模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-放大電路的頻率響應(yīng)課件(編輯修改稿)
2025-08-19 17:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 M H zHzff T 107 890?????? ?? 場效應(yīng)管的高頻等效模型 場效應(yīng)管其極間電容有三個，柵源電容 Cgs，柵漏電容 Cgd，漏源電容 Cds。柵源電容 Cgs和柵漏電容 Cgd一般都在 1～ 10pF,漏源電容 Cds更小，一般在 ～ 1pF。將柵漏電容等效到柵源與漏源之間，則等效到柵源之間的電容與放大倍數(shù)成正比，等效到漏源之間的電容仍與原來的大小等量，所以簡化的高頻等效電路為 圖 場效應(yīng)管的高頻等效模 (P230) 高頻上限截止頻率 比較大，所以場效應(yīng)管的高頻特性比晶體管的高頻特性好。 高頻上限截止頻率為 gssH CRf ?? ?21 單管放大電路的頻率響應(yīng) 分析放大電路的頻率特性從低頻到高頻需要將頻率分為三個區(qū)即低頻、中頻及高頻區(qū)。在不同的頻率范圍，對應(yīng)不同的等效電路，即有低頻等效電路、中頻等效電路及高頻等效電路。 以單管共射放大電路為例，分析單管放大電路的頻率響應(yīng)函數(shù)及波特圖。 圖 單管共射放大電路及其等效電路 (P231) 一、中頻等效電路及中頻電壓放大倍數(shù) 設(shè)放大電路輸入信號為三極管中頻信號，所謂中頻，即三極管結(jié)電容在此頻段內(nèi)可視為開路，耦合電容可視為短路，則中頻等效電路為 圖 單管共射放大電路的中頻等效電路 (P232) LcmebebSiisou s mLcmebebSSiiLcebebSSiimLcebmoebebSSiiebbbebiebbbebbeebSSiibeiRRgrrRRRUUARRgrrURRRRRrrURRRgRRUgUrrURRRrrrUrrrUUURRRUU////////?????????????????????????????????與第 2章電路分析不矛盾 beLcebmbeLcumrRRrgrRRA////0????? ?01 8 0||???????Lbeebmsiiu s mRrrgRRRA二 、低頻等效電路及低頻電壓放大倍數(shù) 低頻等效電路為 圖 單管共射放大電路的低頻等效電路（ P232） CRRjRgrrURRRCRRjRUgRRCjRRUgUrrURRRrrrUrrrUUURRRUULcLmebebSSiiLcLebmLLccebmoebebSSiiebbbebiebbbebbeebSSiibei)(11)(111??????????????????????????????????????CRRjCRRjACRRjrRgrRRRrCRRjRrgRRRUUALcLcu s mLcbeLmebSiibeLcLebmSiiSou s l)(1)()(111)(11???????????????????????令 CRRfCRRLcLc L )(21)(??????得低源頻電壓放大倍數(shù)為 ffjAffjffjAALumLLu s mu s l????11LLLLus mus lffa r c t gffa r c t gffa r c t gffAA????????????0000290)90(1 8 01 8 0)(1||||?幅頻特性分析 ])(1l g [10||lg20)(1||lg20||lg2022ffAffAALus mLus mus l?????在高頻段，如 ffL時 ||lg20||lg20 u s mu s l AA ?當(dāng) f=fL時 dBAA u s mu s l 3||lg20||lg20 ??可見在下限截止頻率處，增益相對于中頻段下降 3dB。 在低頻段，當(dāng) ffL時 ffAA Lu s mu s l lg20||lg20||lg20 ??可見在低頻段，電壓增益以（ 20dB/十倍頻）速度下降。 相頻特性分析 在高頻段，如 ffL時 Lffa r c tg??? 090?01 8 0???可見高頻段的相位近似為中頻段的相位。 在低頻段，當(dāng) f=fL時 01 3 5???在低
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