工程材料—金屬材料的結(jié)構(gòu)與組織(編輯修改稿)
2024-09-01 06:12 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 4）互質(zhì)化：加括號(hào)，記為（ h k l） 2）晶面指數(shù) (112) (111) (110) (001) ?不能將坐標(biāo)原點(diǎn)選在待定的晶面上； ?若晶面與坐標(biāo)軸平行，則截距為無窮大； ?若有負(fù)號(hào)，表示在數(shù)字上方。 (111) ? (hkl)與 [uvw]分別表示的是 一組平行的晶向和晶面 。 ? 指數(shù)雖然不同，但原子排列完全相同的晶向和晶面稱作 晶向族 或 晶面族 。 分別用 uvw和 {hkl}表示。 3）晶面族與晶向族 說明： ① 在立方晶系中，指數(shù)相同的晶面與晶向相互垂直。 ② 遇到負(fù)指數(shù)，“ ”號(hào)放在該指數(shù)的上方。 ③ 晶向具有方向性，如 [110]與 [110]方向相反。 X Z Y (221) [221] [110] [110] 3）晶面族與晶向族 4）晶面及晶向的原子密度 體心立方 晶格中，原子密度最大的晶面族為 {110}，稱 密排面 ；在 面心立方 晶格中，密排面為 {111} 。 不同晶體結(jié)構(gòu)中不同晶面、不同晶向上的原子排列方式和排列緊密程度是不一樣的。 體心立方、面心立方晶格主要晶向的原子排列和密度 體心立方 晶格中，原子密度最大的晶向族是 〈 111〉 ，稱密排方向。在 面心立方 晶格中，密排方向?yàn)?〈 110〉 。 4）晶面及晶向的原子密度 1）具有確定的熔點(diǎn) 2）具有各向異性 不同晶面和晶向上原子排列的密度不同。 晶體缺陷 ? 晶粒： 實(shí)際使用的金屬材料是由許多彼此方位不同、外形不規(guī)則的小晶體組成，這些小晶體稱為 晶粒 。 ? 晶界： 晶粒之間的交界面。 ? 晶粒越細(xì)小，晶界面積越大。 ? 多晶體： 由多晶粒組成的晶體結(jié)構(gòu)。 金屬多晶體示意圖 ? 單晶體： 其內(nèi)部晶格方位完全一致的晶體。 ? 多晶體： 點(diǎn)缺陷： 在三維空間各方向上尺寸都很小的缺陷 。 如空位 、 間隙原子 、 雜質(zhì)或溶質(zhì)原子 等 。 線缺陷： 在兩個(gè)方向上尺寸很小 ， 而另一個(gè)方向上尺寸較大的缺陷 。 主要是 位錯(cuò) 。 面缺陷： 在一個(gè)方向上尺寸很小 ， 在另外兩個(gè)方向上尺寸較大的缺陷 。 如晶界 、 相界 、 表面等 。 晶體缺陷： 實(shí)際晶體 中與 理想點(diǎn)陣結(jié)構(gòu) 發(fā)生偏差的區(qū)域 。 原子的不規(guī)則排列產(chǎn)生晶體缺陷 。 晶體缺陷在材料組織控制 （ 如擴(kuò)散 、 相變 ） 和性能控制 （ 如材料強(qiáng)化 ） 中具有重要作用 。 晶體缺陷 (1) 點(diǎn)缺陷 ? 點(diǎn)缺陷 是最簡單的晶體缺陷 ， 它是在結(jié)點(diǎn)上或鄰近的微 觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常 排列的一種缺陷 。 ? 晶體點(diǎn)缺陷 包括 空位 、 間隙原子 、 置換原子 ， 以及由它們組成的復(fù)雜點(diǎn)缺陷 ， 如 空位對(duì) 、 空位團(tuán) 和空 位 溶質(zhì)原子對(duì) 等 。 (2) 線缺
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