dram制造工藝(編輯修改稿)
2025-09-01 00:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 氣體 HBR（溴化氫） /NF3/O2中的 O2分壓，及晶圓表面的溫度。 O2與 Si反應(yīng)的生成物會覆在溝壁上，減小溝孔的尺寸，形成導(dǎo)角。而生成物的多少決定于反應(yīng)時晶圓上的溫度。 Photoresist 光刻膠 Anti Reflect Coating 防反射涂層 mask oxide 氧化物掩膜 pad nitride 墊氮化層 pad oxide 墊氧化層 氧化物掩膜 墊氮化層 墊氧化層 P型襯底 防反射涂層 光刻膠 原則 O2含量及晶圓溫度愈高，導(dǎo)角角度愈大。深槽深度的極限是決定于所謂的遞減效應(yīng)（ lAG Effect），也就是蝕刻率會隨深度增加而遞減，直到蝕刻率等于零。這種現(xiàn)象造成深槽深度與蝕刻時間無關(guān)，而決定于蝕刻開始時的 cd大小。以目前機(jī)臺設(shè)備的能力，可達(dá)到寬深比 50以上，足以應(yīng)付到 1Gb DRAM以后的時代。在去除硬光罩之后，深槽清洗是另一個重要步驟。一般是用含有 HF/EG（乙二醇） 的混酸，與溝壁有完全的潤濕性（ wetability），并可去除蝕刻反應(yīng)的生成物。由于深槽內(nèi)壁在清洗后會略為擴(kuò)大，混酸的另一功能是能將保護(hù)底材的氮化硅（ Silicon nitride）在水平方向回蝕一些，避免形成氮化硅層 突出部分 ，影向后制程多晶硅的填入。 深槽時代器制造的第 2階段包括上下基板， NO介電質(zhì)，及項圈氧化硅絕緣層的形成。其制程流程由圖 7－ 12說明。首先在深槽壁的周圍底材上形成一層 n－埋藏基板 BP（ BURIED PlATE)做為時代器的下基板。 形成的方法是先以 LP－ CVD方式沉積砷摻雜氧化硅在深槽內(nèi)壁（見圖 8），再以光阻回蝕方式將上方約 1． 5μ m的砷氧化硅去除，使生成 BP的區(qū)域遠(yuǎn)離電晶體元件的工作區(qū)域（見圖 9）。 Poly Si Fill 多晶硅填充物 Collar oxide 項圈氧化層 ono dielectric 洋子介電層 pad nitride 墊氮化層 pad oxide 墊氧化層 之后，再以 LPCVD方式填入一層 TEOS四乙基原硅酸鹽（ tetraethyl orthosilicate） 覆蓋層（ CAP LAVER）以防止摻雜向外擴(kuò)散。經(jīng)過回火處理后，砷氧化硅的摻雜擴(kuò)散到底材內(nèi)，形成電容器的下基板（見圖 10）。在去除深槽壁砷氧化硅之后，進(jìn)行 NO介電層沉積。沉積之前先以濕蝕刻方式將溝壁內(nèi)所有氧化物去除，再進(jìn)入爐管內(nèi)以 in－ Situ（原位） 氮化法，用 NH3及 N2將溝壁上的原始氧化層（ native Oxide）轉(zhuǎn)為氮氧化物（ Sion）。 Poly Si Fill 多晶硅填充物 Collar oxide 項圈氧化層 ono dielectric 洋子介電層 pad nitride 墊氮化層 pad oxide 墊氧化層 再接著以 LP－ CVD方式沉積 Si3N4介電質(zhì)，并以再氧化（ RE－ Oxidation）修補(bǔ)氮
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