電子語音迎賓器電路設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-07-27 07:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 值（亮電阻）急劇減少, 電路中電流迅速增大。 一般希望暗電阻越大越好, 亮電阻越小越好,此時光敏電阻的靈敏度高。 實(shí)際光敏電阻的暗電阻值一般在兆歐級, 亮電阻在幾千歐以下。 圖2 1 為光敏電阻的原理結(jié)構(gòu)。它是涂于玻璃底板上的一薄層半導(dǎo)體物質(zhì), 半導(dǎo)體的兩端裝有金屬電極, 金屬電極與引出線端相連接, 光敏電阻就通過引出線端接入電路。 為了防止周圍介質(zhì)的影響, 在半導(dǎo)體光敏層上覆蓋了一層漆膜, 漆膜的成分應(yīng)使它在光敏層最敏感的波長范圍內(nèi)透射率最大。 光敏電阻的結(jié)構(gòu)圖（3—1）光敏電阻的主要參數(shù) （１） 暗電阻光敏電阻在不受光時的阻值稱為暗電阻, 此時流過的電流稱為暗電流。 （２） 亮電阻光敏電阻在受光照射時的電阻稱為亮電阻, 此時流過的電流稱為亮電流。 （３） 光電流亮電流與暗電流之差稱為光電流。 光敏電阻的基本特性 （1） 伏安特性在一定照度下, 流過光敏電阻的電流與光敏電阻兩端的電壓的關(guān)系稱為光敏電阻的伏安特性。圖2 2 為硫化鎘光敏電阻的伏安特性曲線。 由圖可見, 光敏電阻在一定的電壓范圍內(nèi), 其IU曲線為直線，說明其阻值與入射光量有關(guān), 而與電壓無關(guān)。圖32 硫化鎘光敏電阻的伏安特性（2） 光譜特性光敏電阻的相對光敏靈敏度與入射波長的關(guān)系稱為光譜特性, 亦稱為光譜響應(yīng)。 圖2 3 為幾種不同材料光敏電阻的光譜特性。 對應(yīng)于不同波長, 光敏電阻的靈敏度是不同的。從圖中可見硫化鎘光敏電阻的光譜響應(yīng)的峰值在可見光區(qū)域, 常被用作光度量測量（照度計(jì)）的探頭。而硫化鉛光敏電阻響應(yīng)于近紅外和中紅外區(qū), 常用做火焰探測器的探頭。 圖3 3 為幾種不同材料光敏電阻的光譜特性曲線圖 （3） 溫度特性溫度變化影響光敏電阻的光譜響應(yīng), 同時, 光敏電阻的靈敏度和暗電阻都要改變, 尤其是響應(yīng)于紅外區(qū)的硫化鉛光敏電阻受溫度影響更大。 圖2 4 為硫化鉛光敏電阻的光譜溫度特性曲線, 它的峰值隨著溫度上升向波長短的方向移動。因此, 硫化鉛光敏電阻要在低溫、恒溫的條件下使用。對于可見光的光敏電阻, 其溫度影響要小一些。常用的光敏電阻器是硫化鎘光敏電阻器，它是由半導(dǎo)體材料制成的。光敏電阻器的阻值隨入射光線（可見光）的強(qiáng)弱變化而變化，在黑暗條件下，它的阻值（暗阻）可達(dá)1~10MΩ；在強(qiáng)光條件（100LX）下，它阻值（亮阻）僅有幾百至數(shù)千歐姆。光敏電阻器對光的敏感性（即光譜特性）與人眼對可見光（~）μm的響應(yīng)很接近，只要人眼可感受的光，都會引起它的阻值變化。所以設(shè)計(jì)光控電路時，都用白熾燈泡（小電珠）光線或自然光線作控制光源，使設(shè)計(jì)大為簡化。 圖3 4 為硫化鉛光敏電阻的光譜溫度特性曲線三極管Q1 9013的工作原理和參數(shù)：(三極管9013管腳圖)1發(fā)射極 2基極 3集電極8550參數(shù)：集電極基極電壓Vcbo： 45V工作溫度：55℃to+150℃和9013(NPN)相對9013三極管參數(shù):類型:開關(guān)型。 極性:NPN。 材料:硅。 最大集存器電流(A): A。 直流電增益:10 to 60。 功耗:。 最大集存器發(fā)射電（VCEO）:25。 頻率:150 MHZ9013引腳圖芯片尺寸4英寸（100mm）芯片代碼C060AJ00芯片厚度240+20um管芯尺寸600600um 2焊位尺寸B極130150um 2。E極140130um2電極金屬鋁背面金屬金典型封裝S9013,H9013極限值（Ta=25℃）(封裝形式:TO92)貯存溫度55~150℃集電極耗散功率1w集電極—基極電壓40V集電極—發(fā)射極電壓25V發(fā)射極—基極電壓5v集電極電流電特性（環(huán)境溫度 除非另有規(guī)定）參 數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值集電極—基極擊穿電壓V（BR）CBOIc=100uA，IE=045V集電極—發(fā)射極擊穿電壓V（BR）CEOIC=，IB=025V發(fā)射極—基極擊穿電壓V（BR）EBOIE=100Ua,IC=05V集電極—基極截止電流ICBOVCB=40V IE=0uA集電極—發(fā)射極截止電流ICEOVCE=20V IB=0uA發(fā)射極基極截止電流IEBOVEB=5V,IC=OuA直流電流增益HFE（1）VCE=1V,IC=50mA64300HFE（2）VCE=1V,IC=500mA40集電極—發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）IC=500mA,IB=50mAV基極—發(fā)射極飽和壓降VBE(sat)IC=500mA,IB=50mAV基極—發(fā)射極正向電壓VBEIE=100MaV特征頻率fTVCE=6V,IC=20Ma f=30MZH150MHZCLASSIFICATION OF Hfe（1）(分類)檔次DEFG
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