高效能薄膜太陽能電池設(shè)備項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書(編輯修改稿)
2024-08-30 07:34 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 層結(jié)晶組成，使晶體缺陷成為現(xiàn)有微晶層的千分之一至十萬分之一l 落實(shí)硬設(shè)備的開發(fā)，使工藝技術(shù)與硬設(shè)備合而為一，一步到位，產(chǎn)生最佳的量產(chǎn)績(jī)效l 開發(fā)兩段式脈沖式快速退火設(shè)備，可為將來升級(jí)轉(zhuǎn)換效率的設(shè)備手段與技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力l 增大微晶粒、降低缺陷l 在2011年后將推出化合物半導(dǎo)體光電膜與微晶硅在玻璃上的新型復(fù)合膜的超高轉(zhuǎn)換效率結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)線。光電組件先進(jìn)性說明至2007年，薄膜某電池的轉(zhuǎn)換效能大多是6％上下，其原因在于無晶層在工藝完成后，雖可表現(xiàn)在8~9％左右，但是經(jīng)數(shù)個(gè)月在某光照射下即產(chǎn)生衰變。經(jīng)由無晶層孔洞的產(chǎn)生不同種氫鍵與懸掛鍵的聚合，使得電阻增值大，電子通過不易外，逐步造成大量連續(xù)的復(fù)合中心 (rebination center) 出現(xiàn)，使得光電子、電洞的生命期（life time）縮短，因此能通過無晶層的電流下降，轉(zhuǎn)換效能只有原始的百分之70甚至更低。這種由某照射所產(chǎn)生的光衰現(xiàn)象，在高效能的要求下，雖說可以加入微晶層的考慮使之略增高，但是畢竟在工藝的制作上，無晶層在先而微晶層在后的方式，無法對(duì)微晶做有效的退火，也就無法更有效的使用微晶層的物理光電效應(yīng)。因此到目前為止成就不大。 本公司的技術(shù)理論即在于解決這種架構(gòu)（Tandem）的不良性，而提出次序上的安排與輔助式的雙重快速退火，達(dá)到無晶層與微晶層對(duì)綠光與紅橘光吸收的極大性。工藝先進(jìn)性說明首先，用PECVD磊上微晶薄膜，在工藝的過程中加裝基板加熱裝置，使原子的排列較近晶體式的排列，同時(shí)膜的沈積效率亦是一般的3~5倍，再由下一道工序流程中的工藝制作腔內(nèi)，再做一次快速退火，使得微晶在巨觀下有某些已是多晶的型態(tài)，這一層微晶應(yīng)該使晶體缺陷較目前市面所提供的微晶層的千分之一至十萬分之一。 因此微晶層910％%。完成微晶層之后，再進(jìn)入無核心競(jìng)爭(zhēng)力晶層的沈積，由一般的6%的轉(zhuǎn)換效能來看，再經(jīng)過數(shù)個(gè)月陽光照射后，實(shí)際轉(zhuǎn)換效能將衰減至原有的百分之70，%。但在本公司的獨(dú)有的制程工藝?yán)碚撓拢覀儜?yīng)得到12~14%左右。也就是說，一般的供貨商所提供的是以無晶層為主的雙層（Tandem）結(jié)構(gòu)，可能不具長(zhǎng)程的要求與競(jìng)爭(zhēng)力，本公司所主張的是以微晶層為主的雙層架構(gòu)。在本公司擁有光電子組件與材料的雙項(xiàng)優(yōu)勢(shì)之下，我們以長(zhǎng)效使用11~13%的轉(zhuǎn)換效能，為開始進(jìn)入市場(chǎng)地設(shè)備先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，往后逐年增進(jìn)至15%效能，同時(shí)，我們亦將研發(fā)其它多層薄膜技術(shù)，向高于18%為目標(biāo)邁進(jìn)，堅(jiān)持我們技術(shù)之先進(jìn)性。設(shè)備先進(jìn)性l 采用同時(shí)制造20片等離子電漿鍍膜的大批量設(shè)備，可為同業(yè)產(chǎn)能的四~八倍以上l 采用基板加熱鍍膜同步退火，快速退火設(shè)備，微晶成長(zhǎng)速度是同業(yè)的五倍l 設(shè)備數(shù)量低于2套25MW之非晶薄膜設(shè)備l 較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省清洗機(jī)、傳送設(shè)備l 車匣傳送設(shè)備成熟穩(wěn)定l 較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省廠房面積4成l 較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省TCO玻璃、EVA膠膜及框架 4成以上核心競(jìng)爭(zhēng)力l 設(shè)備價(jià)格較同業(yè)低3成以上50MW單線USD60M，批量?jī)?yōu)惠可致USD45Ml Uptime 可達(dá)9成以上。連續(xù)車體多腔鍍膜設(shè)備較同業(yè)設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)作、維修簡(jiǎn)單快速l 退火設(shè)備降低薄膜電池的缺陷，增加轉(zhuǎn)換效率l 開發(fā)兩段式退火設(shè)備，可為將來升級(jí)轉(zhuǎn)換效率的設(shè)備手段與技術(shù)，增大微晶粒、降低缺陷。l 五年內(nèi)快速提高每線產(chǎn)能8倍，從每條線50MW, 100MW, 200MW至400MW。設(shè)備的設(shè)計(jì)是基于工藝的流程要求與先進(jìn)性；設(shè)備是具體的來實(shí)現(xiàn)科學(xué)領(lǐng)域中的研發(fā)成果，將之系統(tǒng)化用機(jī)械設(shè)備的商業(yè)化手段，產(chǎn)生大量生產(chǎn)。本公司是由客制化服務(wù)開始，將客戶的需求除了作短期的應(yīng)用方案外，并架構(gòu)長(zhǎng)期的規(guī)劃，使得今日的設(shè)備仍能在下一波的競(jìng)爭(zhēng)中，加裝若干部件，仍充分發(fā)揮使用。除了擁有多位設(shè)備硬件設(shè)計(jì)與制程應(yīng)用的精英外，更值得與業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)的是多位材料專精的專家，他們不僅是提供工藝的先進(jìn)性，更在設(shè)備開發(fā)的階段積極的運(yùn)用量測(cè)設(shè)施抓牢薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的巨觀變化與微觀調(diào)整。因此，我們的設(shè)備較之一般設(shè)備供貨商不同之處在于：l 與客戶需求和市場(chǎng)要求作緊密結(jié)合。l 將組件工藝技術(shù)整合入硬設(shè)備之中。核心競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品穩(wěn)定度的先進(jìn)性（使用后）l 光電流的穩(wěn)定度在10%l 微晶結(jié)構(gòu)為主的薄膜，經(jīng)過退火處理，缺陷減低；在使用時(shí)某長(zhǎng)期照射，也不易改變其膜層之原子堆棧結(jié)構(gòu)，缺陷程度穩(wěn)定，因而光電流轉(zhuǎn)換效果穩(wěn)定，初始電流與長(zhǎng)期使用電流差在10%以內(nèi)。成品率可達(dá)90%以上l 制造合格之成品率可達(dá)9成以上l 微晶結(jié)構(gòu)為主，經(jīng)制程退火處理的薄膜，均勻度高、缺陷少、光電轉(zhuǎn)換效率穩(wěn)定，連續(xù)制程維持均一性高，所以成品率較非晶薄膜高 組織結(jié)構(gòu)組織機(jī)構(gòu)顧問委員會(huì)生產(chǎn)工藝流程玻璃基板送入待料區(qū)后，由機(jī)械手臂抓送至清洗機(jī)，將包裝、運(yùn)送途中可能產(chǎn)生的灰塵或污染清洗干凈后，將已鍍有TCO膜之玻璃基板送至紅外線雷射割線機(jī)做出第一次割線工藝，割線完成后將基板作二次清洗。將洗凈之基板送入PECVD鍍膜機(jī)，做連續(xù)多腔之鍍膜使產(chǎn)生P型層/微晶層(~2微米)/n型層/反射層/P型層/iasi層/n型層等工藝步驟后，經(jīng)由綠光雷射割線機(jī)后，各電池的接觸點(diǎn)已打開，再経由金屬模濺鍍機(jī)后，以具有傳導(dǎo)之效應(yīng)，再由綠光雷射割線機(jī)將不必要的金屬剝除，某能電池工藝制作完成，可由IV測(cè)試機(jī)完成基本數(shù)據(jù)之量測(cè)。玻璃基板板清洗機(jī)雷射割線機(jī)紅外線雷射清洗機(jī)PECVD鍍膜機(jī)雷射割線機(jī)綠光雷射金屬膜濺鍍機(jī)綠光雷射切割機(jī)IV測(cè)試機(jī)廠房選址制造工廠目前擬定在北京市平谷區(qū)馬坊工業(yè)區(qū)，平谷區(qū)位于北京東北部，距離北京首都機(jī)場(chǎng)僅35公里，15分鐘的車程，全程高速，交通極為便利，為北京東北部海、陸、空、鐵多式聯(lián)運(yùn)的最佳結(jié)合點(diǎn)。平谷距天津港僅135公里，區(qū)內(nèi)設(shè)保稅物流區(qū)，進(jìn)出口方便并可享受保稅等優(yōu)惠政策。生產(chǎn)制造工廠擬位于北京平谷區(qū)馬坊工業(yè)區(qū)。北京市和平谷區(qū)政府對(duì)于雙方的合作表示高度重視，并多次召開協(xié)調(diào)會(huì)議，確保在政策上給予公司最大的扶持。目前公司已與馬坊工業(yè)區(qū)管委會(huì)簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議（詳見附件），明確了雙方的合作框架、原則和一些基本條款：l 地方政府按照1:1的比例進(jìn)行配套資金投入；l 協(xié)助落實(shí)國(guó)家裝備資金的支持；l 協(xié)調(diào)落實(shí)銀行的信貸支持（授信規(guī)模不低于注冊(cè)資本的2倍）。l 優(yōu)惠地價(jià)不高于15萬/畝（市場(chǎng)價(jià)為40萬/畝）；l 地價(jià)和稅收返還；l 第一個(gè)廠房由政府代建（建設(shè)成本約1000萬美元），交由公司免費(fèi)使用兩年后生產(chǎn)由公司以成本價(jià)購回；l 進(jìn)口設(shè)備免交關(guān)稅和增值稅；l 所得稅享受兩免三減半的優(yōu)惠
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