太赫茲測(cè)試技術(shù)(編輯修改稿)
2025-09-01 05:12 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 倍頻的THz信號(hào)源，輸出功率相對(duì)較小（與同頻段返波管小10dB左右），但其具有體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，使用方便等優(yōu)勢(shì)。圖1是中國(guó)電科41所基于倍頻方案的THz 信號(hào)發(fā)生器實(shí)物圖，圖2和圖3是1mm頻段倍頻源典型輸出功率實(shí)測(cè)曲線。圖2 AV82406C信號(hào)源輸出功率圖3 AV82406D信號(hào)源輸出功率三、THz 電磁波信號(hào)的檢測(cè)技術(shù)THz電磁波信號(hào)的檢測(cè)主要方法有：用飛秒激光取樣的電光晶體探測(cè)器。探測(cè)光束在Pockels 效應(yīng)下被THz脈沖電場(chǎng)調(diào)制，同時(shí)THz時(shí)域波形被復(fù)制到展寬的探測(cè)光頻域譜上，信號(hào)被光電二極管接受并檢測(cè)。使用飛秒激光觸發(fā)的電光晶體探測(cè)器的顯著特點(diǎn)是具有極寬的頻譜響應(yīng)和非常高的測(cè)量信噪比，適合于成像測(cè)量，缺點(diǎn)是裝置比較復(fù)雜，價(jià)格昂貴。超導(dǎo)SIS（SuperconductorInsulatorSuperconductor）混頻檢測(cè)器。SIS 探測(cè)器以光子輔助隧穿機(jī)制為理論基礎(chǔ)，～，需要在液氦溫度下工作。此外，在室溫環(huán)境下，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)也是可以使用的。作為測(cè)試儀器的THz功率測(cè)量設(shè)備主要基于熱電效應(yīng)的太赫茲光功率測(cè)試探測(cè)器。圖4 THz12D3SVP功率測(cè)試系統(tǒng)圖5 ERICKSON公司PM4功率計(jì)GentecEO公司研制的太赫茲光功率測(cè)試探測(cè)
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