【文章內(nèi)容簡介】 理制成的半導(dǎo)體二極管 .反向偏壓越高 ,結(jié)電容越小 。反向偏壓越小 ,結(jié)電容越大 . 作用 : 可替代可變電容器 ,在現(xiàn)代通信設(shè)備、數(shù)字電路及家用電器中作調(diào)諧頻率自動微調(diào)使用 . 主要參數(shù) : 結(jié)電容 :指在一特寂的反偏壓下 ,變?nèi)荻O管的 PN結(jié)電容 . 結(jié)電容變化范圍 :在工作電壓范圍內(nèi)結(jié)電容的變化范圍 . 電容比 : 是結(jié)電容變化范圍內(nèi)最大電容與最小電容之比 . Q值 :是變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù) ,它反映了對回路能量的損耗 . LED: 概念 : 發(fā)光二極管是一種將電信號轉(zhuǎn)換成光信號的半導(dǎo)體器件 ,具有單向?qū)щ娦?,正向?qū)〞r(shí)才能發(fā)光 . 分類 : 按發(fā)光管發(fā)光顏色 :紅色、橙色、綠色（又細(xì)分黃綠、標(biāo)準(zhǔn)綠和純綠）、藍(lán)光等 . 發(fā)光二極管中也包含二種以下顏色的芯片 ,做成多彩燈 .根據(jù)發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色 ,上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型 . 按發(fā)光管出光面特征 :圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側(cè)向管、表面安裝用微型管等 . 按發(fā)光強(qiáng)度和工作電流 :普通（發(fā)光強(qiáng)度 10mcd。高亮（發(fā)光強(qiáng)度 10～ 100mcd)。超高（發(fā)光強(qiáng)度 100mcd). 判斷 : ： 普通二極管一般為玻璃封裝和塑料封裝 ,外殼上均印有型號和標(biāo)記 .標(biāo)記有箭頭、色點(diǎn)、色環(huán)三種 .箭頭所指方向或靠近色環(huán)一端為陰極 ,有色點(diǎn)一端為陽極 . 負(fù)極 負(fù)極 ： 對于點(diǎn)接觸型玻璃外殼二極管 ,如果標(biāo)記已磨掉 ,則可將外殼上的漆層（黑色或白色）輕輕刮掉一點(diǎn) ,透過玻璃看那頭是金屬觸針 ,那頭是 N型鍺片 .有金屬觸針的那頭就是正極 . : 用萬用表 R*100或 R*1K檔 ,任意測量二極管的兩根引線 ,如果量出的電阻只有幾百歐姆（正向電阻） ,則黑表筆（既萬用表內(nèi)電池正極）所接引線為正極 ,紅表筆（既萬用表內(nèi)電源負(fù)極）所接引線為負(fù)極 . : ? 用萬用表 R*10K檔測正 ,反向電阻 ,一般正向電阻小于 30K,反向電阻大于 、反向電阻均為零 ,說明內(nèi)部擊穿短路 .若正、反電阻均為無窮大 ,說明內(nèi)部開路 . 三 極 管 : 半導(dǎo)體三極管也稱雙極型晶體管 ,晶體三極管 ,簡稱三極管 ,是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件 . 作用 : 把微弱信號放大成輻值較大的電信號 , 也用作無觸點(diǎn)開關(guān) . : : 硅管 、 鍺管 : NPN 、 PNP : 開關(guān)管 、 功率管 、 達(dá)林頓管 、 光敏管等 . : : a. 特征 頻率 fT:當(dāng) f= fT時(shí) ,三極管完全失去電流放大功能 .如果工作頻率大于 fT,電路將不 正常 工作 . b. 工作電壓 /電流 :用這個(gè)參數(shù)可以指定該管的電壓電流使用范圍 . c. hFE:電流放大倍數(shù) . d. VCEO:集電極發(fā)射極反向擊穿電壓 ,表示臨界飽和時(shí)的飽和電壓 . e. PCM:最大允許耗散功率 . f. 封裝形式：指定該管的外觀形狀 ,如果其它參數(shù)都正確，封裝不同將導(dǎo)致組件無法在 . : ? 先假設(shè)三極管的某極為 ” 基極 ” ,將黑表筆接在假設(shè)基極上 ,再將紅表筆依次接到其余兩個(gè)電極上 ,若兩次測得的電阻都大 (約幾 K到幾十 K),或者都小 (幾百至幾 K),對換表筆重復(fù)上述測量 ,若測得兩個(gè)阻值相反 (都很小或都很大 ),則可確定假設(shè)的基極是正確的 ,否則另假設(shè)一極為 ” 基極 ” ,重復(fù)上述測試 ,以確定基極 . ? 當(dāng)基極確定后 ,將黑表筆接基極 ,紅表筆筆接基它兩極若測得電阻值都很少 ,則該三極管為 NPN,反之為 PNP. ? 判斷集電極 C和發(fā)射極 E,以 NPN為例 : 把黑表筆接至假充的集電極 C,紅表筆接到假設(shè)的發(fā)射極 E,并用手捏住 B和 C極 ,讀出表頭所示 C,E電阻值 ,然后將紅 ,黑表筆反接重測 .若第一次電阻比第二次小 ,說明原假設(shè)成立 . 場 效 應(yīng) 管 : 場效應(yīng)晶體管（ Field Effect Transistor縮寫 (FET)）簡稱場效應(yīng)管 .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ,也稱為單極型晶體管 .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件 . 特點(diǎn) : 具有輸入電阻高（ 108～ 109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn) ,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者 . 作用 : 場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大 .由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很 高 ,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 . 場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān) . 場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 .常用于多級 放大器的輸入級作阻抗變換 . 場效應(yīng)管可以用作可變電阻 . 場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源 . : 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型 (MOS)兩大類 按溝道材料 :結(jié)型和絕緣柵型各分 N溝道和 P溝道兩種 . 按導(dǎo)電方式 :耗盡型與增強(qiáng)型 ,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型 ,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的 ,也有增強(qiáng)型的。 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和 MOS場效應(yīng)晶體管 ,而 MOS場效應(yīng)晶體管又分為 N溝耗盡型和增強(qiáng)型 。P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類 .見下圖 : : Idss — 飽和漏源電流 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ,柵極電壓 UGS=0時(shí)的漏源電流 . Up — 夾斷電壓 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓 . Ut — 開啟電壓 .是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中 ,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓 . gM — 跨導(dǎo) .是表示柵源電壓 UGS — 對漏極電流 ID的控制能力 ,即漏極電流 ID變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值 .gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù) . BVDS — 漏源擊穿電壓 .是指柵源電壓 UGS一定時(shí) ,場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓 .這是一項(xiàng)極限參數(shù) ,加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 BVDS. PDSM — 最大耗散功率 ,也是一項(xiàng)極限參數(shù) ,是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率 .使用時(shí) ,場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM并留有一定余量 . IDSM — 最大漏源電流 .是一項(xiàng)極限參數(shù) ,是指場效應(yīng)管正常工作時(shí) ,漏源間所允許通過的最大電流 .場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 IDSM : 判定柵極 G: 將萬用表撥至 R 1k檔 ,用萬用表的負(fù)極