存儲設備_內(nèi)存(編輯修改稿)
2025-01-24 17:57 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 KING AND CORRECTING)是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存，但由于ECC內(nèi)存成本比較高，所以主要應用在要求系統(tǒng)運算可靠性比較高的商業(yè)計算機中。如服務器及圖形工作站上，這將使整個電腦系統(tǒng)在工作時更趨于安全穩(wěn)定。一般的家用與辦公計算機也不必采用 ECC內(nèi)存。 DRDRAM(DIRECT RAMBUS DRAM) ? DRDRAM (接口動態(tài)隨機存儲器 ) 是 現(xiàn) 代的主流內(nèi)存標準之一，由 RAMBUS 公司所設計發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結(jié)到一個共同的 BUS，這樣不但可以減少控制器的體積，而且可以增加資料傳送的效率，其引腳數(shù)僅為正常 DRAM的三分之一。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。 外觀對比 性能對比 SDRAM DDR DDR2 DDR3 針腳數(shù) （ Pin） 168Pin 184Pin 240Pin 204Pin 配合主板 845/865 915/925/945 AM3/P55/X58 工作電壓 （ V） 內(nèi)存容量 （ GB） 32/64/128 256/512 512/1G/2G 1G/2G/4G 工作頻率 （ MHz） 200/266/333/400 533/667/800/1066 1066/1333/1600 多通道 支持雙通道 支持雙通道 支持三通道 配合 CPU P4之前 P4 P4后 /閃龍后 奔騰雙核、酷睿、 速龍 羿龍 2 內(nèi)存的選購與維護 4 了解 內(nèi)存的性能指標 ?內(nèi)存是計算機系統(tǒng)的主要部件之一，其性能影響著所配置計算機系統(tǒng)的性能，接下來我們簡單介紹一下內(nèi)存主要的性能指標。 速度 ?內(nèi)存條的速度一般是指存取一次數(shù)據(jù)的時間 (單位一般用 NS)來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內(nèi)存速度只能達到 70NS～ 80NS，EDO內(nèi)存速度可達到 60NS，而 SDRAM內(nèi)存速度則已達到 7NS。 容量 ?內(nèi)存條容量大小有多種規(guī)格，早期的 30線內(nèi)存條有 256K、 1M、 4M、 8M多種容量， 72線的 EDO內(nèi)存則多為 4M、 8M、 16M，而 168線的 SDRAM內(nèi)存大多為 16M、 32M、 64M、 128MB和 512MB容量，甚至更高。 數(shù)據(jù)位寬度和帶寬 ?內(nèi)存的數(shù)據(jù)位寬度是指內(nèi)存在一個時鐘周期內(nèi)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以“ BIT”為單位；
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1