半導(dǎo)體器件可靠性與失效分析微電子(ppt52頁(yè))(編輯修改稿)
2025-01-17 06:13 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 :半導(dǎo)體工藝 (擴(kuò)散、氧化、外延等 ) 2. 膜集成電路 (基片：玻璃、陶瓷等絕緣體 ) 工藝：薄膜集成電路 真空蒸鍍 濺射 化學(xué)氣相沉積技術(shù) 厚膜集成電路 漿料噴涂在基片上 經(jīng)燒結(jié)而成 (絲網(wǎng)印刷技術(shù) ) 3. 混合集成電路 (Hybrid Integrated Circuit) 特點(diǎn)： 充分利用半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路各自的優(yōu)點(diǎn)，達(dá)到優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的目的． 工藝： 用膜工藝制作無(wú)源元件，用半導(dǎo)體 IC或晶體管制作有源器件． ? 三種集成電路的比較 : 混合 IC 膜 IC 半導(dǎo)體 IC 成本低 批量時(shí)成本下降 在批量時(shí)下降 可靠性好 可靠性好 可靠性最好 自由度大 自由度較大 自由度受限制 設(shè)計(jì)周期短 設(shè)計(jì)周期較短 設(shè)計(jì)周期長(zhǎng) 1?~1M ? 1?~10M ? 101?~101k ? 1~10?F ?F 50pF 10mH 100?H 不能實(shí)現(xiàn) 混合 IC 膜 IC 半導(dǎo)體 IC 無(wú)源元件精度：≥177。 10% 有源器件精度： 177。 10～ 20% 無(wú)源元件精度：≥177。 ５ % 有源器件精度： 177。 10～ 20% 無(wú)源元件精度：≥177。 20～ 30%差 有源器件精度： 177。 20~30%差 集成度較低 集成度較高 集成度最高 超高頻、大 (極低 )功率、高壓大電流、元件類型多的電路 含無(wú)源元件多、阻值范圍寬、精度高、跟蹤溫度系數(shù)好的模擬電路 有源器件多，數(shù)字電路，脈沖電路，標(biāo)準(zhǔn)化模擬電路 微電子封裝的分級(jí)： 零級(jí)封裝：通過(guò)互連技術(shù)將芯片焊區(qū)與各級(jí)封裝的焊區(qū)連接起來(lái)； 一級(jí)封裝 (器件級(jí)封裝 )：將一個(gè)或多個(gè) IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái)，并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合 (WB)、載帶自動(dòng)焊 (TAB)和倒裝焊 (FC)連接起來(lái)，使之成為有功能的器件或組件，包括單芯片組件 SCM和多芯片組件 MCM兩大類 二級(jí)封裝 (板極封裝 )：將一級(jí)微電子封裝產(chǎn)品和無(wú)源元件一同安裝到印制板或其他基板上，成為部件或整機(jī)。 三級(jí)封裝 (系統(tǒng)級(jí)封裝 )：將二極封裝產(chǎn)品通過(guò)選層、互連插座或柔性電路板與母板連接起來(lái)，形成三維立體封裝，構(gòu)成完整的整機(jī)系統(tǒng) (立體組裝技術(shù) ) 微電子的失效機(jī)理 /機(jī)械失效 ? 熱疲勞 熱疲勞失效主要是由于電源的閉合和斷開(kāi)引起
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