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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的智能溫度計(jì)設(shè)計(jì)報(bào)告(編輯修改稿)

2024-12-22 20:00 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 電話線進(jìn)行遠(yuǎn)距離編程。AT89C51是一種低功耗、高性能內(nèi)含4K字節(jié)閃電存儲(chǔ)器(Flash Memory)的8位CMOS微控制器。這種器件系以ATMEL高密度不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)制造,與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng)和引腳完全兼容。片內(nèi)閃電存儲(chǔ)器的程序代碼或數(shù)據(jù)可在線寫入,亦可通過常規(guī)的編程器編程。例如,MP100這樣一種經(jīng)濟(jì)型的編程器,它支持通用EPROM等各種存儲(chǔ)器、PAL、GAL以及INTEL、ATMEL和PHILIPS等各公司的全系列51單片機(jī)的編程。ME5103和ME5105仿真器支持AT89系列所有器件的調(diào)試、仿真和編程。AT89C51具有下列主要性能:.4KB可改編程序Flash存儲(chǔ)器.全靜態(tài)工作:0Hz~24MHz.三級(jí)程序存儲(chǔ)器保密.128 X 8字節(jié)內(nèi)部RAM.32條可編程I/O線.2個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器.6個(gè)中斷源.可編程串行通道.片內(nèi)時(shí)鐘振蕩器另外,AT89C51是用靜態(tài)邏輯來設(shè)計(jì)的,其工作頻率可下降到0 Hz,并提供兩種可用軟件來選擇的省電方式——空閑方式(Idle Mode)和掉電方式(Power Down Mode)。在空閑方式中,CPU停止工作,而RAM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、串行口和中斷系統(tǒng)都繼續(xù)工作。在掉電方式中,片內(nèi)振蕩器停止工作,由于時(shí)鐘被“凍結(jié)”,使一切功能都暫停,只保存片內(nèi)RAM中的內(nèi)容,直到下一次硬件復(fù)位為止。1)主電源引腳a)Vcc 電源端b)GND 接地端2)外接晶體引腳XTAL1和XTAL2a).XTAL1 接外部晶體的一個(gè)引腳。在單片機(jī)內(nèi)部,它是構(gòu)成片內(nèi)振蕩器的反相放大器的輸入端。當(dāng)采用外部振蕩器時(shí),該引腳接收振蕩器的信號(hào),既把此信號(hào)直接接到內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。b).XTAL2 接外部晶體的另一個(gè)引腳。在單片機(jī)內(nèi)部,它是上述振蕩器的反相放大器的輸出端。采用外部振蕩器時(shí),此引腳應(yīng)懸浮不連接。3).控制或與其它電源復(fù)用引腳RST、ALE//PROG、/PSEN和/EA/Vppa).RES 復(fù)位輸入端。 當(dāng)振蕩器運(yùn)行時(shí),在該引腳上出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期的高電平將使單片機(jī)復(fù)位。b).ALE//PROG 當(dāng)訪問外部存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。即使不訪問外部存儲(chǔ)器,ALE端仍以不變的頻率(此頻率為振蕩器頻率的1/6)周期性地出現(xiàn)正脈沖信號(hào)。因此,它可用作對(duì)外輸出的時(shí)鐘,或用于定時(shí)目的。然而要注意的是:每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將跳過一個(gè)ALE脈沖。在對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(/PROG)。如果需要的話,通過對(duì)專用寄存器(SFR)區(qū)中8EH單元的D0位置數(shù),可禁止ALE操作。該位置數(shù)后,只有在執(zhí)行一條MOVX或MOVC指令期間,ALE才會(huì)被激活。另外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),該設(shè)定禁止ALE位無效。c). /PSEN 程序存儲(chǔ)允許(/PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)。當(dāng)AT89C51/LV51由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或常數(shù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次/PSEN有效(既輸出2個(gè)脈沖)。但在此期間內(nèi),每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的/PSEN信號(hào)將不出現(xiàn)。d)./EA/Vpp 外部訪問允許端。要使CPU只訪問外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000H~FFFFH),則/EA端必須保持低電平(接到GND端)。然而要注意的是,如果保密位LB1被編程,復(fù)位時(shí)在內(nèi)部會(huì)鎖存/EA端的狀態(tài)。當(dāng)/EA端保持高電平(接Vcc端)時(shí),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的程序。在Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳也用于施加12V的編程允許電源Vpp(如果選用12V編程)。4)輸入/輸出引腳 ~ 、P10.~、~ ~a).P0端口(~ ) P0是一個(gè)8位漏極開路型雙向I/O端口。作為輸出口用時(shí),每位能以吸收電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL輸入,對(duì)端口寫1時(shí),又可作高阻抗輸入端用。在訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),它是分時(shí)多路轉(zhuǎn)換的地址(低8位)/數(shù)據(jù)總線,在訪問期間激活了內(nèi)部的上拉電阻。在Flash編程時(shí),P0端口接收指令字節(jié);而在驗(yàn)證程序時(shí),則輸出指令字節(jié)。驗(yàn)證時(shí),要求外接上拉電阻。b).P1端口(~ ) P1是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O端口。P1的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式)4個(gè)TTL輸入。對(duì)端口寫1時(shí),通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這時(shí)可用作輸入口。作輸入口時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流。在對(duì)Flash編程和程序驗(yàn)證時(shí),P1接收低8位地址。c).P2端口 (~) P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O端口。P2的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式)4個(gè)TTL輸入。對(duì)端口寫1時(shí),通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這時(shí)可用作輸入口。P2作輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流。在訪問外部程序存儲(chǔ)器和16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX @DPIR指令)時(shí),P2送出高8位地址。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX @RI指令)時(shí),P2口引腳上的內(nèi)容(就是專用寄存器(SFR)區(qū)中P2寄存器的內(nèi)容),在整個(gè)訪問期間不會(huì)改變。在對(duì)Flash編程和程序驗(yàn)證期間,P2也接收高位地址和一些控制信號(hào)。d).P3端口(~) P3 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O端口。P2的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式)4個(gè)TTL輸入。對(duì)端口寫1時(shí),通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這時(shí)可用作輸入口。P3作輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流。 在AT89C51中,P3端口還用于一些專門功能,這些兼用功能見表1表3—1 P3端口功能 端口引腳 兼 用 功 能 RXD (串行輸入口) TXD (串行輸出口) /INT0 (外部中斷0) /INT1 (外部中斷1) T0 ( 定時(shí)器0的外部輸入) T1 (定時(shí)器1的外部輸入) /WR (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通) /RD (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)5)Flash存儲(chǔ)器的編程和程序校驗(yàn):AT89C51單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)4K字節(jié)的Flash PEROM。這個(gè)Flash存儲(chǔ)陣列通常是處于已擦除狀態(tài)(既存儲(chǔ)單元的內(nèi)容為FFH),隨時(shí)可對(duì)它進(jìn)行編程。編程接口可接收高電壓(12V)或低電壓(Vcc)的允許編程信號(hào)。低電壓編程方式可很方便地對(duì)AT89C51內(nèi)的用戶系統(tǒng)進(jìn)行編程;而高電壓編程方式則可與通用的EPROM編程器兼容。AT89C51的程序存儲(chǔ)器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的,既每次寫入一個(gè)字節(jié)。要對(duì)片內(nèi)的PEROM程序存儲(chǔ)器寫入任何一個(gè)非空字節(jié),都必須用片擦除方式將整個(gè)存儲(chǔ)器的內(nèi)容清除。6) 對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程編程前,必須按照表2和圖5建立好地址、數(shù)據(jù)和相應(yīng)的控制信號(hào)。~(11位地址為0000H~0FFFH),數(shù)據(jù)從P0端口輸入。、。/PSEN應(yīng)保持低電平,而RST應(yīng)保持高電平。/EA/VPP是編程電源的輸入端,按要求加入編程電壓。ALE//PROG端輸入編程脈沖(應(yīng)為負(fù)脈沖信號(hào))。編程時(shí),采用4~20 MHz的振蕩器。對(duì)AT89C51編程的步驟如下:a)在地址線上輸入要編程單元的地址。b)在數(shù)據(jù)線上輸入要寫入的數(shù)據(jù)字節(jié)。c)激活相應(yīng)的控制信號(hào)。d)在采用高電壓編程方式時(shí),將/EA/VPP端的電壓加到12V。e)每對(duì)Flash存儲(chǔ)陣列寫入一個(gè)字
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