單相半控橋式整流電路的設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-07-26 22:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 流、電壓值比在室溫時(shí)低2—3倍；元件溫度為400C時(shí)觸發(fā)電流、電壓值比在室溫時(shí)高2—3倍；為了使元件在各種工作條件下都能可靠的觸發(fā)，可參考元件出廠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)或產(chǎn)品目錄，設(shè)計(jì)觸發(fā)電路的輸出電壓、電流值，并留有一定的裕量。一般可取兩倍左右的觸發(fā)電流裕量，而觸發(fā)電壓按觸發(fā)電流的大小來決定，但是應(yīng)注意不要超過晶閘管門極允許的峰值功率和平均功率極限值。（b）觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有一定的寬度 普通晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間一般為6us，故觸發(fā)脈沖的寬度至少應(yīng)有6us以上，對于電感性負(fù)載，由于電感會抑制電流的上升，觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)該更大些，—1ms，否則在脈沖終止時(shí)主電路電流還未上升到晶閘管的擎住電流時(shí)，此時(shí)將使晶閘管無法導(dǎo)通而重新恢復(fù)關(guān)斷狀態(tài)。單結(jié)晶體管原理單結(jié)晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有PN結(jié)和兩個電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。圖 單結(jié)晶體管的符號和等效電路圖結(jié)晶體管的特性從圖一可以看出，兩基極b1和b2之間的電阻稱為基極電阻。Rbb=rb1+rb2式中：Rb1——第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值與ie無關(guān)；發(fā)射結(jié)是PN結(jié)，與二極管等效。若在兩面三刀基極b2，b1間加上正電壓Vbb，則A點(diǎn)電壓為：VA=[rb1/（rb1+rb2）]vbb=（rb1/rbb）vbb=ηVbb式中：η——稱為分壓比，—，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測得單結(jié)晶體管的伏安特性，圖 單結(jié)晶體管的伏安特性（1）當(dāng)Ve〈ηVbb時(shí)，發(fā)射結(jié)處于反向偏置，管子截止，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。（2）當(dāng)Ve≥ηVbb+VD VD為二極管正向壓降（），PN結(jié)正向?qū)?，Ie顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負(fù)阻特性。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱為峰點(diǎn)，與其對應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點(diǎn)電壓Ip和峰點(diǎn)電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb。（3）隨著發(fā)射極電流Ie的不斷上升，Ve不斷下降，降到V點(diǎn)后，Ve不再下降了，這點(diǎn)V稱為谷點(diǎn)，與其對應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點(diǎn)電壓Vv和谷點(diǎn)電流Iv。（4）過了V后，發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài)，所以uc繼續(xù)增加時(shí)，ie便緩慢的上升，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve〈Vv，管子重新截止。單結(jié)晶體管的主要參數(shù)（1）基極間電阻Rbb發(fā)射極開路時(shí)，基極b1，b2之間的電阻，一般為210千歐，其數(shù)值隨溫度的上升而增大。（2）分壓比η由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的參數(shù)。（3）eb1間反向電壓Vcb1 b2開路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。（4）反向電流Ieo b1開路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。（5）發(fā)射極飽和壓降Veo在最大發(fā)射極額定電流時(shí)，eb1間的壓降。（6）峰點(diǎn)電流Ip單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極電壓為峰點(diǎn)電壓時(shí)的發(fā)射極電流。，圖 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路圖圖 觸發(fā)信號波形 保護(hù)電路 變壓器二次側(cè)熔斷器采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣泛的一種過電流保護(hù)措施。在選擇快速熔斷時(shí)應(yīng)考慮：（1） 電壓等級應(yīng)根據(jù)熔斷后快速熔斷實(shí)際承受的電壓來確定。（2） 電流容量應(yīng)按其在主電路中的接入方式和主電路聯(lián)接形式確定?？焖偃蹟嘁话闩c電力半導(dǎo)體器件串聯(lián)連接，在小容量裝置中也可串聯(lián)于閥側(cè)交流母線或直流
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