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正文內(nèi)容

信息技術(shù)與計算機硬件綜述(編輯修改稿)

2025-08-09 21:27 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 e,如果目標內(nèi)容已在Cache中(這種情況稱為命中),CPU則直接從Cache中讀取,否則為非命中,CPU就從主存中讀取,同時將讀取的內(nèi)容存于Cache中。Cache可看成是主存中面向CPU的一組高速暫存存儲器。這種技術(shù)早期在大型計算機中使用,現(xiàn)在應(yīng)用在微機中,使微機的性能大幅度提高。隨著CPU的速度越來越快,系統(tǒng)主存越來越大,Cache的存儲容量也由128KB、256KB擴大到現(xiàn)在的512KB或2MB。Cache的容量并不是越大越好,過大的Cache會降低CPU在Cache中查找的效率。 存儲體系 存儲器概述1. 概念存儲器:存儲程序和數(shù)據(jù)(包括原始數(shù)據(jù)、中間運算結(jié)果與最終結(jié)果等)的部件。計算機包括兩大存儲體系,分別是內(nèi)存儲器和外存儲器,它們各有不同的特點和功能。2. 功能比較(4) 內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存或主存)① 存取速度快、容量相對小,價格相對高,一般使用DRAM芯片組成,速度大約比CPU慢10倍。② 直接與CPU相連接(CPU可直接訪問)。③ 易失性,用于臨時存放CPU正在運行的程序、正被處理的數(shù)據(jù)以及產(chǎn)生的結(jié)果數(shù)據(jù)。④ 存儲介質(zhì):半導體芯片。(5) 外存儲器(簡稱外存或輔存)① 存取速度慢、容量相對大,價格相對低。② 不直接與CPU相連接(CPU不能直接訪問,其中存儲的程序及相關(guān)的數(shù)據(jù)必須先送入內(nèi)存,才能被CPU使用)。③ 非易失性,用于長期存放各類信息。④ 存儲介質(zhì):磁盤、光盤、磁帶等。 內(nèi)存儲器專題圖22 內(nèi)存儲器體系內(nèi)存儲器由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。半導體存儲器芯片按照是否能隨機地進行讀寫,分為只讀存儲器(Read Only Memory,簡稱ROM)和隨機存取存儲器(Random Access Memory,簡稱RAM)兩大類,如圖22所示。1. 只讀存儲器只讀存儲器(Read Only Memory,簡稱ROM),是一種能夠永久或半永久地保存數(shù)據(jù)的存儲器,即使掉電(或關(guān)機)后,存放在ROM中的數(shù)據(jù)也不會丟失,所以叫做非易失性存儲器。按照ROM的內(nèi)容是否能改寫,ROM可分為以下幾類:① Mask ROM(掩膜ROM),存儲的數(shù)據(jù)由工廠在生產(chǎn)過程中一次形成,此后也無法進行修改。② PROM(Programmable ROM)和EPROM(Erasable Programmable ROM),用戶可使用專用裝置寫入信息。前者不能改寫,后者可以通過專用設(shè)備改寫其中的信息。③ Flash ROM(快擦除ROM,或閃速存儲器),一種新型的非易失性存儲器,在低電壓下,存儲的信息可讀不可寫,而在較高電壓下,存儲的信息可以更改和刪除。經(jīng)常用于PC中的BIOS程序,還可使用在數(shù)碼相機和優(yōu)盤中。2. 隨機存儲器隨機存取存儲器(Random Access Memory,簡稱RAM),多采用MOS(金屬氧化物半導體)型半導體集成電路芯片制成,屬于易失性存儲器。根據(jù)其保存數(shù)據(jù)的機理又可分為SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)兩類。(1) SRAMSRAM芯片用于構(gòu)造高速Cache(高速緩沖存儲器),簡稱緩存。它的速度幾乎與CPU一樣快。CPU需要的數(shù)據(jù)和指令首先從Cache中讀取,如果Cache中沒有,CPU再直接訪問內(nèi)存。Cache的一個重要指標就是“命中率”,即CPU需要的指令或數(shù)據(jù)在Cache中能直接找到的概率。一般來說Cache容量越大越好,訪問Cache的命中率就越高。由于成本原因,Cache的容量并不大,Cache分為一級緩存和二級緩存,應(yīng)用的早期一級緩存被設(shè)計在CPU內(nèi)部,二級緩存被設(shè)計在主板上,隨著集成電路制造工藝的改進,現(xiàn)在一級緩存和二級緩存都被設(shè)計在CPU內(nèi)部。二級緩存的容量要大于一級緩存的容量。一級緩存(L1 Cache)(容量:幾KB~幾十KB)二級緩存(L2 Cache)(容量:128KB~1MB)(2) DRAM一般使用DRAM芯片組成。由于DRAM存儲器芯片的電路、工藝、存儲控制技術(shù)的不同,目前市場上有多個DRAM的品種。比較流行的是:SDRAM、DDR SDRAM、雙通道RDRAM。后者運算速率比前者更大。3. DRAM相關(guān)的重要概念和計算 ★★★(1) 存儲容量① 含義:指存儲器所包含的存儲單元的總數(shù)。 ★★★② 單位:MB(1MB=220字節(jié))或GB(1GB=230字節(jié))③ 每個存儲單元(一個字節(jié))都有一個地址,CPU按地址對存儲器進行訪問。(2) 存取時間① 含義:在存儲器地址被選定后,存儲器讀出數(shù)據(jù)并送到CPU(或者是把CPU數(shù)據(jù)寫入存儲器)所需要的時間。② 單位:ns(1ns = 109秒)(3) 常見內(nèi)存條規(guī)格① 單列直插式內(nèi)存條(Single Inline Memory Modules,SIMM):72線,數(shù)據(jù)線寬度32位。② 雙列直插式內(nèi)存條(Double Inline Memory Modules,DIMM):SDRAM,168線,數(shù)據(jù)線寬度64位;DDR SDRAM,184線,數(shù)據(jù)線寬度64位。③ Rambus內(nèi)存條模塊(簡稱 RIMM內(nèi)存條)(4) 內(nèi)存帶寬計算內(nèi)存帶寬:指內(nèi)存與南橋芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸率,單位一般為“MB/s”或“GB/s”。最高讀寫速率(帶寬)(MB/s)=(數(shù)據(jù)通路寬度/8)(B)有效時鐘頻率(MHz)補充:CPU帶寬.內(nèi)存帶寬.總線帶寬.顯存帶寬,這四個帶寬的計算方法相似,都是頻率和數(shù)據(jù)通路寬度的乘積。內(nèi)存總線頻率:PC133 PC100 PC266 PC200 PC800 PC1066CPU總線頻率:133 100 133 100 400 533(5) CPU尋址大小計算如果CPU的地址線寬為n,那么CPU的尋址大小是2n(B) ★★★ 外存儲器專題1. 軟盤存儲器(1) 軟盤存儲器的組成軟盤片、軟盤驅(qū)動器、軟盤控制器、軟盤存儲器(2) 兩個記錄面,即兩個讀寫磁頭(從0開始編號)每個記錄面有80個磁道(從0開始編號,0號磁道位于最外圈)每個磁道有18個扇區(qū)(從1開始編號)每個扇區(qū)存儲512字節(jié)二進制數(shù)據(jù)存儲容量= 磁盤面數(shù)180。磁道數(shù)180。扇區(qū)數(shù)180。512字節(jié) ★★★=2180。80180。18180。512(字節(jié))=(3) 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位:扇區(qū)(4) 操作系統(tǒng)在軟盤上為文件分配存儲區(qū)的單位:簇(28個扇區(qū))(5) 格式化后軟盤上的數(shù)據(jù)區(qū)域① 引導扇區(qū)(系統(tǒng)盤):位于軟盤0號記錄面、0號磁道、1號扇區(qū),存儲啟動操作系統(tǒng)的引導程序。② 文件分配表( FAT):位于0號磁道引導扇區(qū)之后,占據(jù)若干個連續(xù)扇區(qū)。一式兩份。FAT由多個表項組成,每個表項對應(yīng)軟盤的一個簇,記錄該盤上所有簇的分配情況(分配、空閑、損壞)和鏈接信息。③ 文件根目錄區(qū):位于0號磁道FAT之后,占據(jù)若干個連續(xù)扇區(qū)。由若干表項組成,每個表項保存一個文件或下級文件夾的屬性信息(文件名、文件長度、起始簇號等)。④ 數(shù)據(jù)區(qū):根目錄區(qū)之后,存儲文件中的數(shù)據(jù)或子目錄(文件夾)表項的區(qū)域。(6) 軟盤寫保護,讀寫窗被一個可移動的金屬套(快門)保護著,寫保護口出有一塊可以動的翼片,移動翼片,露出寫保護口,信息就無法記錄到盤片上,因而實現(xiàn)了寫保護。2. 硬盤存儲器(1) 作用:長期保存各類信息(2) 特點:可讀寫,大容量,不便攜帶(3) 組成:磁盤片(存儲介質(zhì));主軸與主軸電機;移動臂和磁頭;控制電路磁道柱面磁盤盤片控制電路主軸移動臂文件定位表磁頭圖23 硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖(4) 工作原理硬盤的盤片由鋁合金(最新的硬盤盤片采用玻璃材料)制成,盤片上涂有一層很薄的磁性材料,通過磁層的磁化來記錄數(shù)據(jù)。一般一塊硬盤由15張盤片(1張盤片也稱為1個單碟)組成,它們都固定在主軸上。主軸底部有一個電機,當硬盤工作時,電機帶動主軸,主軸帶動磁盤高速旋轉(zhuǎn),其速度為每分鐘幾千轉(zhuǎn)、甚至上萬轉(zhuǎn)。盤片高速旋轉(zhuǎn)時帶動的氣流將盤片上的磁頭托起,磁頭是一個質(zhì)量很輕的薄膜組件,它負責盤片上數(shù)據(jù)的寫入或讀出。移動臂用來固定磁頭,使磁頭可以沿著盤片的徑向高速移動,以便定位到指定的磁道。硬盤信息記錄模式(同軟盤)與存儲容量: 一個硬盤驅(qū)動器中包含多張盤片 每個盤片有兩個記錄面(兩個磁頭) 每個記錄面有若干磁道柱面cylinder:所有記錄面中半徑相同的所有磁道每個磁道有若干扇區(qū)每個扇區(qū)存儲512字節(jié)的二進制數(shù)據(jù)存儲容量= 磁盤面數(shù)(磁頭數(shù))180。磁道數(shù)(柱面數(shù))180。扇區(qū)數(shù)180。512字節(jié) ★★★(5) 硬盤讀寫某個扇區(qū)中數(shù)據(jù)的過程已知要讀寫的扇區(qū)地址:l 磁頭號(所在記錄面),例如,0號磁頭l 柱面號(所在的磁道),例如,0號柱面l 扇區(qū)號(所在的扇區(qū)),例如,1號扇區(qū)讀寫過程: 磁頭尋道(由柱面號控制)224。 等待扇區(qū)到達磁頭下方(由扇區(qū)號控制)224。 讀寫扇區(qū)數(shù)據(jù)(由磁頭號控制)平均等待時間 平均尋道時間(6) 主要性能指標l 存儲容量(單位:GB)l 平均等待時間(Average Latency Time)指當磁頭移動到數(shù)據(jù)所在的磁道后,然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動到磁頭下的時間。它是盤片旋轉(zhuǎn)周期的1/2。l 平均尋道時間(Average Seek Time)指硬盤在盤面上移動讀寫頭至指定磁道尋找相應(yīng)目標數(shù)據(jù)所用的時間,它描述硬盤讀取數(shù)據(jù)的能力,單位為毫秒。l 平均訪問時間=平均尋道時間+平均等待時間。平均訪問時間是評價硬盤讀寫數(shù)據(jù)所用時間的最佳指標。l Cache容量(單位KB或MB)與主板上的高速緩存(RAM Cache)一樣,硬盤緩存的目的是為了解決系統(tǒng)前后級讀寫速度不匹配的問題,以提高硬盤的讀寫速度。l 數(shù)據(jù)傳輸速率(單位MB/s)硬盤的傳輸率也是硬盤重要參數(shù)之一。它主要指硬盤的外部和內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳輸率,它們的單位為Mb/s(兆位/秒)。硬盤的外部傳輸率即硬盤的突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率,它一般指硬盤的數(shù)據(jù)接口的速率;而硬盤的內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率是指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率。外部速率大于內(nèi)部速率,內(nèi)部速率是評價硬盤數(shù)據(jù)傳輸速率的最佳指標。(7) 硬盤常見操作l 硬盤分區(qū):在一個物理硬盤上建立多個邏輯硬盤(C:、D: ….)。l 作用:安裝多個操作系統(tǒng),便于文件分類管理,利于預(yù)防病毒l 邏輯硬盤格式化:在邏輯盤上產(chǎn)生
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