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正文內(nèi)容

模擬電路第4章-半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)(編輯修改稿)

2024-09-11 22:38 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 。 ? H參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān),在放大區(qū)基本不變。 ? H參數(shù)都是微變參數(shù),所以只適合對(duì)交流信號(hào)的分析。 BJT的小信號(hào)建模 3. 模型的簡化 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe 即 rbe= hie ? = hfe ur= hre rce= 1/hoe 一般采用習(xí)慣符號(hào) 則 BJT的 H參數(shù)模型為 ? ib ic vce ib vbe Ur vce rbe rce ? ur很小,一般為 103?104 , ? rce很大, 約為 100k?。 故一般可忽略它們的影響,得到簡化電路 ? ? ib 是受控源 ,且為電流控制電流源 (CCCS)。 ? 電流方向與 ib的方向是關(guān)聯(lián)的。 BJT的小信號(hào)建模 4. H參數(shù)的確定 ? ? 一般用測(cè)試儀測(cè)出; ? rbe 與 Q點(diǎn)有關(guān),可用圖示儀測(cè)出。 一般也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ ? ) re 其中對(duì)于低頻小功率管 rb≈200? 則 )mA()mV(26)1(200EQbe Ir ?????)mA()mV()mA()mV(EQEQTe IIVr 26??而 (T=300K) ( 思考題 ) 簡化的 h參數(shù)等效電路-交流等效模型 EQTb b 39。eb39。b b 39。bbebe )1( IUrrrIUr ???????查閱手冊(cè) 基區(qū)體電阻 發(fā)射結(jié)電阻 發(fā)射區(qū)體電阻數(shù)值小可忽略 利用 PN結(jié)的電流方程可求得 由 IEQ算出 在輸入特性曲線上, Q點(diǎn)越高, rbe越??! 2. 用 H參數(shù)小信號(hào)模型分析共 射極基本放大電路 共射極放大電路 1. 利用直流通路求 Q點(diǎn) bBECCB RVVI ??一般硅管 VBE=,鍺管 VBE=, ? 已知 。 BC IβI ??cCCCCE RIVV ??bI?cI?bI?2. 畫出小信號(hào)等效電路 Rb vi iV?OV?Rc 小信號(hào)模型分析 共射極放大電路 ic vce + 交流通路 RL H參數(shù)小信號(hào)等效電路 3. 求電壓增益 根據(jù) Rb vi Rc RL iV?bI?cI?OV?bI?bebi rIV ?? ?? bc II ?? ?? ?)//( LccO RRIV ??? ??則電壓增益為 beLcbebLcbbebLcciO)//()//()//(rRRrIRRIrIRRIVVAV?????????????????????????? 小信號(hào)模型分析 (可作為公式) 4. 求輸入電阻 小信號(hào)模型分析 Rb Rc RL iV?bI?cI?OV?bI?Ri iI?bebiii // rRIVR ????5. 求輸出電阻 Ro 令 0i ?V? 0b ?I? 0b ?? I??Ro = Rc 所以 1. 電路如圖所示。 試畫出其小信號(hào)等效模型電路。 VCCRcRLReRb2Rb1Cb2Cb1+vo+vi++ceb bI? bI?? r be e b c R e iI? iV ? Rb2 + R b1 R c oV ? R L + 例題 5 NPN型管和 PNP型管的微變等效電路相同,它們的區(qū)別只是在這兩種三極管中,其直流電壓和電流的實(shí)際方向相反。 (a) 畫出小信號(hào)模型圖 (c) 畫出小信號(hào)模型圖 (d) 畫出小信號(hào)模型圖 解 ( 1)求 Q點(diǎn),作直流通路 直流通路 + VRIVVmAIβIuAKRVVI424124)40(1 0 0403 0 0)(12cCCCCEBCbBECCB?????????????????????? 如圖 , 已知 BJT 的 β =100, VBE=。 ( 1) 試求該電路的靜態(tài)工作點(diǎn); ( 2) 畫出簡化的小信號(hào)等效電路; ( 3) 求該電路的電壓增益 AV, 輸出電阻 Ro、 輸入電阻 Ri。 例題 6 2. 畫出小信號(hào)等效電路 Rb vi Rc RL iV?bI?cI?OV?bI?3. 求電壓增益 )mA( )mV(26)1(200EQbe Ir ?????= 200+( 1+100) 26/4 =865歐 )//()//()//(beLcbebLcbbebLcciO???????????????????rRRrIRRIrIRRIVVAV?????????4. 求輸入電阻 ????865// bebiii rRIVR ??5. 求輸出電阻 Ro = Rc = 2K Vo t 底部失真即截止失真 基極電流太小,應(yīng)減小基極電阻。 Rb vi Rc RL iV?bI?cI?OV?bI?Vs t 例題 7 解: ( 1) 4Vk4mA212cCCCCE ??????? RIVVmA2uA4050BC ???? IβIuA40k3 0 0 V12bCCbBECCB ??????RVRVVIioV VVA????soVS VVA????放大電路如圖所示 ,已知 ?=50。試求: ( 1) Q點(diǎn); oi RR 、( 2) 放大電路如圖所示 。試求:( )??????????863)mA()mV(26)1(200)mA()mV(26)1(200CEbeIIr??)(500863863VsiiVS????????? ARRRA ?? 15)//(beLcioV ??????rRRVVA ????k4co ?? RR???? 863// bebebi rrRR( 2) 圖示電路中,已知晶體管的 ? = 100, rbe=1kΩ 。 ( 1)現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降 UCEQ= 6V,估算 Rb約為多少千歐 ; iU? oU?( 2)若測(cè)得 和 的有效值分別為 1mV和 100mV, 解:( 1)求解 Rb ( 2)求解 RL: ???? k565BQBE QCCb IUVRμA20CQBQ ?? ?IImA2cC E QCCCQ ???RUVI???? 111 LLcRRR 100io ????UUAu? be39。LrRAu???? ?? k139。LR例題 8 則負(fù)載電阻 RL為多少千歐? 在上題圖示電路中,設(shè)靜態(tài)時(shí) ICQ= 2mA,晶體管飽和管壓降 UCES= 。試問:當(dāng)負(fù)載電阻 RL= ∞ 和 RL= 3kΩ 時(shí)電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏? C E SC E Qom ??? UUU ??? LRIU空載時(shí), 解:由于 ICQ= 2mA,所以 故,當(dāng)輸入信號(hào)增大到一定幅值, 電路首先出現(xiàn) 截止失真。 例題 9 故,輸入信號(hào)增大到一定幅值,電路首先出現(xiàn) 飽和失真。 )( C E SC E Q UU ? )( CE QUV CC ?< )]//([ LCCQ RRI)( C E SC E Q UU ? > ?? k3LR 時(shí), UCEQ= VCC- ICQRc= 6V。 斜率 1 R c 斜率 1 R c // R L Q V C EQ I CQ I BQ R c V CC V CC v CE i C V C ES )//( LCCQ RRI 放大電路的工作點(diǎn)穩(wěn)定問題 ? 溫度變化對(duì) ICBO的影響 ? 溫度變化對(duì)輸入特性曲線的影響 ? 溫度變化對(duì) ? 的影響 ? 穩(wěn)定工作點(diǎn)原理 ? 放大電路指標(biāo)分析 ? 固定偏流電路與射極偏置電路的比較 溫度對(duì)工作點(diǎn)的影響 射極偏置電路 Qv CE /Vi C / mAi B =0I BQ 1 溫度對(duì)工作點(diǎn)的影響 1. 溫度變化對(duì) ICBO的影響 2. 溫度變化對(duì)輸入特性曲線的影響 溫度 T ? ? 輸出特性曲線上移 )()C25C B O (C B O 00TTkT eII ??? ??)( 30)C25B E (BE 0 ??? ????? TTVV T溫度 T ? ? 輸入特性曲線左移 3. 溫度變化對(duì) ? 的影響 溫度每升高 1 176。 C , ? 要增加 %?% 溫度 T ? ? 輸出特性曲線族間距增大 Qv CE /Vi C / mAi B =0I BQ 1總之: ICBO ? ? ICEO ? T ? ? VBE ? 、 IB ? ? IC ? ? ? 射極偏置電路 1. 穩(wěn)定工作點(diǎn)原理 目標(biāo):溫度變化時(shí),使 IC維持恒定。 如果溫度變化時(shí), b點(diǎn)電位能基本不變 ,則可實(shí)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定。 T ? 穩(wěn)定原理: ? IC? ? IE? IC? ? VE?、 VB不變 ? VBE ? ? IB? (反饋控制) b點(diǎn)電位基本不變的條件: I1 IB , CCb2b1b2B VRRRV ???此時(shí), 不隨溫度變化而變化。 VB VBE 且 Re可取 大些,反饋控制作用更強(qiáng)。 一般取 I1 =(5~10)IB , VB =(3~5) VBE 射極偏置電路 2. 放大電路指標(biāo)分析 ① 靜態(tài)工作點(diǎn) CCb2b1b2B VRRRV ???eBEBEC RVVII ???)( ecCCCeEcCCCCE RRIVRIRIVV ???????CBII ?ebeLcebebLcbioV )1()//(])1([)//(RrRRRrIRRIVVA???????????????????? 射極偏置電路 2. 放大電路指標(biāo)分析 ② 電壓增益 輸出回路: 輸入回路: 電壓增益: A畫小信號(hào)等效電路 B確定模型參數(shù) ?已知,求 rbe )mA()mV(26)1(200EQbe Ir ?????C增益 )//( Lcbo RRIV ?? ??? ?ebbebeebebi )1( RIrIRIrIV ?????? ????? 射極偏置電路 2. 放大電路指標(biāo)分析 ③ 輸入電阻 ])1(/ / [// ebeb2b1TTi RrRRIVR ???????bRT b III ??? ??ebbebeebebT )1( RIrIRIrIV ?????? ?????)//( b2b1RT b RRIV ?? ?根據(jù)定義 由電路列出方程 則輸入電阻 放大電路的輸入電阻不包含信號(hào)源的內(nèi)阻 TTi IVR??? 射極偏置電路 2. 放大電路指標(biāo)分析 ④ 輸出電阻 輸出電阻 oco // RRR ??求輸出電阻的等效電路 ?網(wǎng)絡(luò)內(nèi)獨(dú)立源置零 ?負(fù)載
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