x年全國大學(xué)生電子設(shè)計競賽論文模板(編輯修改稿)
2024-08-29 22:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 流回路；來自取樣電阻的負極性電壓信號從ISENSE端進入到芯片內(nèi)部后經(jīng)反相器成為正極性信號，該信號經(jīng)過電流放大器后輸出為ICOMP；斜坡信號發(fā)生器產(chǎn)生的信號與ICOMP電壓進行比較，其輸出作為芯片內(nèi)部RS觸發(fā)器的輸入，與內(nèi)部65kHZ振蕩信號一起控制PWM的占空比，輸出脈沖經(jīng)推挽電路控制功率開關(guān)器件的通斷；從圖2可以看出，假設(shè)當斜坡電壓線性上升并剛好超過ICOMP的電壓時經(jīng)過的時間為tOFF，而這個時間又決定了DOFF，根據(jù)斬波拓撲方程有DOFF =VIN/VOUT，由于VIN的波形是正弦波，而ICOMP的電壓與電感電流成正比，控制回路就迫使電感電流波形跟蹤輸入電壓波形，因此輸入電流波形也是正弦波形并與輸入電壓同相，因此實現(xiàn)了功率因數(shù)校正。二是外部電壓回路，開關(guān)電源輸出電壓通過分壓后的取樣電壓從VSENSE端輸入，與內(nèi)部一些比較器連接在一起，起到欠/過壓保護、開路保護以及穩(wěn)壓的作用；電壓誤差放大器gmv輸出的電流對連接在VCOMP端的補償網(wǎng)絡(luò)進行充電或者放電，從而建立起合適的VCOMP電壓來滿足系統(tǒng)正常運行；VCOMP上的電壓常常用來設(shè)置電流放大器的增益以及斜坡信號的斜率，當外部回路在穩(wěn)態(tài)時可以自動調(diào)整芯片內(nèi)部的增益參數(shù)使輸入電流波形具有較低的畸變，從而保證開關(guān)電源具有較高的功率因數(shù)。 隔離電路LM5017可構(gòu)成隔離型偏置電源。LM5017 穩(wěn)壓器集成了創(chuàng)建隔離型轉(zhuǎn)換器所需的高、低側(cè)電源開關(guān)。其輸入電壓范圍為36V 至75V。電路圖如下：此電路特點：l 36V 至 75V 輸入l 初級側(cè)輸出：40mA 時 10V 輸出l 次級側(cè)輸出 1：80mA 時 5Vl 次級側(cè)輸出 2：120mA 時 10V 首先，確定最大輸出平均電流，IOUTMAX。最大輸入RMS線路電流 IIN_RMSMAX，有： 基于以上計算，最大峰值輸入電流IIN_PEAK和最大平均輸入電流IIN_AVGMAX如下： 橋式整流器基于以上計算，最大峰值輸入電流IIN_PEAK和最大平均輸入電流IIN_AVGMAX如下： ，整流橋的損耗是： 輸入電容UCC28019是連續(xù)電流型PFC控制器。其電感紋波電流按照允許有20%的高頻紋波因子VRIPPLE和6%的最大輸入電容值CIN計算之，首先確定輸入電流紋波IRIPPLE和電壓的紋波VIN_RIPPLE。 輸入的X電容現(xiàn)在可以計算如下： 升壓電感確定最大峰值電感電流I L_PEAKMAX之后，決定電感值LBST。 按照最壞情況的占空比50%計算，電感值為： 。最大占空比出現(xiàn)在最低輸入電壓時， 升壓二極管二極管的損耗的估計根據(jù)其正向壓降VF，125OC時的反向恢復(fù)充電電荷QRR，選用碳化硅二極管可以節(jié)省反向恢復(fù)損耗。其損耗是： 開關(guān)元件MOSFET的導(dǎo)通損耗在125OC時，按照RMS電流計算，有： 開關(guān)損耗按照上升時間估算，以及輸出電容的損耗為： 檢測電阻根據(jù)內(nèi)部非線性功率限制的增益，RSENSE的大小受限于軟過流觸發(fā)，要高于最大峰值電感電流的25%，用SOC的最小閾值VSOC： 采用兩只電阻并聯(lián)，選為： 電阻的功耗為： 對于峰值電流限制，PCL保護特色其在流過其電流產(chǎn)生的壓降等于其閾值VPCL時，用最壞情況分析，用最大的VPCL。 為了保護器件能承受沖擊電流，用標準220mΩ電阻。與ISENSE端串聯(lián)，用1000pf電容緊靠器件改善噪聲。 輸出電容輸出電容COUT的大小要滿足變換器保持時間的需要，假設(shè)下面的變換器在一個線路周期內(nèi)t HOLDUP=1/f LINE(MIN)，保持PFC級不低于300V，計算的電容值如下：這是可
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