freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

led的外延片生長技術(shù)介紹(編輯修改稿)

2025-09-06 09:28 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 設(shè)備具有腐蝕性,影響GaN材料純度的進(jìn)一步提高?!   〔捎眠@種技術(shù)可以進(jìn)一步減少位元錯(cuò)密度,改善GaN外延片層的晶體品質(zhì)。首先在合適的襯底上(藍(lán)寶石或碳化硅)沉積一層GaN,再在其上沉積一層多晶態(tài)的SiO掩膜層,然后利用光刻和刻蝕技術(shù),形成GaN視窗和掩膜層條。在隨后的生長過程中,外延片GaN首先在GaN視窗上生長,然后再橫向生長于SiO條上。  (Pendeoepitaxy)  采用這種方法可以大大減少由于襯底和外延片層之間晶格失配和熱失配引發(fā)的外延片層中大量的晶格缺陷,從而進(jìn)一步提高GaN外延片層的晶體品質(zhì)。首先在合
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
醫(yī)療健康相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖片鄂ICP備17016276號(hào)-1