降壓斬波電路word版(編輯修改稿)
2025-09-18 04:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 模式原理圖圖 7 所示為電壓反饋控制模式原理圖，轉(zhuǎn)換器輸出電壓VOUT 的采樣信號 VFB 與基準電壓VREF比較，比較輸出信號經(jīng)反相器反向，D觸發(fā)器整形，然后和振蕩器與輸出控制開關(guān)管。當輸出電壓超出預(yù)定值，則反饋控制信號為低電平，低電平D 觸發(fā)輸出將振蕩器的脈沖信號與為 0，控制開關(guān)管持續(xù)關(guān)斷，從而降低出出端電壓。同理，當輸出端電壓低于預(yù)定值時，翻開控制信號使開關(guān)管持續(xù)不斷導(dǎo)通，從而增加輸出端電壓。這就是電壓反饋控制機理，只需要一個反饋信號 VFB，就可以實現(xiàn)整個電路的負反饋而維持輸出恒定。（3）PFM 控制模式PWM 調(diào)制方式是將脈沖寬度固定，通過改變開關(guān)頻率來調(diào)節(jié)占空比的。在電路設(shè)計上要用固定脈寬發(fā)生器來代替脈寬調(diào)制器中的鋸齒波發(fā)生器，并利用電壓/頻率轉(zhuǎn)換器(比如，壓控振蕩器 VCO)改變頻率。即通過負載端反饋信號與基準信號進行比較，輸出誤差信號對工作頻率進行調(diào)節(jié)，然后輸出恒寬變頻的方波信號去控制功率開關(guān)管。依據(jù)負載狀況實時調(diào)節(jié)開關(guān)管的導(dǎo)通時間，從而穩(wěn)定輸出電壓。其調(diào)制原理如圖8所示，工作波形如圖9所示?？偟恼f來，PFM控制方式是開關(guān)電源中使用已經(jīng)比較普遍，具有以下優(yōu)點:在負載較輕情況下效率很高，工作頻率高，頻率特性好，電壓調(diào)整率高，適用于電流或者電壓控制模式。同時，也存在以下缺點:負載調(diào)整范圍窄，濾波成本高。圖8 調(diào)制原理圖9工作波形（4）PSM控制模式PSM ( PulseSkippingModulation)調(diào)制方式是開關(guān)電源中一種新的控制方式，稱為脈沖跨周期調(diào)制。將負載端電壓反饋信號與基準電壓比較轉(zhuǎn)換為數(shù)字電平，在時鐘上升沿檢測該反饋信號電平?jīng)Q定是否在該時鐘周期內(nèi)工作，調(diào)節(jié)開關(guān)管的導(dǎo)通時間，從而穩(wěn)定輸出電壓 。其調(diào)制原理如圖 10 所示，工作波形如圖11 所示。當反饋采樣信號 Vfb 大于基準電壓 Vref時，比較器輸出低電平，然后經(jīng)過 D 觸發(fā)器的整形和同步，在時鐘的上升沿將振蕩器的脈沖信號跨過(與門的作用)，調(diào)節(jié)開關(guān)管關(guān)斷，從而降低輸出端電壓。當反饋采樣信號 VF13小于基準電壓 Vref時，比較器輸出高電平，然后經(jīng)過 D觸發(fā)器的整形和同步，在時鐘的上升沿將振蕩器的脈沖信號送出(與門的作用)，調(diào)節(jié)開關(guān)管持續(xù)導(dǎo)通與關(guān)斷，從而提高輸出端電壓。圖10 調(diào)制原理圖 圖11工作波形（1）脈沖產(chǎn)生電路工作原理：當接通電源以后，因為電容上的初始電壓為零，所以輸出為高電平，并開始經(jīng)電阻 R1 向電容C1充電。當充到輸入電壓為觸發(fā)器的正門限電壓時，輸出跳變?yōu)榈碗娖?，電容又?jīng)電阻 R2 開始放電。當放電至觸發(fā)器的負門限電壓時，輸出電位又跳變?yōu)楦唠娖?，電?C1 重新開始充電。如此周而復(fù)始，電路不停的振蕩。通過調(diào)節(jié)電阻，電容的值可以改變振蕩周期。同時可以改變 R1 和R2的比值來改變占空比。電路如下所示：圖12 電路圖圖13 波形圖（2）放大驅(qū)動電路采用達林頓管進行放大。（3）信號隔離采用光耦 TLP5211進行電器隔離。（1）過電壓保護所謂過電壓保護，即指流過IGBT兩端的電壓值超過IGBT在正常工作時所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過電壓。產(chǎn)生過電壓的原因一般由靜電感應(yīng)、雷擊或突然切斷電感回路電流時電磁感應(yīng)所引起。其中，對雷擊產(chǎn)生的過電壓，需在變壓器的初級側(cè)接上避雷器，以保護變壓器本身的安全；而對突然切斷電感回路電流時電磁感應(yīng)所引起的過電壓，一般發(fā)生在交流側(cè)、直流側(cè)和器件上，因而，下面介紹直流斬波電路主電路的過電壓保護方法。電路如下圖14所示： 圖 14 保護電路（2）過電流保護 所謂過電流保護，即指流過IGBT的電壓值超過IGBT在正常工作時所能承受的最大峰值Im都稱為過電流。這里采用圖15所示的電路 圖15 過電流保護（3）.IGBT的保護 a. 靜電保護
IGBT的輸入級為MOSFET，所以IGBT也存在靜電擊穿的問題。防靜電保護極為必要。在靜電較強的場合，MOSFET容易靜電擊穿，造成柵源短路。采用以下方法進行保護：應(yīng)存放在防靜電包裝袋、導(dǎo)電材料包裝袋或金屬容器中。取用器件時，應(yīng)拿器件管殼，而不要拿引線。工作臺和烙鐵都必須良好接地，焊接時電烙鐵功率應(yīng)不超過25W，最好使用12V～
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