畢設(shè)電磁波在zno納米陣列表面的反射畢業(yè)論文(編輯修改稿)
2025-07-25 10:37 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 （37）對于第二個界面（界面2）存在邊界條件 （38） （39）式中：—表示在折射率為的薄膜中，靠近介質(zhì)的界面2附近的正向電矢量；—表示在折射率為的薄膜中，靠近介質(zhì)的界面2附近的反向電矢量；—表示在折射率為的薄膜中，靠近介質(zhì)的界面2附近的正向向電矢量；—表示在折射率為的薄膜中，靠近介質(zhì)的界面2附近的反向向電矢量。關(guān)于、的意義與上類似，不同的是它們都是磁矢量，不再一一敘述。對于（39）式應(yīng)用導(dǎo)納公式得kk=(kk) （310） 將（38）式兩邊叉乘k，得k+k=(k+k （311） 上二式相加得：k=[（k）+（k）] （312）式中：=將（311）—(310)得：k=[（k）+（k）] （313）在同一介質(zhì)中，存在關(guān)系 （314） （315）將他們帶入（312）、(313)中得：k=[（k）+( k)]k=[ （k）+( k)]將上二式寫成矩陣形式，得： （316）將它代入（37）式，得： （317）照此辦法對界面……（k+1）應(yīng)用邊界條件，得到：......把這些方程代入（317）式，并注意到出射介質(zhì)中只有正向波，沒有反向波，即=0，于是我們得到： （318）令：= （319） （320）式中：m=3.....、k因此上式可以寫成：再令： （321）于是： （322）∴ （323）或者： （324） （325）于是多層膜的反射系數(shù)r為 （326）多層膜的反射率R為 （327）由上知只要我們求出（321）中的，便根據(jù)行列相同的矩陣對應(yīng)項相等求出、其共軛值也可得到，于是R便可以求解出來。當電磁波斜入射到多層介質(zhì)膜上時，這時，我們可分別對P偏振和S偏振寫出邊界條件，在經(jīng)過連續(xù)的線性變換，最后得到和（323）式同樣的矩陣方程，限于篇幅，本文只對電磁波垂直入射到塔尖型ZnO納米陣列表面進行計算，關(guān)于電磁波斜入射情況不做推導(dǎo)。4 電磁波在塔尖型ZnO納米陣列表面的反射的計算 塔尖型ZnO納米陣列模型的構(gòu)建結(jié)合蛾眼的研究方法，我們將塔尖型ZnO納米陣列的橫截面抽象成如圖41（b）所示。圖41 ZnO納米陣列微觀圖和抽象模型。（a）ZnO納米陣列在電子顯微鏡中的高度錐形圖像。（b）ZnO納米陣列塔尖型抽象模型[7]。為什么會有圖41（b）所示的模型呢？由圖41（a）所示，ZnO納米陣列在電子顯微鏡中頂端呈現(xiàn)出高度錐形的形狀，而中間部分表現(xiàn)出很均勻，與圓柱很相似，而最底端的融合基底層是將ZnO納米層涂在某種物質(zhì)表面上而形成的一種融合層，該融合層對電磁波的反射也有一定影響，由此我們便得到41（b）所示的模型。 計算電磁波在塔尖型Zn
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