led產(chǎn)品應(yīng)用中的光學(xué)和散熱問(wèn)題(編輯修改稿)
2025-03-06 15:37 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 v 提高倒裝焊?jìng)€(gè)焊點(diǎn)的均勻性；v防止芯片局部過(guò)熱芯片尺寸與散熱的關(guān)系 v 提高功率 LED的亮度最直接的方法是增大輸入功率，而為了防止有源層的飽和必須相應(yīng)地增大 pn結(jié)的尺寸；v 增大輸入功率必然使 結(jié)溫升高 ， 進(jìn)而使量子效率降低。單管功率的提高取決于器件將熱量從 pn結(jié)導(dǎo)出的能力；v 在保持現(xiàn)有芯片材料、結(jié)構(gòu)、封裝工藝、芯片上電流密度不變及等同的散熱條件下，單獨(dú)增加芯片的尺寸 , 結(jié)區(qū)溫度將不斷上升。 l Tj1： 采用一般銀導(dǎo)熱膠、鋁金屬熱沉；l Tj2 ：采用新導(dǎo)熱膠、銅金屬熱沉。 結(jié)溫 與芯片尺寸的關(guān)系影響芯片尺寸的主要因素 —— 熱阻l 倒裝焊更有利于散熱，但凸焊點(diǎn)的熱阻還需減小。l 導(dǎo)熱銀膠的熱阻有待改善。l 封裝材料方面，傳統(tǒng)的環(huán)氧膠高溫性能不佳。銀膠金屬熱沉凸焊點(diǎn)Si*功率芯片尺寸的增加受限于器件導(dǎo)熱能力**常規(guī)的工藝與材料，則芯片功率 1瓦較為合適***單個(gè)器件功率的增加將以縮短壽命為代價(jià)多個(gè) LED密集排列的照明系統(tǒng)l 器件耗散功率： 20wl 散熱面積： 330cm2l 底板溫度將達(dá) 83 176。C以上。 (環(huán)境溫度 25 176。C)l 芯片結(jié)溫將達(dá) 100 176。C216。120mm必須考慮更有效的散熱途徑滿(mǎn)足使用
外語(yǔ)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1