武漢理工材料科學(xué)基礎(chǔ)考研名詞解釋(編輯修改稿)
2024-08-31 02:01 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 晶體結(jié)構(gòu)缺陷——通常把晶體點陣結(jié)構(gòu)中周期性勢場的畸變成為晶體的結(jié)構(gòu)缺陷。 點缺陷——點缺陷亦稱為零維缺陷， 缺陷尺寸處于原子大小的數(shù)量級上， 即三維方向上缺陷 的尺寸都很小。點缺陷包括空位、間隙質(zhì)點、雜志質(zhì)心和色心等。 線缺陷——線缺陷也稱為一維缺陷， 是指在一維方向上偏離理想晶體中的周期性、 規(guī)則性排 列所產(chǎn)生的缺陷，即缺陷尺寸在一維方向較長，另外二維方向上很短。如各種位錯。 面缺陷——面缺陷又稱為二維缺陷， 是指在二維方向上偏離理想晶體中的周期性、 規(guī)則性排 列而產(chǎn)生的缺陷，即缺陷尺寸在二維方向上延伸，在第三位方向上很小。如晶界、表面、堆 積層錯、鑲嵌結(jié)構(gòu)等。 體缺陷——體缺陷亦稱為三維缺陷， 是指在局部的三維空間偏離理想晶體的周期性、 規(guī)則性 排列而產(chǎn)生的缺陷。如第二相粒子團、空位團等。 熱缺陷——熱缺陷稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位和（或）間隙質(zhì)點（原子或離子） 。熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷。弗倫克爾缺陷是質(zhì)點離開正常格點后 進入到晶格間隙位置， 其特征是空位和間隙質(zhì)點成對出現(xiàn)。 肖特基缺陷是質(zhì)點由表面位置遷 移到新表面位置，在晶體表面形成新的一層，同時在晶體內(nèi)部留下空位，其特征是正負離子 空位成比例出現(xiàn)。 滑移——在外力作用下， 晶體的一部分相對于另一部分， 沿著一定晶面的一定晶向發(fā)生平移， 使晶面上的原子從一個平衡位置平移到另一個平衡位置，此過程稱為滑移。 滑移系統(tǒng)——一個滑移面和該面上的一個確定的滑移方向， 構(gòu)成一個一個滑移系統(tǒng)， （h k l）[u v w]來表示。 孿生——晶體塑性形變的另一種機制是孿生， 即在外力作用下， 晶體的一部分相對于另一部 分，沿著一定的晶面和晶向發(fā)生切變，切變之后，兩部分晶體的位向以切變面為鏡面成對稱 關(guān)系。 發(fā)生切變的晶面和方向分別叫孿晶面和孿生方向。 變形后發(fā)生切變的部分和與其呈晶 面對稱的部分構(gòu)成孿晶，其界面是共格晶面。 位錯滑移——位錯滑移是指在外力作用下， 位錯線在其滑移面 （即位錯線和伯氏矢量 b 構(gòu)成的晶面）上的運動，結(jié)果導(dǎo)致晶體永久變形。 位錯攀移——位錯攀移是指在熱缺陷或外力作用下，位錯線在垂直其滑移面方向上的運動， 結(jié)果導(dǎo)致晶體中空位或間隙質(zhì)點的增殖或減少。 位錯的線張力——線張力是一種組態(tài)力， 定義為使位錯線增加單位長度所需要的能量， 所以 線張力在數(shù)值上等于單位長度位錯線的應(yīng)變能，即 T=W=αGb2。 固溶體——將外來組元引入晶體結(jié)構(gòu)， 占據(jù)基質(zhì)晶體質(zhì)點位置或間隙位置的一部分， 仍保持 一個晶相，這種晶體成為固溶體。 置換式固溶體——亦稱替代固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣結(jié)點上，替代（置換）了部分溶劑 原子。 間隙式固溶體——亦稱間隙型固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。 非化學(xué)計量缺陷——按照化學(xué)中定比定律，化合物中的不同原子的數(shù)量要保持固定的比例， 但在實際的化合物中， 有一些化合物并不符合定比定律， 其中負離子與正離子的比例并不是 固定的比例關(guān)系， 這些化合物稱為非化學(xué)計量化合物。 這是在化學(xué)組成上偏離化學(xué)計量而產(chǎn) 生的一種缺陷。 色心——色心是由于電子補償而引起的一種缺陷。一些電子體受到 X 射線、γ射線、中子 或電子輻照，往往會產(chǎn)生顏色。 4 非晶態(tài)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)熔體，玻璃體——熔體或液體是介于氣體和固體（晶體）之間的一種物質(zhì)狀態(tài)。熔體特指加 熱到較高溫度才能液化的物質(zhì)的液體， 即較高熔點物質(zhì)的液體。 熔體快速冷卻則變成玻璃體。 縮聚——由分化過程產(chǎn)生的低聚合物不是一成不變的， 它可以相互發(fā)生作用， 形成級次較高 的聚合物，同時釋放出部分 Na2O。這過程成為縮聚。 硼反常現(xiàn)象——這種由于 B3+離子配位數(shù)變化引起性能曲線上出現(xiàn)轉(zhuǎn)折的現(xiàn)象
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