材料科學(xué)基礎(chǔ)-第345次作業(yè)解答(編輯修改稿)
2025-09-13 14:21 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 因?yàn)榫w的宏觀塑性變形是通過(guò)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)時(shí)除了受到點(diǎn)陣阻力，還會(huì)受到其他位錯(cuò)的作用力，包括應(yīng)力場(chǎng)和交割。所以臨界分切應(yīng)力和位錯(cuò)密度的平方根成正比，純金屬的臨界分切應(yīng)力可表示為τc=τ0+αGbρ12當(dāng)位錯(cuò)密度很低時(shí)，晶體接近完美晶體，然后隨著位錯(cuò)密度增大，強(qiáng)度迅速下降。隨后，晶體中位錯(cuò)密度增大，導(dǎo)致臨界分切應(yīng)力增大，材料強(qiáng)度增加。,？解：由霍爾佩奇公式，合金屈服強(qiáng)度與晶粒直徑關(guān)系:σs=σ0+kd12 =σ0+k*112 196=σ0+k*∴σ0≈ k≈。σs=σ0+kd12=*≈，并求出他們的滑移面間距，滑移方向上的原子間距及點(diǎn)陣阻力。（已知GCu=，GaFe =，v=） 解：Cu為FCC結(jié)構(gòu)。易滑移的晶面為{111}，晶向110滑移面間距aCu=ah2+k2+l2=3a3滑移方向上的原子間距bCu=au2+v2+w2=2a2Cu點(diǎn)陣阻力τCu=2G1γexp2πa1γb=2****2a2=aFe為
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