服務(wù)器基礎(chǔ)知識(shí)分享(編輯修改稿)
2025-02-17 16:12 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 dom Access Memory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。 SDRAM采用 ，帶寬 64位， SDRAM將 CPU與 RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使 RAM和 CPU能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高 50％。 SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng) CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問數(shù)據(jù)時(shí)，另一個(gè)就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。 SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。 SDRAM曾經(jīng)是長時(shí)間使用的主流內(nèi)存，從 430TX芯片組到 845芯片組都支持 SDRAM。但隨著 DDR SDRAM的普及， SDRAM也正在慢慢退出主流市場。常見 SDRAM內(nèi)存 SDRAM內(nèi)存插槽示意圖 United Information Technology Co., Ltd.經(jīng)驗(yàn)分享 服務(wù)器內(nèi)存? DDR是一種繼 SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù)， DDR英文原意為 “ DoubleDataRate” ，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為 “ 雙 ” ，也就意味著有 “ 單 ” ，我們?nèi)粘Ｋ褂玫?SDRAM都是 “ 單數(shù)據(jù)傳輸模式 ” ，這種內(nèi)存的特性是在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在一個(gè)方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作（讀或?qū)懀?，?DDR則引用了一種新的設(shè)計(jì)，其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中，在方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作，在方波的下降沿時(shí)也做一次操作，之所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中， DDR則可以完成 SDRAM兩個(gè)周期才能完成的任務(wù)，所以理論上同速率的 DDR內(nèi)存與 SDR內(nèi)存相比，性能要超出一倍，可以簡單理解為 100MHZ DDR=200MHZ SDR。DDR內(nèi)存采用 184線結(jié)構(gòu)， DDR內(nèi)存不向后兼容 SDRAMDDR內(nèi)存184針 DIMM插槽 United Information Technology Co., Ltd.經(jīng)驗(yàn)分享 服務(wù)器內(nèi)存? DDR2（ Double Data Rate 2） SDRAM是由 JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代 內(nèi)存 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代 DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升 /下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑?DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代 DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即： 4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說， DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以 4倍外部總線的速度讀 /寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線 4倍的速度運(yùn)行。 DDR2 內(nèi)存240針 DDR2 DIMM插槽 United Information Technology Co., Ltd.經(jīng)驗(yàn)分享 服務(wù)器內(nèi)存? 目前用的較多的服務(wù)器內(nèi)存主要是采用 ECC和 REGECC技術(shù)的。從外觀來說， ECC內(nèi)存因?yàn)橐獫M足效驗(yàn)糾錯(cuò)的需要，加入了一顆 ECC效驗(yàn)顆粒，由于采用的是 TOSP封裝，使得內(nèi)存看上去每面有9顆內(nèi)存顆粒。 REGECC內(nèi)存上面的芯片一般比普通主板多出 23個(gè)，主要是 PLL(PhaseLockedLoop)和 RegisterIC。 DDR2ECC內(nèi)存 DDR2ECCREG內(nèi)存1： SPD芯片 2： PLL芯片 3： RegisterIC芯片 4：內(nèi)存顆粒 SPD（ SERIAL PRESENCE DETECT） 模組存在的串行檢測。 SPD是一組關(guān)于內(nèi)存模組的配置信息，如 PBank數(shù)量、電壓、行地址 /列地址數(shù)量、位寬、各種主要操作時(shí)序（如 CL、 tRCD、 tRP、 tRAS等。 PLL (Phase Locked Loop) 瑣相環(huán)集成電路芯片，起到調(diào)整時(shí)鐘信號(hào)，保證內(nèi)存條之間的信號(hào)同步的作用。United Information Technology Co., Ltd.經(jīng)驗(yàn)分享 服務(wù)器內(nèi)存內(nèi)存技術(shù)? （ 1） ECCECC是一種廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域的計(jì)算機(jī)中的指令糾錯(cuò)技術(shù)， ECC的全稱是 “ErrorCheckingandCorrecting”，對(duì)應(yīng)的中文名稱就叫做 “錯(cuò)誤檢查和糾正 ”，從該名稱我們就可以看出它的主要功能就是 “發(fā)現(xiàn)并糾正錯(cuò)誤 ”，它比奇偶校正技術(shù)更先進(jìn)的方面主要在于它不僅能發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，而且能糾正這些錯(cuò)誤，這些錯(cuò)誤糾正之后計(jì)算機(jī)才能正確執(zhí)行下面的任務(wù)，確保服務(wù)器的正常運(yùn)行。很多時(shí)候聽到一些奸商說我們的服務(wù)器內(nèi)存是 ECC內(nèi)存，其實(shí) ECC并不是一種型號(hào)，而是將 ECC技術(shù)應(yīng)用到內(nèi)存中。 ECC內(nèi)存主要是從 SD內(nèi)存開始得到廣泛應(yīng)用? （ 2） ChipkillChipkill技術(shù)是 IBM公司為了解決目前服務(wù)器內(nèi)存中 ECC技術(shù)的不足而開發(fā)的，是一種新的 ECC內(nèi)存保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。 ECC內(nèi)存只能同時(shí)檢測和糾正單一比特錯(cuò)誤，但如果同時(shí)檢測出兩個(gè)以上比特的數(shù)據(jù)有錯(cuò)誤，則一般無能為力。由于目前使用的服務(wù)器其系統(tǒng)速度都很高，同時(shí)出現(xiàn)多比特錯(cuò)誤的現(xiàn)象很少發(fā)生，因此 ECC技術(shù)得到了充分地認(rèn)可和應(yīng)用，使得 ECC內(nèi)存技術(shù)成為幾乎所有服務(wù)器上的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。隨著基于 Intel處理器架構(gòu)的服務(wù)器的 CPU性能在以幾何級(jí)的倍數(shù)提高，而硬盤驅(qū)動(dòng)器的性能跟不上 CPU性能，因此服務(wù)器需要大量的內(nèi)存來臨時(shí)保存 CPU上需要讀取的數(shù)據(jù)，這樣大的數(shù)據(jù)訪問量就導(dǎo)致單一內(nèi)存芯片上每次訪問時(shí)通常要提供 4（ 32位）或 8（ 64位）比特以上的數(shù)據(jù)，一次性讀取這么多數(shù)據(jù)，出現(xiàn)多位數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的可能性會(huì)大大地提高，而 ECC又不能糾正雙比特以上的錯(cuò)誤，這樣就很可能造成全部比特?cái)?shù)據(jù)的丟失，系統(tǒng)就很快崩潰了。 IBM的Chipkill技術(shù)是利用內(nèi)存的子結(jié)構(gòu)方法來解決這一難題。即單一芯片，無論數(shù)據(jù)寬度是多少，只對(duì)于一個(gè)給定的 ECC識(shí)別碼，它
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