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正文內(nèi)容

led的外延片生長技術介紹(編輯修改稿)

2025-09-06 09:28 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 設備具有腐蝕性,影響GaN材料純度的進一步提高?!   〔捎眠@種技術可以進一步減少位元錯密度,改善GaN外延片層的晶體品質。首先在合適的襯底上(藍寶石或碳化硅)沉積一層GaN,再在其上沉積一層多晶態(tài)的SiO掩膜層,然后利用光刻和刻蝕技術,形成GaN視窗和掩膜層條。在隨后的生長過程中,外延片GaN首先在GaN視窗上生長,然后再橫向生長于SiO條上?! ?Pendeoepitaxy)  采用這種方法可以大大減少由于襯底和外延片層之間晶格失配和熱失配引發(fā)的外延片層中大量的晶格缺陷,從而進一步提高GaN外延片層的晶體品質。首先在合
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