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正文內(nèi)容

太陽(yáng)能電池之探討與發(fā)展_schoolprojectreport(編輯修改稿)

2025-02-03 04:28 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 (2)業(yè)界而言,可先選購(gòu)已鍍上 ITO透明電極的基材,接著能夠以濕式 蝕刻製程來(lái)加工,而形成所需的電極圖案。 (3)製作 (加工 )過(guò)程較容易,多被廠商採(cǎi)用。 (4)成本較高 ? 二、 SnO2氧化錫 (SnO2, Tin Oxide)膜 (1)耐熱性佳、耐化學(xué)性佳、耐磨性佳 (2)成本較低 (3)對(duì)業(yè)界而言,若採(cǎi)用此 SnO2當(dāng)透明電極,則必須使用濺鍍法並配 合剝離法來(lái)製成所需的電極圖案。使得製程較困難。 傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池之改良方式 ? : 單一材料之非晶矽或單晶矽太陽(yáng)能電池,對(duì)陽(yáng)光光譜的反應(yīng)並非是全區(qū)域的,只對(duì)某一部分的波長(zhǎng)產(chǎn)生反應(yīng),使得太陽(yáng)能電池反應(yīng)效率降低,故針對(duì)不同波長(zhǎng)之光線的捕捉,開發(fā)出適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料,並將其多層堆積起來(lái),以捕捉全波段之波長(zhǎng),提高太陽(yáng)能電池發(fā)電效率。 ? : 將電極作成手指狀,可減少電阻的接觸面,增加入射光接收的面積。 傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池之改良方式 ? : 由於主要原料多晶矽的供應(yīng)不足,因此引發(fā)的矽晶圓價(jià)格的上漲越來(lái)越嚴(yán)重。目前主流的結(jié)晶矽太陽(yáng)能電池主要通過(guò) 厚 200~300mm的板狀多晶矽吸收陽(yáng)光來(lái)發(fā)電。而集光型球狀矽太陽(yáng)能電池則通過(guò) 直徑為 1mm的矽吸收陽(yáng)光來(lái)發(fā)電,通過(guò)與利用兼作電極的反射鏡進(jìn)行集光的技術(shù)結(jié)合,在確保與原來(lái)的結(jié)晶矽太陽(yáng)能電池具有同等性能的同時(shí),可將矽使用量削減至 1/5~ 1/7。這樣一來(lái),太陽(yáng)能電池模組的成本到 2023年便“可降至現(xiàn)有結(jié)晶矽太陽(yáng)能電池的 89%” 。 ? 集光型球狀矽太陽(yáng)能電池目前的轉(zhuǎn)換效率為 %,比原來(lái)的結(jié)晶矽太陽(yáng)能電池的 13%強(qiáng)略低。 新式太陽(yáng)能電池 (DSSC) ? ( DyeSensitized Solar Cell) McFarland等人提出的一多層結(jié)構(gòu),包括 染料 (汞紅 merbromin)- 金 (1050nm)- 二氧化鈦 (200nm)- 鈦 。在光照射下,汞紅吸收了光子後,電子被激發(fā)至比金-二氧化鈦界面所形成的蕭基能障 (Schottky barrier, ~)還高的能階;之後被半導(dǎo)體的內(nèi)電場(chǎng)加速而到達(dá)收集電流的金屬層。而之所以能有 高達(dá) 10%的被激發(fā)電子可以轉(zhuǎn)成光電流,關(guān)鍵在於被激發(fā)電子在金層中的平均自由徑約是 20~50nm,而金層亦只有 10~50nm厚,因此許多電子可順利穿過(guò)金層到達(dá)半導(dǎo)體層,而不發(fā)生碰撞失去能量。儘管內(nèi)光電轉(zhuǎn)換效率達(dá) 10%,但由於光子被汞紅吸收的比例低, 整體的轉(zhuǎn)換效率仍低於 1%。 新式太陽(yáng)能電池 (ETA) ? (Extr
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