專用集成電路實驗報告(編輯修改稿)
2025-08-15 22:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ，第四個反相器的PMOS管W = ， 四個反相器的PMOS管均為W = ，圖 四個反相器的PMOS管均為W = ，圖 四個反相器的PMOS管均為W = ，四、結(jié)論 ，隨著工藝尺寸的減小，反相器的延時也隨之變小。對比單個反相器和四個反相器級聯(lián)的情況我們可以發(fā)現(xiàn)，輸出電壓跳變變得陡峭，其和也比單個反相器要長。同時可以看出，隨著電壓的下降，其和也隨之增大。附錄 單個反相器的程序*YBZC.LIB 39。39。 TT*.MODEL n1 NMOS LEVEL=3 THETA= ...*.MODEL p1 PMOS LEVEL=3 ...VDD VDD 0 *VPULSE VIN 0 PULSE 0 5 2N 2N 2N
研究報告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1