【文章內(nèi)容簡介】 電路組成如圖434示：電路特點(diǎn)是在克拉潑振蕩器的基礎(chǔ)上，用一電容C4，并聯(lián)于電感L兩端。功用是保持了晶體管與振蕩回路弱藕合，振蕩頻率的穩(wěn)定度高，調(diào)整范圍大。電路的振蕩頻率為： 特點(diǎn)：； 圖434西勒振蕩電路，如可達(dá)千兆赫；頻率覆蓋率比較大，；所以在一些短波、超短波通信機(jī)，電視接收機(jī)中用的比較多。頻率穩(wěn)定度是振蕩器的一項(xiàng)十分重要技術(shù)指標(biāo)，它表示在一定的時(shí)間范圍內(nèi)或一定的溫度、濕度、電壓、電源等變化范圍內(nèi)振蕩頻率的相對(duì)變化程度，振蕩頻率的相對(duì)變化量越小，則表明振蕩器的頻率穩(wěn)定度越高。改善振蕩頻率穩(wěn)定度，從根本上來說就是力求減小振蕩頻率受溫度、負(fù)載、電源等外界因素影響的程度，振蕩回路是決定振蕩頻率的主要部件。因此改善振蕩頻率穩(wěn)定度的最重要措施是提高振蕩回路在外界因素變化時(shí)保持頻率不變的能力，這就是所謂的提高振蕩回路的標(biāo)準(zhǔn)性。提高振蕩回路標(biāo)準(zhǔn)性除了采用穩(wěn)定性好和高Q的回路電容和電感外，還可以采用與正溫度系數(shù)電感作相反變化的具有負(fù)溫度系數(shù)的電容，以實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償作用。石英晶體具有十分穩(wěn)定的物理和化學(xué)特性，在諧振頻率附近，晶體的等效參量Lq很大，Cq很小，Rq也不大，因此晶體Q值可達(dá)到百萬數(shù)量級(jí)，所以晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度比LC振蕩器高很多。實(shí)驗(yàn)線路設(shè)計(jì)及說明實(shí)驗(yàn)電路的主要技術(shù)性能指標(biāo)：振蕩頻率 頻率穩(wěn)定度 輸出幅度 實(shí)驗(yàn)電路電采用的是并聯(lián)改進(jìn)三點(diǎn)電容反饋（西勒）振蕩電路，當(dāng)跳線開關(guān)SW1撥置“左”端時(shí)，可構(gòu)成并聯(lián)型石英晶體振蕩器，其電路的電原理圖如圖435所示。圖435 LC與晶體振蕩器電原理圖圖中，SW3為驗(yàn)證反饋系數(shù)，sw1為LC振蕩器與晶體振蕩器轉(zhuǎn)換選擇，SW2為驗(yàn)證負(fù)載（即回路Q值）變化對(duì)振蕩器的影響?；驹O(shè)計(jì)條件是：電源供電為12V，振蕩管BG1為9018（其主要參數(shù)ICM=50/A，VCEQ=5V，VCEQ≤,hFE28198,取β=100，fT1100MHz），LC振工作頻率為6MHz，晶體為6 MHz?！?靜態(tài)工作電流的確定合理地選擇振蕩器的靜態(tài)工作點(diǎn)，對(duì)振蕩器的起振，工作的穩(wěn)定性，波形質(zhì)量的好壞有著密切的關(guān)系。－般小功率振蕩器的靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)選在遠(yuǎn)離飽和區(qū)而靠近截止區(qū)的地方。根據(jù)上述原則，故本實(shí)驗(yàn)電路中： 選ICQ=2mA VCEQ=6V β=100 則有為提高電路的穩(wěn)定性Re值適當(dāng)增大，取Re=1KΩ則Rc＝2KΩ 因：UEQ=ICQRE 則： UEQ =2mA1K=2V 因： IBQ=ICQ/β 則： IBQ =2mA/100= 一般取流過Rb2的電流為510IBQ , 若取10IBQ 因： 則： 取標(biāo)稱電阻12K?。因： ： 為調(diào)整振蕩管靜態(tài)集電極電流的方便，Rb1由27K?電阻與27K電位器串聯(lián)構(gòu)成?！?確定主振回路元器件回路中的各種電抗元件都可歸結(jié)為總電容C和總電感L兩部分。確定這些元件參量的方法，是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)先選定一種，而后按振蕩器工作頻率再計(jì)算出另一種電抗元件量。從原理來講，先選定哪種元件都一樣，但從提高回路標(biāo)準(zhǔn)性的觀點(diǎn)出發(fā)，以保證回路電容Cp遠(yuǎn)大于總的不穩(wěn)定電容Cd原則，先選定Cp為宜。若從頻率穩(wěn)定性角度出發(fā)，回路電容應(yīng)取大一些，這有利于減小并聯(lián)在回路上的晶體管的極間電容等變化的影響。但C不能過大，C過大，L就小，Q值就會(huì)降低，使振蕩幅度減小，為了解決頻穩(wěn)與幅度的矛盾，通常采用部分接入。反饋系數(shù)F=C1/C2，不能過大或過小，適宜1/8—1/2。因振蕩器的工作頻率為： 當(dāng)LC振蕩時(shí)，f0=6MHz L＝10μH 本電路中，則回路的諧振頻率fo主要由CC4決定，即有 。取C3 =120pf，C4=51pf（用33Pf與520Pf的可調(diào)電容并聯(lián)），因要遵循C1，C2C3,C4，C1/C2=1/8—1/2的條件，故取C1=200pf，則C2=510pf。對(duì)于晶體振蕩，只需和晶體并聯(lián)一可調(diào)電容進(jìn)行微調(diào)即可。為了盡可能地減小負(fù)載對(duì)振蕩電路的影響，振蕩信號(hào)應(yīng)盡可能從電路的低阻抗端輸出。例如發(fā)射極接地的振蕩電路，輸出宜取自基極；如為基級(jí)接地，則應(yīng)從發(fā)射極輸出。綜合上述計(jì)算結(jié)果。得實(shí)際電路如圖435所示。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與要求● 振蕩電路靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)整★ 振蕩器基本設(shè)置條件：sw3全開路（停振），sw1“右”（LC振蕩），RL=110K（SW2“左”）測量時(shí)采用間接測量法：即用直流電壓表測量晶體管發(fā)射極對(duì)地電壓，調(diào)整使為2V即可。當(dāng)靜態(tài)電流調(diào)整完畢后，用萬用表測量晶體管BG1的各電極的靜態(tài)工作電壓。將結(jié)果記錄于表431中。 表431靜態(tài)測量數(shù)據(jù)表 BG1VbVeVceIc測量值Ic計(jì)算值● 振蕩器頻率的調(diào)測★ 振蕩器基本設(shè)置條件：sw1“右”（LC振蕩），sw3短接“左”（C2=331P），sw2“左”，（RL=110K） ① 用示波器測量振蕩器的輸出端“OUT”，觀察Vo波形，若無振蕩輸出，則需檢查電路，調(diào)整元件，直至電路振蕩。② 適當(dāng)調(diào)整LC回路微調(diào)電感或微調(diào)電容CT，使振蕩頻率滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。再適當(dāng)調(diào)整RW1使Vo輸出最大且出現(xiàn)不失真的正弦波。記錄此時(shí)最佳狀態(tài)下的Vo波形和幅度，振蕩fo與集電極電流IC。③ 保持以上基本設(shè)置不變，將跳線開關(guān)sw1撥置“左”，使之為晶體振蕩器。記錄此時(shí)最佳狀態(tài)下的Vo波形和幅度，振蕩fo與集電極電流IC● 研究工作點(diǎn)Ic的變化對(duì)振蕩器性能的影響；★ 振蕩器基本設(shè)置條件：（同上）。分別按表432所列數(shù)據(jù)要求，改變ICO，將測試結(jié)果記錄于表中。記錄本實(shí)驗(yàn)電路停振時(shí)的最大ICO=？ 表432LC振蕩器晶體振蕩器Ic)VEQF(MHZ)振幅（V）波形F(MHZ)振幅（V）波形 11V22V33V44V55V最大Ic：結(jié)論： 注：調(diào)整一項(xiàng)數(shù)據(jù)后，將sw1跳線開關(guān)切換至“左”，記錄晶體振蕩器的數(shù)據(jù)● 研究反饋系數(shù)F的變化對(duì)振蕩器性能的影響；★ 振蕩器基本設(shè)置條件： sw3“左”短接（330P），sw1“右”（LC振蕩），sw2“左：（RL=110K），并調(diào)整Rw1,使Ic=最佳數(shù)值。① 分別按表433所列數(shù)據(jù)要求，撥動(dòng)sw3跳線開關(guān)，改變F，將測試結(jié)果記錄于表中。說明本實(shí)驗(yàn)電路停振時(shí)的F是多大？ 表433