【總結(jié)】·110·第2章半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源習題2,,測得,試問二極管VD是否良好(設外電路無虛焊)?解:內(nèi)部PN結(jié)或電極已開路,D已損壞。,,試分別估算開關斷開和閉合時輸出電壓的數(shù)值。解:S斷開:斷開VD,。所以VD
2025-07-25 12:13
【總結(jié)】1習題解答第二章23456789101112131415161718192021
2024-10-18 15:39
【總結(jié)】1習題解答第六章234567891011121314
2024-10-19 19:39
【總結(jié)】習題,并說明電路實現(xiàn)哪種邏輯門的功能。解:該電路實現(xiàn)異或門的功能,寫出輸出函數(shù)F。BA=1=1=1F解:、B的波形,試畫出相應的輸出波形F,不計門的延遲.FBAFAB&&&&&
2025-03-25 02:54
2025-08-06 03:29
【總結(jié)】第三章題解-1第三章多級放大電路自測題一、判斷下列說法是否正確,凡對的在括號內(nèi)打“√”,否則打“×”。(1)現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為-100,將它們連成兩級放大電路,其電壓放大倍數(shù)應為10000。()(2)阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立,()它只能放
2024-11-17 10:09
【總結(jié)】第4章場效應管放大電路與功率放大電路,請分別說明場效應管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓(或夾斷電壓)約是多少。解:(a)N溝道耗盡型FETUP=-3V;(b)P溝道增強型FETUT=-4V;(c)P溝道耗盡型FETUP=2V。某MOSFET的IDSS=10mA且UP=-8V。(1)此元件是P溝道還是N溝道?(2)計算
【總結(jié)】習題寫出圖所示電路的邏輯表達式,并說明電路實現(xiàn)哪種邏輯門的功能。習題圖解:BABABABABAF??????該電路實現(xiàn)異或門的功能分析圖所示電路,寫出輸出函數(shù)F。習題圖解:??BABBBAF??????)(已知圖
2024-10-24 09:53
【總結(jié)】第1章習題1-1判斷題1.電荷的定向移動形成電流。(√)2.直流電路中,電流總是從高電位流向低電位。(√)3.電阻的體積越大,其額定的耗散功率越大。(√)4.電阻的額定功率越大,它消耗的電能就越大。(×)5.電阻串聯(lián)時,各電阻上消耗的功率與其電阻的阻值成反比。(×)6.電流表必須串
2025-03-25 06:17
【總結(jié)】1習題解答第三章23456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839
【總結(jié)】1習題解答第四章234567891011121314151617181920
【總結(jié)】1習題解答第七章23456789
【總結(jié)】第六章圖P6-1所示,RC橋式振蕩電路中,已知頻率為500Hz,C=,RF為負溫度系數(shù)、20kΩ的熱敏電阻,試求R和R1的大小。解:由于工作頻率為500Hz,所以可選用集成運放LM741。因提供的熱敏電阻為負溫度系數(shù),故該電阻應接于RF的位置。為了保證起振,要求,現(xiàn)取。根據(jù)已知fo及C,可求得可取金屬膜電阻?!。遥脴蚴秸袷庪娐?/span>
2025-03-25 04:56
【總結(jié)】1習題解答第一章234567891011121314151617【題1-9】18192021222324252627282930
2024-10-19 19:40
【總結(jié)】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3
2024-10-25 19:21