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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)論文—pwm芯片電路設(shè)計(jì)及在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用(編輯修改稿)

2024-09-07 12:20 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 直接決定整個(gè)系統(tǒng)的精度。內(nèi)部穩(wěn)壓源電路提供穩(wěn)定的偏置電壓或作為基準(zhǔn)電壓。一般要求這些電壓源的直流輸出電平較穩(wěn)定,而且這個(gè)直流電平應(yīng)該對(duì)電源電壓和溫度不敏感。由于基準(zhǔn)源的精度與溫度有關(guān),提高精度必須降低溫度系數(shù)。帶隙基準(zhǔn)可以再0—70℃的溫度范圍內(nèi)有10ppm/℃的溫度。圖32給出了帶隙基準(zhǔn)的原理?!娴膒n節(jié)二極管產(chǎn)生電壓。同時(shí)也產(chǎn)生一個(gè)熱電壓,其與絕對(duì)溫度成正比,室溫下的溫度系數(shù)為+℃。如果電壓乘以常數(shù)K加上電壓,則輸出電壓為: (31)雙極性晶體管中的集電極電流密度的關(guān)系: (32)其中:=集電極電流密度=基區(qū)電子平衡濃度=電子的平均擴(kuò)散常數(shù)平衡濃度: (33)其中: (34)D是與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù),時(shí)帶隙電()得到下面集電極電流密度的方程式: (35)在上式中,與溫度不相關(guān)的常數(shù)合并成單一的常數(shù)A。由于Dn依賴于溫度,溫度系數(shù)r稍微偏離3。因此的關(guān)系式為: (36)與溫度的關(guān)系為: (37)300K時(shí),℃。提供負(fù)溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。提供溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。 (38) (39)為了在T0時(shí)達(dá)到零溫度系數(shù),和的變量加起來(lái)必須為0圖32 帶隙基準(zhǔn)電路圖 普通可調(diào)直流基準(zhǔn)源TL431的介紹—36V可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器。它屬于一種具有電流輸出能力的可調(diào)基準(zhǔn)電壓源。其性能優(yōu)良,價(jià)格低廉,可廣泛用于單片精密開(kāi)關(guān)電源或精密線性穩(wěn)壓電源中。陰極工作電壓VKA的允許范圍是2.50~36V,極限值為37V。陰極工作電流IKA=l~100mATL431主要包括4部分:①誤差放大器A,其同相輸入端接取樣電壓VREF,反相輸入端則接內(nèi)部2.50V基準(zhǔn)電壓Vref,并且設(shè)計(jì)的VREF=VRRef;②內(nèi)部2.50V(準(zhǔn)確值為2.495V)基準(zhǔn)電壓源Vref;③NPN型晶體管VT,在電路中起調(diào)節(jié)負(fù)載電流的作用;④保護(hù)二極管VD,能防止因K—A間電源極性接反而損壞芯片。其內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如圖33所示。圖33 TL431內(nèi)部原理電路TL431的電路圖形符號(hào)和基本接線如圖34所示。圖34 TL431的電路圖形符號(hào)和基本接線如圖它相當(dāng)于一只可調(diào)齊納穩(wěn)壓管,輸出電壓由外部精密電阻R1和R2來(lái)設(shè)定,有公式: (310)圖中R3是IKA的限流電阻。選取R3阻值的原則是,當(dāng)輸入電壓Vi為最小值時(shí)必須保證100mA≥IKA≥1mA,以便使TL431能正常工作。TL431的穩(wěn)壓原理可分析如下:當(dāng)由于某種原因致使Vo升高時(shí),取樣電壓vref也隨之升高,使VREFVref,比較器輸出高電平,令VT導(dǎo)通,Vo↓。反之,Vo下降→VREFVref→比較器再次翻轉(zhuǎn),輸出變成低電平→VT截止→Vo上升。這樣循環(huán)下去,從動(dòng)態(tài)平衡的角度來(lái)看,就迫使V。趨于穩(wěn)定,達(dá)到了穩(wěn)壓目的,并VREF=Vref。芯片TL431主要是在開(kāi)關(guān)電源芯片中作的直流穩(wěn)壓基準(zhǔn)為內(nèi)部一些器件提供基準(zhǔn)電源。在芯片電路中,,。則TL431的電阻比例計(jì)算并設(shè)置如下:據(jù)公式315且在電路中VREF=,:R1/R2=62/25,在內(nèi)部電路圖中體現(xiàn)為R1=62,R2=25:R1/R2=11/25,在內(nèi)部電路圖中體現(xiàn)為R1=11,R2=253V:R1/R2=1/5,在內(nèi)部電路圖中體現(xiàn)為R1=10,R2=50:,因此在電路圖中先將R1處短路,再進(jìn)行電阻分壓,此時(shí)的外接電阻為R3和R4,輸出電壓從R3處引出,則電阻設(shè)置為R3=3,R4=7。 電壓調(diào)節(jié)器電壓調(diào)節(jié)器是一種被廣泛使用的器件,其輸入是不穩(wěn)定的直流電壓,輸出可作為其他電路的供電電壓。依靠這種方式,電壓源的波動(dòng)可從本質(zhì)上被消除,其結(jié)果通常提高由此類電源驅(qū)動(dòng)的電路的性能。圖35是電壓調(diào)節(jié)器的原理圖。穩(wěn)定電壓VR由帶隙基準(zhǔn)源產(chǎn)生。穩(wěn)定電壓加在高增益放大器的非倒相輸入端,并與由電阻R1和R2采樣的輸出電壓比較。這是一個(gè)串聯(lián)—并聯(lián)反饋結(jié)構(gòu),對(duì)大環(huán)路增益,有 (311)改變R1/R2的比例可以改變輸出電壓。圖35所示的放大器為高性能放大器。特別重要的性能是低漂移和低失調(diào),它們能使輸出電壓盡可能的穩(wěn)定。串聯(lián)—并聯(lián)反饋電路使電壓調(diào)節(jié)器有較高的輸入阻抗,減小了負(fù)載效應(yīng)。電壓調(diào)節(jié)器要求輸出阻抗較小。圖35 電壓調(diào)節(jié)器 振蕩器 振蕩器原理振蕩器部分需要產(chǎn)生一個(gè)設(shè)定開(kāi)關(guān)頻率的時(shí)鐘信號(hào)。本設(shè)計(jì)選定了外接RC的振蕩器形式,電路如圖36所示。圖36 振蕩器時(shí)鐘信號(hào)電路用一個(gè)電阻Rt通過(guò)Vref給電容充電,用兩個(gè)比較器把電容上的電壓和兩個(gè)參考電壓相比較。用一個(gè)電流源連在電容上起放電開(kāi)關(guān)的作用。,電容通過(guò)電流源放電。,MOS管關(guān)斷,電流源不起作用,電容繼續(xù)被Vref充電。電流源放電電流很大,放電時(shí)間相對(duì)于一個(gè)時(shí)鐘周期是非常短的。RS觸發(fā)器的輸出就是時(shí)鐘信號(hào),時(shí)鐘周期約等于充電時(shí)間而電容電壓計(jì)算可得充電時(shí)間約為。電容的放電時(shí)間必須足夠短,才能達(dá)到最大的占空比。該設(shè)計(jì)中最大占空比要達(dá)到99%,因此放電時(shí)間必須低于一個(gè)時(shí)鐘周期的1%。 振蕩器電路RS觸發(fā)器的電路圖如圖37所示,當(dāng)R輸入電壓為5V時(shí),輸出跳變到低電平;同理,當(dāng)S輸入電壓為5V時(shí),輸出跳變到高電平。NPNP2兩個(gè)反相器組成的正反饋電路起到鎖定、穩(wěn)定信號(hào)的作用,帶有毛刺、不太穩(wěn)定的經(jīng)我們?cè)谳敵龆诉€需添置一個(gè)反相器,從而保證輸入輸出邏輯的正確性。圖37 RS觸發(fā)器電路圖比較器1的電路圖如圖38所示。因此采用PMOS差分對(duì)的輸入級(jí)。因?yàn)檎袷幤鞣烹姇r(shí)下降速度比較快,所以比較器1的延時(shí)需要盡量小。輸出用推挽結(jié)構(gòu)。在輸出端,可吸入和供出的電流式偏置電流的8倍,增大了擺率。圖38 比較器1電路圖比較器2的電路圖如圖39所示,其共模輸入電壓是3V,因此采用NMOS差分對(duì)作輸入級(jí)圖39 比較器2電路圖放電電流源的電路圖如圖310所示,使用PTAR電流源,經(jīng)過(guò)兩路放大,得到大電流放電。 (312)圖310 放電電流源電路圖 電壓誤差放大器。這是一個(gè)經(jīng)典的運(yùn)算放大器。如圖311所示,電壓誤差放大器由運(yùn)算跨導(dǎo)放大器和輸出極組成。運(yùn)算跨導(dǎo)放大器是無(wú)輸出緩沖極的運(yùn)算放大器。除輸入和輸出節(jié)點(diǎn)外,此放大器的其余所有節(jié)點(diǎn)都是低租節(jié)點(diǎn)。Q1和Q2是對(duì)稱的NPN管作為輸入差分對(duì),M2和M1是對(duì)稱的PMOS晶體管。PMOS晶體管MM2的小信號(hào)電流由下式給出: (313)M3與M1對(duì)稱,M2與M4對(duì)稱,所以: (314)運(yùn)算跨導(dǎo)放大器的輸出電壓為: (315)M6和M8形成共源共柵結(jié)構(gòu)提高輸出電阻。輸出極采用乙類輸出極。在電路中,共發(fā)射極晶體管Q3在負(fù)半周期將功率傳輸給負(fù)載,而射極跟隨器Q4在正半周期傳輸功率。當(dāng)運(yùn)算跨導(dǎo)放大器的輸出小于時(shí),Q3截止,二極管D1截止,M9的漏極電流都傳送到Q4的基極,輸出電壓最大值。為了達(dá)到最大值,晶體管M9漏極電流必須大于晶體管Q4的基極電流。Q2處于放大區(qū),因?yàn)镼2的集電極接的是電源電壓,而基極電壓不
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