非晶硅薄膜電池激光工藝介紹(編輯修改稿)
2025-01-24 19:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 使用高能量的激光進行清邊處理 電氣絕緣和滿足可靠性要求 按照需要的尺寸，刻劃需要的絕緣線保證非標準 產(chǎn)品的電性能參數(shù) 丌規(guī)則圖形絕緣掃邊（可看作 升級版） P6 得到不同線寬不同透光率的芯片 透光率 玻璃芯片激光打孔 點支式組 件 ?目的 ?加工方式 ?工藝選擇 ?檢測標準 ?異常處理 激光 —— P1 玻 璃透 明 導 電 層1 0 6 4 激 光側(cè) 視 圖俯 視 圖?目的 ?加工方式 ?工藝選擇 ?檢測標準 ?異常處理 激光 —— P2 玻 璃透 明 導 電 層 非 晶 硅5 3 2 n m 綠 激 光?目的 ?加工方式 ?工藝選擇 ?檢測標準 ?異常處理 激光 —— P3 c玻 璃導 電 層非 晶 硅 鋁 背 電 極5 3 2 n m 綠 激 光?目的 ?加工方式 ?工藝選擇 ?檢測標準 ?異常處理 激光 —— P4 ?目的 ?加工方式 ?工藝選擇 ?檢測標準 ?異常處理 激光 —— P5/異形 異形絕緣線 ?目的 ?加工方式 ?工藝選擇 ?檢測標準 ?異常處理 激光 —— P6 附件 —— 制程管控與檢驗 P1 與定位邊的距離 卡尺 激光線與定位邊距離 14mm177。 2pcs/2hours 抽檢 線徑 顯微鏡 30～ 50μm 光斑 顯微鏡 應均勻，切斷，光斑圓滑沒有毛刺，光斑不能異形或橢圓形 開路電阻 萬用表 用萬用表檢 20KΩ檔測每條激光線相鄰的兩導電膜塊，電阻值＞ 20KΩ 1次 /4hours 制程稽核 平行度、重合度校正 標準片 與標準片激光線平行度偏離177。 、重合度偏離177。 ,每班校正一次 1次 /4hours 制程稽核 圖紙檢查 目視 電池 芯片圖紙 與設(shè)計 要求 一致 1次 /4hours 制程稽核 激光機參數(shù)設(shè)定 儀表讀數(shù) 與標準 作業(yè)指導書工藝設(shè)定要求一致 1次 /4hours 制程稽核 打碼 位置尺寸 卡尺 與標準作業(yè)指導書要求相同 每次開箱 抽檢 外觀 目測 清洗可見、無任何臟污或其他不良 2pcs/2hours 圖紙檢查 目視 圖紙與設(shè)計 要求一致 5pcs/2hours 激光機參數(shù)設(shè)定 儀表讀數(shù) 與標準 作業(yè)指導書工藝設(shè)定要求一致 1次 /4hours 制程稽核 附件 —— 制程管控與檢驗 P2 與第一條激光線線距 顯微鏡 小于 100181。m（不包括腐蝕片） 。 腐蝕再生片的激光二要刻在原激光三的外邊 2pcs/2hour 抽檢 與第一條激光線不平行度 顯微鏡 小于 50181。m 線徑 顯微鏡 70181。m90181。m 光斑 顯微鏡 應均勻，切開，光斑均勻、圓滑沒有毛刺，光斑不能異形或橢圓形 傷 TCO 顯微鏡 傷 TCO直徑 ≤10181。m 硅應完全刻掉 放大鏡 /手電筒 透光，刻線上不能殘留硅 激光機參數(shù)設(shè)定 儀表讀數(shù) 與標準 作業(yè)指導書工藝設(shè)定要求一致 1次 /4hours 制程稽核 PVD 膜厚 萬用表 用萬用表 測量電池芯片背電極電阻，取背電極兩端中間長點電阻值，測試點距離＞1200mm,要求電阻 ≤6Ω。 4PCS/2hours 抽檢 附著力 高溫膠帶 用 30*60mm冷表膜附與背膜上，貼緊，垂直芯片方向迅速拉起冷表膜，如果背電極黏在冷表膜上，則表示存在脫模，反之則無脫模。 2PCS/2hours 外觀 目測 無異色點、劃傷、脫模臟污等外觀問題 。 4PCS/2hours 附件 —— 制程管控與檢驗 P4 掃邊區(qū)域 卡尺 四周邊掃邊區(qū)域 ~10mm 2pcs/2hours 抽檢 正負級寬度 卡尺 正極 6177。 1mm,負極 4177。 電阻 萬用表 用萬用表檢 200MΩ檔測掃邊區(qū)域，電阻值＞200MΩ/cm 外觀 目視 目視無明顯殘留物質(zhì)附著于表面，參照限度樣品 掃邊機參數(shù)設(shè)定 儀表讀數(shù) 與標準 作業(yè)
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