si SiO2→si﹢ O2 拉制 單晶需全程通氬，一邊抽空 ,爐內(nèi)壓力控制在 20乇左右。通過(guò)合理的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，能迅速帶走揮發(fā)物。減壓有利于 sio的揮發(fā)及防止 co返回熔體，達(dá)到降氧和降碳的目的。 氬氣流量： 3555L/min(聯(lián)創(chuàng)爐 )，投料公斤，耗氣量約 170立方 三 .主要流程介紹 2023/4/1 26 （ 1）多晶鑄錠爐發(fā)展趨勢(shì)： a裝料多 b周期短 C品質(zhì)高 d功率低 三 .主要流程介紹 2023/4/1 27 （ 2）工藝周期 加熱 熔化 長(zhǎng)晶 退火 冷卻 出爐 1540 ℃ 約 1015h 1430 ℃ 1370 ℃ 900 ℃ 約 4h 整個(gè)工藝周期 三 .主要流程介紹 加熱 熔化 長(zhǎng)晶 退火 2023/4/1 29 （ 3）多晶鑄錠爐主要生產(chǎn)廠家 國(guó)外主要廠商 ：美國(guó) GT SOLAR、德國(guó) ALD、普法拓普等，其中 GT占據(jù)中國(guó)多晶鑄錠爐市場(chǎng)約 50%。 國(guó)內(nèi)主要廠商 ：紹興 精工、 中電 48所、華盛天龍、京運(yùn)通等 三 .主要流程介紹 氬氣主要使用量： 不需全程吹氬， 450鑄錠爐單錠氬氣耗量為 70～ 90方 2023/4/1 30 （ 1）準(zhǔn)單晶定義：準(zhǔn)單晶（ Mono Like ）是基于多晶鑄錠的工藝，在長(zhǎng)晶時(shí)通過(guò)部分使用 單 籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。 三 .主要流程介紹 2023/4/1 31 （ 2） 籽晶鋪設(shè)方式 三 .主要流程介紹 （ 3）工藝線路 三 .主要流程介紹 2023/4/1 33 （ 4）準(zhǔn)單晶產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì) ，接近直拉單晶電池片 %。 100KG，準(zhǔn)單晶鑄錠投料量達(dá) 430KG. ，組件 功 率 提升 明顯，單位成本降低 。 250 瓦（ 60 片排布），或 300 瓦（ 72 片排布）的大組件 。 ，直拉單晶成本為 160 元人民幣 /公斤，準(zhǔn)單晶鑄錠的成本僅 為 60 人民幣 /公斤 三 .主要流程介紹 2023/4/1 34 (5)準(zhǔn)單晶技術(shù)研發(fā)要點(diǎn) 。針對(duì)熱場(chǎng)研發(fā)以改良溫度梯度，同時(shí)還要注意熱 場(chǎng) 。研究發(fā)現(xiàn)，準(zhǔn)單晶晶種制備方向?qū)⒊蟪〉姆较?發(fā)展 。 這一環(huán)節(jié)非常難以控制，它決定準(zhǔn)單晶是否能夠穩(wěn)定生產(chǎn)，因此需要一個(gè)與之對(duì)應(yīng)的精準(zhǔn)熔化控制設(shè)備。據(jù)了解，為獲得穩(wěn)定的控制工藝，鳳凰 光 伏開(kāi)發(fā) 了一套針對(duì)準(zhǔn)單晶專用的晶種融化控制設(shè)備，可以在 的時(shí)候進(jìn)入長(zhǎng)晶階段； 。 在很多生產(chǎn)過(guò)程中，效率衰減總是不可避免，為此把位錯(cuò)密度控制到最低，是此項(xiàng)工藝的關(guān)鍵； 。 目前良率大約在 40%~60%之間，還有待提高。 三 .主要流程介紹 2023/4/1 35 硅片檢測(cè) 表面絨面 絲網(wǎng)印刷 燒結(jié) 擴(kuò)散制結(jié) 去磷硅玻璃 鍍減反射膜 等離子刻蝕 三 .主要流程介紹 硅片檢測(cè) 表面絨面 擴(kuò)散制結(jié) 去磷硅玻璃 等離子刻蝕 2023/4/1
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