【文章內容簡介】 個極時，萬用表指示為低阻，則該極為基極，該管為 PNP。 基極確定后，比較 B與另外兩個極間的正向電阻，較大者為發(fā)射極 E，較小者為集電極 C。 場效應管 分類 二．場效應管的參數(shù) 主要參數(shù)： ? I DSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流。 ? UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。 ? UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。 ? gM — 跨導。是表示柵源電壓 U GS — 對漏極電流 I D的控制能力，即漏極電流 I D變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值。 gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。 ? BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應管上的工作電壓必須小于 BUDS。 ? PDSM — 最大耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于 PDSM并留有一定余量。 ? IDSM — 最大漏源電流。是一項極限參數(shù)，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過 IDSM 三．場效應管的作用 ? 場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 ? 場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。 ? 場效應管可以用作可變電阻。 ? 場效應管可以方便地用作恒流源。 ? 場效應管可以用作電子開關。 四．場效應管的測試 ? 結型場效應管的管腳識別：場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于 R 1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù) KΩ時，則這兩個管腳為漏極 D和源極 S（可互換），余下的一個管腳即為柵極 G。對于有 4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。 ? 判定柵極：用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于 N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。 ? 制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐姆。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞 。 ? 我國半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、 PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下： ? 第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。 2二極管、 3三極管。 ? 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：AN型鍺材料、 BP型鍺材料、 CN型硅材料、 DP型硅材料。表示三極管時：APNP型鍺材料、 BNPN型鍺材料、 CPNP型硅材料、 DNPN型硅材料。 ? 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。 P普通管、 V微波管、W穩(wěn)壓管、 C參量管、 Z整流管、 L整流堆、 S隧道管、 N阻尼管、 U光電器件、 K開關管、 X低頻小功率管 (F＜ 3MHz,Pc＜ 1W)、 G高頻小功率管（ f＞ 3MHz,Pc＜ 1W)、 D低頻大功率管（ f＜ 3MHz,Pc＞ 1W)、 A高頻大功率管（ f＞ 3MHz,Pc＞ 1W)、 T半導體晶閘管（可控整流器）、 Y體效應器件、B雪崩管、 J階躍恢復管、 CS場效應管、 BT半導體特殊器件、 FH復合管、PINPIN型管、 JG激光器件。 ? 第四部分：用數(shù)字表示序號 ? 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號 ? 例如： 3DG18表示 NPN型硅材料高頻三極管 集成電路 集成電路的分類及命名方法 ? 一．集成電路的分類： ? 按電路的性質：模擬集成電路和數(shù)字集成電路。 ? 按電路的集成規(guī)模： ? 小規(guī)模集成電路（ SSI） 小規(guī)模集成電路通常指含邏輯門個數(shù)小于 10 門 (或含元件數(shù)小于 100個 )的電路。 ? 中規(guī)模集成電路（ MSI） 中規(guī)模集成電路通常指含邏輯門數(shù)為 10門～ 99門 (或含元件數(shù) 100個～ 999個 )的電路。 ? 大規(guī)模集成電路（ Large Scale Integration， LSI） 大規(guī)模集成電路通常指含邏輯門數(shù)為 1000門～ 9999門 (或含元件數(shù)1000個～ 99999個 )的電路。 ? 超大規(guī)模集成電路（ Very Large Scale Integration， VLSI） 超大規(guī)模集成電路通常指含邏輯門數(shù)大于 10000 門 ( 集成電路的分類及命名方法 ? 按應用領域分： 軍品：在軍事、航空、航天等領域使用環(huán)境條件惡劣、裝置密度高，對集成電路的可靠性要求極高，產(chǎn)品價格退居次要地位。 民用品：在保證一定可靠性和性能指標前提下，性能價格比是產(chǎn)品能否成功的重要條件之一。顯然如果在普通電子產(chǎn)品中選用了軍品是達不到高性能價格比的。 工業(yè)品：則是介于二者之間的一種產(chǎn)品，但不是所有集成電路都有這三個品種的。 ? 按功能分：邏輯電路、微處理器、存儲器、接口電路、光電器件、音頻電路、視頻電路、線性電路。 ? 按集成電路控制造工藝分： 膜集成電路和半導體集成電路以及混合集成電路等幾種。 膜集成電路按照膜的厚度又可以分為厚膜電路和薄膜電路； 半導體集成電路是采用平面工藝制造的，目前大量使用的大多數(shù)集成電路都是半導體集成電路； 混合型集成電路采用的工藝可以是膜工藝、半導體平面工藝，甚至使用分立器件。這種集成電路性能較好，但是價格較高。 二．集成電路的命名 C X XX X X 中國制造 器件類型 器件系列和 工作溫度范圍 器件封裝符號 T： TTL； 品種代號 C：（ 070） ℃ ； W：陶瓷扁平； H： HTTL； （器件序號） E ：（ 40~85）℃ ； B：塑料扁平； E： ECL； R：（ 55~85）℃ ； F：全密封扁 平； C： CMOS； M：（ 55~125）℃ ； D：陶瓷雙列 直插； F：線性放大器； P：塑料雙列 直插； D：音響、電視電路； J：黑瓷雙理直插； W：穩(wěn)壓器； K：金屬菱形；