【文章內容簡介】 23H— 002AH 串行中斷地址區(qū)。 可見以上的 40 個單元是專門用于存放中斷處理程序的地址單元，中斷響應后，按中斷的類型，自 動轉到各自的中斷區(qū)去執(zhí)行程序。 因此以上地址單元不能用于存放程序的其他內容，只能存放中斷服務程序。但是通常情況下，每段只有 8 個地址單元是不能存下完整的中斷服務程序的，因而一般也在中斷響應的地址區(qū)安放一條無條件轉移指令，指向程序存儲器的其它真正存放中斷服務程序的空間去執(zhí)行 ,這樣中斷響應后， CPU 讀到這條轉移指令，便轉向其他地方去繼續(xù)執(zhí)行中斷服務程序。 數(shù)據(jù)存儲器也稱為隨機存取數(shù)據(jù)存儲器。 MCS51 單片機的數(shù)據(jù)存儲器在物理上和邏輯上都分為兩個地址空間，一個是內部數(shù)據(jù)存儲區(qū)和一個外部數(shù)據(jù)存儲區(qū)。 MCS51 內部 RAM 有 128 或 256 個字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)存儲（不同的型號有分別），它們是用于存放執(zhí)行的中間結果和過程數(shù)據(jù)的。 MCS51 的數(shù)據(jù)存儲器均可讀寫，部分單元還可以位尋址。 8051 內部 RAM 共有 256 個單元，這 256 個單元共分為兩部分。其一是地址從 00H— 7FH 單元（共 128 個字節(jié)）為用戶數(shù)據(jù) RAM。從80H— FFH 地址單元（也是 128 個字節(jié)）為特殊寄存器（ SFR）單 元 。從圖 24 中可清楚地看出它們的結構分布 圖 24特殊寄存器 片外 RAM 一般由 靜態(tài) RAM 芯片組成。用戶可以根據(jù)需要確定擴展存儲器的容量， MCS51 單片機訪問片外 RAM 可用 1 個特殊功能寄存器 —— 數(shù)據(jù)指針寄存器 DPTR 尋址。由于 DPTR 為 16 位，可尋址的范圍為 0KB~64KB，因此，擴展片外 RAM 的最大容量是 64KB。 片外 RAM 的地址范圍為 0000H0FFFFH，其中在 0000H00FFH 區(qū)間與片內數(shù)據(jù)存儲器空間是重疊的。 CPU 使用 MOV 指令和 MOVX 指令加以區(qū)分。 特殊功能寄存器（ SFR）也稱為專用寄存器，特殊功能寄存器反映了 MCS51 單片機的運行狀態(tài)。很 多功能也通過特殊功能寄存器來定義和控制程序的執(zhí)行。 MCS51 有 21 個特殊功能寄存器，它們被離散地分布在內部 RAM的 80H— FFH 地址中，這些寄存的功能已作了專門的規(guī)定，用戶不能修改其結構。特殊功能寄存 器分布一覽表， 表 25特殊功能寄存器 特殊功能寄存器 標識符號 地址 寄存器名稱 ACC 0E0H 累加器 B 0F0H B 寄存器 PSW 0D0H 程序狀態(tài)字 SP 81H 堆棧指針 DPTR 82H、 83H 數(shù)據(jù)指針（ 16 位）含 DPL 和 DPH IE 0A8H 中斷允許控制寄存器 IP 0B8H 中斷優(yōu)先控制寄存器 P0 80H I/O 口 0 寄存器 P1 90H I/O 口 1 寄存器 P2 0A0H I/O 口 2 寄存器 P3 0B0H I/O 口 3 寄存器 PCON 87H 電源控制及波特率選擇寄存器 SCON 98H 串行口控制寄存器 SBUF 99H 串行數(shù)據(jù)緩沖寄存器 TCON 88H 定時控制寄存器 TMOD 89H 定時器方式選擇寄存器 TL0 8AH 定時器 0 低 8 位 TH0 8CH 定時器 0 高 8 位 TL1 8BH 定時器 1 低 8 位 TH1 8DH 定時器 1 高 8 位 （三） MCS51 單片機的引腳功能 HMOS 制造工藝的 MCS51 單片機都采用 40 引腳的直插封裝（ DIP方式），制造工藝為 CHMOS 的 80C51/80C31 芯片除采用 DIP 封裝方式外，還采用方型封裝工藝，引腳排列 如圖 26 圖 26MCS51 單片機的引腳排列 （ 1）主電源引腳 VCC 和 VSS VCC—— 為 +5V 電源端； VSS—— 為電壓接地端。 （ 2）外接晶體引腳 XTAL1 和 XTAL2 XTAL1（ 19 腳）接外部晶體的一個引腳。在單片機內部，它是一個反相放大器的輸入端，這個放大器構成了片內振蕩器。當采用外部振蕩 器時，對 HMOS 單片機，此引腳應接地；對 CHMOS 單片機，此引腳作為驅動端。 XTAL2（ 18 腳）接外晶體的另一端。在單片機內部，接至上述振蕩器的反相放大器的輸出端。采用外部振蕩器時，對 HMOS 單片機，該引腳接外部振蕩器的信號，即把外部振蕩器的信號直接接到內部時鐘發(fā)生器的輸入端；對 XHMOS，此引腳應懸浮。 （ 3）控制或與其它電源復用引腳 RST/VPD、 ALE/PROG、 PSEN 和 EA/VPP ① RST/VPD（ 9 腳）當振蕩器運行時，在此腳上出現(xiàn)兩個機器周期的高電平將使單片機復位。推薦在此引腳與 VSS 引 腳之間連接一個約 的下拉電阻，與 VCC 引腳之間連接一個約 10μ F 的電容，以保證可靠地復位。 VCC 掉電期間，此引腳可接上備用電源，以保證內部 RAM 的數(shù)據(jù)不丟失。當 VCC 主電源下掉到低于規(guī)定的電平，而 VPD 在其規(guī)定的電壓范圍（ 5177。 ）內， VPD 就向內部 RAM 提供備用電源。 ② ALE/PROG（ 30 腳）：當訪問外部存貯器時， ALE（允許地址鎖存）的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。即使不訪問外部存儲器， ALE端仍以不變的頻率周期性地出現(xiàn)正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此，它可用作對外輸出的時 鐘，或用于定時目的。然而要注意的是，每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，將跳過一個 ALE 脈沖。 ALE 端可以驅動（吸收或輸出電流） 8 個 LS 型的 TTL 輸入電路。 對于 EPROM 單片機（如 8751），在 EPROM 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖（ PROG）。 ③ PSEN（ 29 腳）：此腳的輸出是外部程序存儲器的讀選通信號。在從外部程序存儲器取指令（或常數(shù)）期間，每個機器周期兩次 PSEN有效。但在此期間，每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，這兩次有效的 PSEN信號將不出現(xiàn)。 PSEN 同樣可以驅動（吸收或輸出） 8 個 LS 型的 TTL輸入。 ④ EA/VPP（引腳）：當 EA 端保持高電平時，訪問內部程序存儲器， 但在 PC（程序計數(shù)器）值超過 0FFFH（對 851/8751/80C51）或 1FFFH（對 8052）時，將自動轉向執(zhí)行外部程序存儲器內的程序。當 EA 保持低電平時，則只訪問外部程序存儲器，不管是否有內部程序存儲器。對于常用的 8031 來說，無內部程序存儲器，所以 EA 腳必須常接地，這樣才能只選擇外部程序存儲器。 對于 EPROM 型的單片機（如 8751），在 EPROM 編程期間，此引腳也用于施加 21V 的編程電源（ VPP）。 （ 4）輸入 /輸出（ I/O）引 腳 P0、 P P P3（共 32 根） ① P0 口（ 39 腳至 32 腳）：是雙向 8 位三態(tài) I/O 口，在外接存儲器時，與地址總線的低 8 位及數(shù)據(jù)總線復用，能以吸收電流的方式驅動 8 個 LS 型的 TTL 負載。 ② P1 口（ 1 腳至 8 腳）：是準雙向 8 位 I/O 口。由于這種接口輸出沒有高阻狀態(tài)，輸入也不能鎖存，故不是真正的雙向 I/O 口。 P1口能驅動（吸收或輸出電流） 4 個 LS 型的 TTL 負載。對 805 8032， 引腳的第二功能為 T2 定時 /計數(shù)器的外部輸入， 引腳的第二功能為 T2EX 捕捉、重裝觸發(fā)，即 T2 的外部控制端。對 EPROM 編程和程序驗證時，它接收低 8 位地址。 ③ P2 口（ 21 腳至 28 腳）：是準雙向 8 位 I/O 口。在訪問外部存儲器時，它可以作為擴展電路高 8 位地址總線送出高 8 位地址。在對EPROM 編程和程序驗證期間，它接收高 8 位地址。 P2 可以驅動（吸收或輸出電流） 4 個 LS 型的 TTL 負載。 ④ P3 口（ 10 腳至 17 腳）：是準雙向 8 位 I/O 口，在 MCS5