高一化學(xué)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(編輯修改稿)
2024-12-17 04:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 2. SiC 、 SiO2晶體 、 BN晶體 : X2,O2,H2, S8,P4, C60 （除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外） : H2O,NH3,CH4,HX : CO2, SO2, NO2（除 SiO2外） :H2SO4,HNO3 :乙醇，蔗糖（除有機(jī)鹽） 晶體熔沸點(diǎn)高低的判斷 ⑴ 不同晶體類型的熔沸點(diǎn)比較 一般：原子晶體 離子晶體 分子晶體（有例外） ⑵ 同種晶體類型物質(zhì)的熔沸點(diǎn)比較 ① 離子晶體： 陰、陽離子 電荷數(shù)越大，半徑越小 熔沸點(diǎn)越高 ② 原子晶體： 原子半徑越小 → 鍵長越短 → 鍵能越大 熔沸點(diǎn)越高 ③ 分子晶體： 相對分子質(zhì)量越大， 分子的極性越大 熔沸點(diǎn)越高 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體 ④ 金屬晶體： 金屬陽離子電荷數(shù)越高，半徑越小 熔沸點(diǎn)越高 三、金屬晶體的四種堆積模型對比 堆積模型 典型代表 空間利用率 配位數(shù) 晶胞 簡單立方 Po 52% 6 鉀型 ( bcp ) K 68% 8 鎂型 (hcp) Mg
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