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正文內(nèi)容

射頻功率放大器的設(shè)計(編輯修改稿)

2024-09-01 05:35 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 (22)qk=VT上式中,q 表示電荷, T 為絕對溫度,單位是開爾文,k 代表玻爾茲曼常數(shù)。圖 21 大信號 EbersMoll 模型 非線性場效應晶體管器件模型在信號與系統(tǒng)的概念中,如果一個系統(tǒng)的輸出可以表示為每個輸入所對應輸出的線性疊加,那么我們稱這個系統(tǒng)為線性系統(tǒng),即對于輸入 和 ,)t(x1)( 2有其對應的輸出 和 ,且可以表示為 和)t(y1)( 2 )(y)t(x11?西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)6,那么對應任意常熟 a,b 有:)t(y)(x22? (2)t(by)()t(x)(a2121 ???3)因此,如果系統(tǒng)不滿足式 23,則為非線性系統(tǒng)。在射頻電路中,由多種各樣的有源器件所構(gòu)成的“線性”放大器,因為有源器件的特性是非線性的,所以這也就導致了總會出現(xiàn)許多不同的失真現(xiàn)象。在功率放大器中,只有在輸入信號相對比較小時,放大器才可以近似看作是一個線性系統(tǒng);每當輸入信號幅度不斷增大時,系統(tǒng)會逐漸顯現(xiàn)出非線性。非線性會對系統(tǒng)產(chǎn)生一些不利的影響。這些影響主要包括諧波、增益壓縮、阻塞、互調(diào)以及交調(diào)效應。 傳輸線理論在電路理論中存在一個假定:當我們不考慮導線的粗細和長度時,電壓和電流在我們所研究的導線上是不一樣的,有著很大的區(qū)別。傳輸線理論即就是導線長度和波長可比,導線長度方向,電壓和電流也是不相等的,傳輸線是場分析與基本電路理論相聯(lián)系的通道。隨著工作頻率的升高,波長會不斷減小,當波長可與電路的幾何長度互相比較時,傳輸線上的電壓與電流會隨著空間位置的變化而不斷發(fā)生著變化,使得電壓與電流呈現(xiàn)出波動性,這與低頻電路恰恰不同。封裝引線兩端電壓電流由于所謂的長線效應而有較大區(qū)別,電路設(shè)計時必須考慮。下面介紹一下傳輸系統(tǒng)的分類:傳輸系統(tǒng)是用來傳輸電磁能量的線路,和低頻段不同,射頻微波傳輸線的種類繁多,從大類上分有三種:(1) TEM 波傳輸線,包括微帶傳輸線。(2) 波導傳輸線,比如矩形和橢圓波導。(3) 表面波傳輸線,如常見的介質(zhì)導波和單根線。雙線傳輸線作為 TEM 波傳輸線之一,雙線傳輸線能將高頻電能從一點傳到另一點。導線輻射損耗非常之高,所以雙線是有有一定范圍地應用在射頻領(lǐng)域。必須考慮分布電路特性。同軸線西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)7傳輸線更為普遍的例子是同軸線,中心的銅芯用來傳送高電平的,它被絕緣材料纏繞著;傳輸?shù)碗娖绞褂猛鈬慕饘俦觼韨鬏?,同時起到隔離作用。當其頻率增加到 20Ghz 時,近乎全部的檢測裝置的外接線都為同軸線,在同軸線中,往往外導體是接地的,因此輻射損耗和場外干擾非常小,同軸線中介質(zhì)材料為聚乙烯。微帶線微帶線是當今相對用途廣泛的一種平面?zhèn)鬏斁€,它可以通過使用光繪文件來加工,并且容易與其他無源或者有源的微波器件集成。微帶線是準 TEM 模式,它的相速和特征阻抗可以由靜態(tài)或準靜態(tài)解獲得。微帶線又稱為非對稱微帶或標準微帶,是一種單接地板介質(zhì)傳輸線。它是由雙導體傳輸線逐漸變化過來的,即用一個非常薄的理想導體板進到雙導體內(nèi),把其中一側(cè)的圓柱移去,再把留下的導體改成帶狀,并在它與金屬板間加入介質(zhì)材料構(gòu)成,微帶線的電力線分布是左右對稱,上下不對稱,反之帶狀線則是左右對稱,上下也對稱,所以微帶線也稱為非對稱微帶線。 微帶線適合制作集成電路的平面結(jié)構(gòu)傳輸線。其重量輕,成本低。傳輸線方程是描述傳輸線上的電壓和電流的運動狀態(tài),和它們之間的緊密聯(lián)系。對于一個傳輸線,其電壓與電流關(guān)系如下式: (2t/),z(i)t,z(i/)t,z(v ??????LR4) (2),(v),(Gv),(iC5)傳輸線方程即就是公式 24 和 25。傳輸線正弦信號源的一個源端接角頻率為 ω,傳輸線上 V 和 I 的可表示如下: (2??jwteV(z)Rtv(z,?6) (2jwtIi7) 于是即可得傳輸線方程: (2IRV)jwL(dz/??西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)88) (2VCGI)jw(dz/??9)上式中, 是單位長度的串聯(lián)阻抗, 是傳輸線單位jwL+R=Z jwC+G=Y長度的并聯(lián)導納。 史密斯圓圖在射頻微波工程中,最基本的運算是反射系數(shù) 、阻抗 Z 和駐波系數(shù)?VSWR 之間的關(guān)系,它們是在已知特征參數(shù):特征阻抗 、相移常數(shù) 和長度0?L 的基礎(chǔ)上進行。史密斯圓圖是把特征參數(shù)以及工作參數(shù)有效的連接在了一起。從 20 世紀初期史密斯圓圖的出現(xiàn)以來,因為它的簡單,方便和直觀等特點,這么多年就一直保留了下來。史密斯圓圖同時也稱為阻抗圓圖,史密斯圓圖的基本思想有如下三條所描述:(1)特征參數(shù)歸一化思想是形成史密斯圓圖的重要所在,其包含了阻抗歸一化以及電長度歸一化。阻抗千變?nèi)f化,現(xiàn)在用特征阻抗歸一化,統(tǒng)一起來進行研究。在射頻系統(tǒng)中,一般認為特征阻抗 為 。電長度歸一化不僅包含0Z?5了相移常數(shù),而且隱含了角頻率。(2)以系統(tǒng)不變量 作為史密斯圓圖的基底。在無損耗傳輸線中, 是系? ?統(tǒng)的不變量,所以由 從 0 到 1 的同心圓作為史密斯圓圖的基底,使我們可能在一個有限空間表示全部工作參數(shù) 、Z 和 VSWR,以公式表示為: (2???j)2(jz2j ee)( i?????10)其中, 的周期是 。??/1(3)將阻抗、駐波比關(guān)系嵌套在 圓上。此時史密斯圓圖的核心想法可?以說明是:消去特征參數(shù) ,把 歸于 相位;工作參數(shù) 為基底,同時包含0Z??了 Z 和 VSWR。一個典型的史密斯圓圖是電阻圓和電抗圓的組合,在阻抗圓圖的上半部分中,x 為正數(shù),意思是阻抗為感性。阻抗圓圖的下半部分 x 負數(shù),意思是阻抗西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)9為容性。圓圖上的任何一點映射著一個反射系數(shù)以及一個歸一化的阻抗 Z。史密斯圓圖可以廣泛應用于射頻微波放大器,振蕩器,阻抗匹配等多種射頻電路中。可以利用它來完成諸如讀取阻抗,導納,發(fā)射系數(shù)等參數(shù)指標,也可以通過進行 LC 和傳輸線匹配,解決電路中的問題所在,同時處理電路增益與平穩(wěn)系數(shù)等工作。 S 參數(shù)射頻放大電路中,低頻時選擇的斷路、短路試驗法則已經(jīng)不能再適用下去,這是由于工作頻率很高時,短路的傳輸線會產(chǎn)生電抗效果,斷路相當于電容。射頻電路研究中一般采用散射參數(shù)法,即選擇 S 參數(shù),使用二接口的分析方法以此來確定射頻器件的特征。使用入射電壓波和與其對應的反射波的做法確定網(wǎng)絡中的進出關(guān)系即就是S 參量法。如下圖 22,端口 1 的入射波為 , 為端口 1 的反射波, 為端1ab2a口 2 的入射波, 為端口 2 的反射波。2b 圖22 二端口網(wǎng)絡圖23 S參數(shù)模型圖 23 為 S 參數(shù)模型。S 參數(shù)定義為:西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)10 (2端 口 入 射 波1端 口 反 射 波ab012?S11) (2端 口 入 射 波1端 口 反 射 波ab012?S12) (2端 口 入 射 波2端 口 反 射 波ab021?S13) (214端 口 入 射 波2端 口 反 射 波ab021?S)在兩端口網(wǎng)絡中,S 參數(shù)的實際表示為: 是輸出端口 2 匹配時輸入端口1S1 的電壓反射系數(shù); 是端口 2 匹配時正向電壓傳輸系數(shù),相當于一個方向的21S電壓增益,經(jīng)過兩兩互乘之后得到正向功率的增益; 為端口 1 匹配時網(wǎng)絡反12向電壓傳輸系數(shù),也就是所謂的反向電壓增益,平方后可以得到反向功率增益;是端口 1 匹配時端口 2 的電壓反射系數(shù)。2S 穩(wěn)定性在功率放大器的實踐中,穩(wěn)定性問題是這之間最重要的事情,如何保持一個電路穩(wěn)定,是必須解決的。當電路穩(wěn)定之后,其余的參數(shù)才能給予考慮。造成一個電路有很大起伏的原因多種多樣,這之間其核心作用的是晶體管 S 參數(shù)等指標。 進行一個放大器設(shè)計前,首先應當確定晶體管有沒有具有穩(wěn)定。了解一個電路是否具有穩(wěn)定,定義公式是: (22121SK???15)西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)11 (2???122SB16) (2212217)其中, 2121SS???如果 K1,B0 都符合的前提下,那么這個電路則具有了穩(wěn)定性,若是沒有符合上述要求,即電路里有著一些影響電路不穩(wěn)定的條件,此時就需要想辦法使得電路穩(wěn)定。本次做放大器采用的 ADS 軟件,在軟件中我們就用上面的公式法 K,B 來判斷電路是否穩(wěn)定。在仿真控件面板中。 StabFactl 相當于 K,判斷 StabFactl 是否大于 1 就行。StabMeasl 則為 B,StabMeasl 大于 0 即可。圖 24 表示的就是在實踐中往往用到的穩(wěn)定方法。我們應當關(guān)注的是,在設(shè)計電路中,穩(wěn)定電路一般是加在輸入端口中,因為在輸出端口會有較大的功率消耗,但在小信號放大中,輸入端在加入電阻之后會使噪聲增加。此外,輸入端加入電阻后會在某些頻段引起增益損失,一般需通過加入 RC, RL, RCL 選頻網(wǎng)絡加以改善以滿足設(shè)計要求。圖24 放大電路常用穩(wěn)定措施原理圖西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)12西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)13第三章 功率放大器的基本原理和參數(shù)射頻功率放大器(RFPA)于一定程度上確定了通信系統(tǒng)的好壞,為了使讀者對放大器有一個概念上的掌握和理解,本章首先介紹功率放大器的基本原理,再介紹一些設(shè)計指標參數(shù),了解了電路原理的基礎(chǔ)上,才能更好地使用 ADS 進行電路設(shè)計和仿真。 功率放大器基本原理功率放大器的種類:傳統(tǒng)上,由于射頻功率放大器放大信號的模式,功率放大器大致上分為兩個大類:在兩種模式下,分別是放大模式功率放大器和開關(guān)模式功率放大器。常見的功率放大器分為 A 類、 B 類、C 類和 AB 類功率放大器。對雙極型晶體管而言,開關(guān)工作模式功率放大器根據(jù)雙極型晶體管所處的端電壓狀態(tài),工作在截止區(qū)及飽和區(qū);相對于場效應晶體管看,開關(guān)工作模式功率放大器根據(jù)場效應晶體管所處的端電壓狀態(tài),工作在截止區(qū)或線性區(qū)。開關(guān)模式射頻功率放大器又可以分為 D 類、E 類以及 F 類功率放大器。本文主要說明一下 A、B、C 和 AB 類功率放大器。(1)A 類功率放大器A 類射頻功率放大器為所有功率放大器中線性是最高的,在 A 類工作狀態(tài)下,晶體管在信號的整個周期內(nèi)都是導通狀態(tài),導通角為 360176。如圖 31,直流偏向點往往定在截至點和飽和點的之間這塊范圍。此類功率放大器的優(yōu)點是有著良好的線性度、失真相對小,而其缺點是效率很低、尺寸大并且有較高的熱消耗,其效率最高只是 50%。西北工業(yè)大學明德學院本科畢業(yè)設(shè)計(論文)14圖31 A類放大器的特性曲線(2)B 類功率放大器B 類功率放大器由兩個不同類型的晶體管構(gòu)成。當輸入信號在正半個周期范圍時,NPN 晶體管導通,PNP 晶體管截止;當輸入信
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