畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)-基于at89s51單片機(jī)的太陽(yáng)能控制器設(shè)計(jì)與制作(編輯修改稿)
2025-07-25 11:00 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 VREF≥1V，可用于較小信號(hào)的采樣[2]。TLC548/549的極限參數(shù)如下： ●電源電壓：； ●輸入電壓范圍：～VCC＋； ●輸出電壓范圍：～VCC＋； ●峰值輸入電流(任一輸入端)：177。10mA； 圖13 TLC549管腳圖圖●總峰值輸入電流(所有輸入端)：177。30mA； ●工作溫度：－55℃～125℃ MOSEFT管 MOSEFT管是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的，由金屬、氧化物和半導(dǎo)體制成，由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層(例如SiO2)隔離，因此其輸入電阻可達(dá)109歐以上。MOSEFT管所需驅(qū)動(dòng)功率較小。而且MOSFET只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的復(fù)合時(shí)間，因而開(kāi)關(guān)頻率可以很高，非常適合作控制充放電開(kāi)關(guān)。本設(shè)計(jì)采用IRF9540N P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，以下是IRF9540N的一些參數(shù)： VGS=0V,ID=250uA VGS=10V,ID=11A VDS=VGS,ID=250uA VDS=50V,ID=11A VDS=80V VGS=0V,IDSS=250uA VGS=20V,IGSS=100nA 光耦 光耦合器是以光為媒介傳輸電信號(hào)。光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。光耦工作時(shí)對(duì)輸入、輸出的電信號(hào)有很好的隔離作用，因此被廣泛用在各種電路中。光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖14所示，在2極之間加正向電壓，內(nèi)部的發(fā)光二極管（LED）將會(huì)發(fā)出一定波長(zhǎng)的光，被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流，4極之間導(dǎo)通。反之，光耦內(nèi)部的發(fā)光二極管的電流近似為零，輸出端兩管腳間的電阻很大，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。由于單圖14 光耦合器片機(jī)輸出只有5V不足于驅(qū)動(dòng)MOSFET管，因此驅(qū)動(dòng)MOSFET管的電壓從U3出接出。 圖15太陽(yáng)能電池產(chǎn)生光伏效應(yīng) 如右圖所示，太陽(yáng)能電池是利用半導(dǎo)體光伏效應(yīng)制成的，能夠直接將太陽(yáng)輻射轉(zhuǎn)換成電能的器件。具有很強(qiáng)的光伏效應(yīng)半導(dǎo)體材料，當(dāng)吸收一定能量的光子后其內(nèi)部導(dǎo)電的載流子分布和濃度發(fā)生變化。光照在半導(dǎo)體P/N結(jié)上，就會(huì)在其兩端產(chǎn)生光生電壓，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過(guò)外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。在這個(gè)過(guò)程中，光電池本身不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)，也沒(méi)有轉(zhuǎn)動(dòng)磨損，因此使用太陽(yáng)能電池的過(guò)程中沒(méi)有噪聲，沒(méi)有環(huán)境污染，這是其他方式發(fā)電所不能比擬的。 蓄電池 國(guó)內(nèi)目前被廣泛使用的太陽(yáng)能蓄電池主要是鉛酸蓄電池，它的主要特點(diǎn)：壽命長(zhǎng)，免維護(hù)安全可靠，具有比較好的循環(huán)充放電能力，具有很好的過(guò)充和過(guò)放能力。電池的正極活性物質(zhì)是二氧化鉛( PbO2 )，負(fù)極活性物質(zhì)是海綿狀金屬鉛( Pb)，電解液是硫酸液(H2 SO4 )。本設(shè)計(jì)采用密封型鉛酸電池，設(shè)計(jì)的蓄電池電壓值為：12V，充滿斷開(kāi)電壓為：～；恢復(fù)連接電壓為：。4 軟件設(shè)計(jì) 程序主要流程圖include //51芯片管腳定義頭文件include //內(nèi)部包含 _nop_()。define uchar unsigned chardefine uint unsigned intsbit CLK = P0^0。 /* AD時(shí)鐘信號(hào) */sbit CS = P0^2。 /* AD片選信號(hào) */sbit DOUT = P0^1。 /* 數(shù)據(jù)輸出 */sbit FuZai = P1^1 。 sbit PWM = P1^0 。sbit LED1 =P2^0。sbit LED2 =P2^1。uchar t0,battery_v。void delay(uint n) //延時(shí)函數(shù){ while(n) { _nop_()。 }}/*************************************/void init()//初始化函數(shù){ TMOD=0x01。 TH0=(6553650)/256。 TL0=(6553650)%256。 EA=1。 ET0=1
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