ito薄膜簡介與產(chǎn)品介紹(編輯修改稿)
2025-02-02 02:08 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 active evaporation) – 藉著對被蒸鍍物體加熱 ， 利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓 ， 來進行薄膜沉積 。 在真空中通過電流加熱 、 電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法 ， 使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子 ， 它們隨即以較大的自由程作直線運動 ， 碰撞基片表面而凝結(jié) ，形成一層薄膜 。 ? 離子束濺鍍法 (Ion beam sputtering) ? 離子束助鍍法 (Ion beam assisted deposition) 10 ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹 琦 芯 科 技 股 份 有 限 公 司 ITO薄膜的結(jié)晶性 . 製程參數(shù) ? 製程溫度 – 對薄膜電阻 、 載子遷移率 、 載子濃度有密切之關(guān)聯(lián) 。 – 提高製程溫度時將使薄膜之結(jié)晶性得以提昇 ， 而具有結(jié)晶性的薄膜之可見光穿透度與導(dǎo)電特性有明顯助益 。 ? 氧分壓 – ITO薄膜之應(yīng)用原理是利用添加之錫及氧形成之空孔來決定載子濃度 。 另一方面 ， 氧空孔的形成會造成結(jié)晶學(xué)上之缺陷結(jié)構(gòu) ， 而使得載子之遷移率下降 。 – 在濺鍍過程中 ， 導(dǎo)入之氧分壓若增加 ， 會使得薄膜組織更接近化學(xué)計量比之組成 、 結(jié)晶之缺陷減少 、 載子之遷移率增加 、 載子之密度降低 ， 因此若要兼顧載子之遷移率及密度 ， 必須得到最佳氧分壓之製程參數(shù) 。 11 ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹 琦 芯 科 技 股 份 有 限 公 司 沉積具結(jié)晶型的 ITO薄膜 ? 高光學(xué)穿透度以及低電阻率 。 ? ITO薄膜的光穿透度與低電阻率和薄膜的結(jié)晶性息息相關(guān) 。 Light 入射 Light 穿透 ITO film Substrate 散射 反射 吸收 Electron carrier transport Electron scattering crystalline amorphous Substrate 12 ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹 琦 芯 科 技 股 份 有 限 公 司 ? 具結(jié)晶型的
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