【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。三極管的分類如下表所示：表61 三極管分類共射極共射極電路的信號(hào)由基極輸入，集極輸出，射極作為輸入電路和輸出回路的公共點(diǎn)。共射極，同時(shí)具有電壓增益與電流增益，因此具有較大的功率增益。當(dāng)電路工作在適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)，即保證信號(hào)電壓始終處在不有損的狀態(tài)下，其動(dòng)態(tài)電壓放大參數(shù)為：其中β為三極管的放大倍數(shù)，即射極電流與基極電流之比：圖71 共射極共基極共基極電路的信號(hào)由射極輸入，集極輸出，基極為輸入電路和輸出電路的公共點(diǎn)。共基極放大電路的優(yōu)點(diǎn)則在于其良好的高頻特性。圖72 共基極續(xù)表61共集極共集極電路的信號(hào)由基極輸入，射極輸出，集極接共用點(diǎn)。共集極，又稱為“射極輸出器”。電壓增益小于1，電流增益較高。另一方面，這種電路的輸入電阻大、輸出電阻小，帶負(fù)載能力較強(qiáng)。常用于推動(dòng)電容性負(fù)載。圖73 共集極 部分三極管報(bào)價(jià)部分三極管的價(jià)格如下表所示：表62 三極管價(jià)格C5707 三極管圖74 C5707 三極管三極管 TO92 S8550圖76 S8550 三極管 場(chǎng)效應(yīng)管它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對(duì)比雙極性晶體管（bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制，以及曾經(jīng)雙極性晶體管比場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。 場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管的分類如下表所示：表71 場(chǎng)效應(yīng)管分類DEPFET（Depleted FET）是一種在完全耗盡基底上制造，同時(shí)用為一個(gè)感應(yīng)器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應(yīng)器。圖81 DEPFETDGMOFET（Dualgate MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的MOSFET。圖82 DGMOFETDNAFET是一種用作生物感應(yīng)器的特殊FET，它通過(guò)用單鏈DNA分子制成的柵極去檢測(cè)相配的DNA鏈。圖83 DNAFETFREDFET是一種用于提供非?？斓闹貑ⅲP(guān)閉）體二極管的特殊FET。圖84 FREDFETIGBT（InsulatedGate Bipolar Transistor）是一種用于電力控制的器件。它和類雙極主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)類似。它們一般用于漏源電壓范圍在2003000伏的運(yùn)行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時(shí)的器件。圖85 IGBTISFET是離子敏感的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IonSensitive Field Effect Transistor）,它用來(lái)測(cè)量溶液中的離子濃度。當(dāng)離子濃度（例如pH值）改變，通過(guò)晶體管的電流將相應(yīng)的改變。圖86 ISFET續(xù)表71 部分場(chǎng)效應(yīng)管報(bào)價(jià)部分場(chǎng)效應(yīng)管的價(jià)格如下表所示：表72 場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格IR場(chǎng)效應(yīng)管IRF640 IRF640N TO220封裝圖89 IRF6409916H STU9916H 主板常用MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管圖810 STU9916H直插三極管 原裝IR 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFPS40N50L TO3P圖811 IRFPS40N50L 晶閘管 晶閘管簡(jiǎn)介晶體閘流管（英語(yǔ)：Thyristor），簡(jiǎn)稱晶閘管，指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。最早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國(guó)大陸通常簡(jiǎn)稱可控硅，又稱半導(dǎo)體控制整流器，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ?，即與一般的二極管相比，可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。 晶閘管的分類晶閘管的分類如下表所示：表81 晶閘管的分類單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，可以等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復(fù)合管，具有三個(gè)外電極：陽(yáng)極A(Anode)，陰極K(Cathode)和控制極G(Gate)。在A、K之間加上正電壓后，管子并不導(dǎo)通；當(dāng)控制極G加上正電壓(相對(duì)于陰極K而言)后才導(dǎo)通；此時(shí)再去掉控制極的電壓，管子依然能夠保持導(dǎo)通。圖91單向晶閘管雙向晶閘管可以等效為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)。因雙向晶閘管正負(fù)雙向均可以控制導(dǎo)通，故控制極G外的另外兩個(gè)電極不再稱陰極陽(yáng)極，而改稱為主電極MTMT2或TT2。圖92雙向晶閘管可關(guān)斷晶閘管普通的晶閘管導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)掉必須關(guān)掉電源，即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流?？申P(guān)斷晶閘管克服了如上的缺陷：當(dāng)控制極G加正脈沖時(shí)晶閘管導(dǎo)通；當(dāng)控制極G加負(fù)脈沖時(shí)晶閘管關(guān)斷。圖93可關(guān)斷晶閘管 部分晶閘管的價(jià)格部分晶閘管的價(jià)格如下表所示：表82 晶閘管報(bào)價(jià)[晶閘管] KK1000A/1800V圖94晶閘管晶閘管/可控硅TL431可代 KA431LZ HA431圖95 KA431LZ續(xù)表82晶閘管|ZP20A|2CZ|圖96 ZP20A 晶體管 晶體管簡(jiǎn)介晶體管是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機(jī)，和所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開(kāi)關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。 晶體管的分類晶體管的分類如下表所示：表91 晶體管的分類按半導(dǎo)體材料分類硅材料晶體管鍺材料晶體管按晶體管的極性分類鍺NPN型晶體管鍺PNP晶體管硅NPN型晶體管硅PNP型晶體管擴(kuò)散型晶體管按電流容量分類合金型晶體管平面型晶體管小功率晶體管續(xù)表91中功率晶體管大功率晶體管按工作頻率分類低頻晶體管高頻晶體管超高頻晶體管……按封裝結(jié)構(gòu)分類金屬封裝（簡(jiǎn)稱金封）晶體管塑料封裝（簡(jiǎn)稱塑封）晶體管玻璃殼封裝（簡(jiǎn)稱玻封）晶體管表面封裝（片狀）晶體管陶瓷封裝晶體管…… 部分晶體管報(bào)價(jià)部分晶體管的價(jià)格如下表所示：表92 晶體管價(jià)格晶體管 BT33FJ BT33F BT33圖101 BT33FJTIP122 大功率晶體管TO220 封裝圖102 TIP122續(xù)表92達(dá)林頓晶體管三極管TIP122 TO263圖103 達(dá)林頓晶體管 儀表 電壓表 電壓表簡(jiǎn)介電壓表為科學(xué)儀器，又稱伏特計(jì)，常用于電磁學(xué)中。電壓表是用來(lái)測(cè)量電壓的大小，單位通常為伏特(V)。 電壓表一般以并聯(lián)的方式連結(jié)至所需量度電壓的電路元件之中。 電壓表的電阻一般很大，以避免使被量度的電壓改變。 電壓表分類電壓表的的分類如下表所示：表101 電壓表分類直流電壓表主要采用磁電系電表和 靜電系電表的測(cè)量機(jī)構(gòu)。磁電系電壓表由小量程的磁電系電流表與串聯(lián)電阻器(又稱分壓器)組成，最低量程為十幾毫伏。為了擴(kuò)大電壓表量程，可以增大分壓器的 電阻值。例如用50微安的電流表形成250伏的電壓表時(shí)，要使分壓器與測(cè)量機(jī)構(gòu)的總電阻值為250/(50106)=5106歐=5兆歐，這相當(dāng)于 電壓表的內(nèi)阻為20千歐/伏。為了避免電壓表的接入過(guò)多影響原工作狀態(tài)，要求電壓表有較高的內(nèi)阻。用幾個(gè)電阻組成的分壓器和測(cè)量機(jī)構(gòu)串聯(lián)，可形成多量程電 壓表。靜電系電壓表的最低量程為幾十伏，擴(kuò)大量程是靠改變電表內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間距離來(lái)達(dá)到。圖111直流電壓表續(xù)表101交流電壓表主要采用整流式電表、電磁系電表、電動(dòng)系電表和靜電系電表的測(cè)量機(jī)構(gòu)。除靜電系電壓表外，其他系電壓表都是用小量程電流表與分壓器串聯(lián)而成。也可用幾個(gè)電阻組成的分壓器與測(cè)量機(jī)構(gòu)串聯(lián)而形成多量程電壓表。這些系的交流電壓表難于制成低量程的，最低量程在幾伏到幾十伏之間，而最高量程則約為1～2千伏。靜電系電壓表的最低量程約為30伏，而最高量程則可達(dá)很高。電力系統(tǒng)中用的高壓電壓 表是由電壓額定量程為 100伏的電磁系電壓表，結(jié)合適當(dāng)電壓變比的電壓互感器組成。圖112交流電壓表 電壓表報(bào)價(jià)部分電壓表的價(jià)格如下表所示：表102 電壓表價(jià)格移動(dòng)電源電量顯示器 鋰電池電量指示 數(shù)字電壓表圖113數(shù)字電壓表85L1型指針 交流電流表 交流電壓表 華星儀表（全規(guī)格）圖114 指針電壓表力創(chuàng) 插座電壓表+電流表+功率表+電度表+定時(shí)器背光圖115