【文章內容簡介】 《電磁輻射暴露限值和測量方法》 GJB53132020 13 電子及電氣元件 1 溫度沖擊試驗 0418 《電子及電氣元件試驗方法》 GJB360B2020 2 高溫壽命試驗 3 密封試驗 4 微粒碰撞噪聲檢測 5 X射線照相檢驗 ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 13 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 14 半導體分立器件 1 高溫壽命（非工作） 041803 《半導體分立器件試驗方法》 GJB128A1997 2 老煉 (二極管、整流管和穩(wěn)壓管 ) 3 老煉（晶體管） 只測300W以下 4 老煉和壽命試驗（功率場效應 晶體管和絕緣柵雙極晶體管 5 溫度循環(huán)（空氣 空氣） 6 密封 7 恒定加速度 14 半導體分立器件 8 粒子碰撞噪聲檢測 41803 《半導體分立器件試驗方法》 GJB128A1997 9 外觀及機械檢驗 10 芯片粘附強度 11 鍵合強度 12 晶體管內部目檢（封帽前） 13 芯片目檢（半導體二極管） ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 14 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 14 半導體分立器件 14 內部目檢（半導體二極管） 41803 《半導體分 立器件試驗方法》 GJB128A1997 15 開帽內部設計目檢 16 X射線照相檢驗 15 微電子器件 1 穩(wěn)定性烘焙 041807 《微電子器件試驗方法和程序》 GJB548B2020 2 溫度循環(huán) 3 密封 4 老煉試驗 5 恒定加速度 6 外部目檢 7 粒子碰撞噪聲檢測 8 內部目檢（單片） 9 鍵合強度（破壞性鍵合拉力試驗） 10 X射線照相 11 破壞性物理分析（ DPA）的內部目檢 15 微電子器件 12 內部目檢（混合電路） 041807 《微電子器件試驗方法和程序》 GJB548B2020 13 芯片剪切強度 ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 15 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 15 微電子器件 14 芯片粘接的超聲檢測 041807 《微電子器件試驗方法和程序》 GJB548B2020 16 存儲器 1 輸出高電平電壓 VOH 041807 《半導體集成電路 MOS隨機存儲器測試方法的基本原理》 SJ/T 107391996 2 輸出低電平電壓 VOL 3 輸入負載電流 ILI 4 工作狀態(tài)時電源電流ICC 5 全“ 1” 全“0” 17 TTL電路 1 輸入鉗位電壓 VIK 041807 《半導體集成電路 TTL 電路測試方法的基本原理》 SJ/T 107351996 2 輸出高電平電壓 VOH 3 輸出低電平電壓 VOL 4 輸入電流II 5 輸出短路電流 IOS 6 輸出高阻態(tài)時高電平電流 IOZH 7 輸出高阻態(tài)時低電平電流 IOZL ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 16 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 17 TTL電路 8 電源電流ICC 041807 《半導體集成電路 TTL 電路測試方法的基本原理》 SJ/T 107351996 9 輸出高電平電源電流ICCH 10 輸出低電平電源電流ICCL 041807 18 CMOS電路 1 輸出高電平電壓 VOH 041807 《半導體集成電路 CMOS 電路測試方法的基本原理》SJ/T 107412020 2 輸出低電平電壓 VOL 3 輸出高電平電流 IOH 4 輸出低電平電流 IOL 5 輸出高阻態(tài)時高電平電流 IOZH 6 輸出高阻態(tài)時低電平電流 IOZL 7 電源電流IDD 19 運算放大器 1 輸入失調電壓 VIO 041807 《半導休集成電路運算（電壓）放大器測試方法的基本原理》 SJ/T 107381996 2 輸入失調電流 IIO ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 17 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 19 運算放大器 3 輸入偏置電流 IIB 041807 《半導休集成電路運算（電壓）放大器測試方法的基本原理》 SJ/T 107381996 4 靜態(tài)功耗PD 5 差模開環(huán)電壓增益 AVD 6 共模抑制比KCMR 7 電源電壓抑制比 KSVR 8 輸出峰 峰電壓 VOPP 20 A/D 、 D/A轉換器 1 失調 EO 041807 《半導體集成非線性電路數字 /模擬轉換器和模擬 /數字轉換器測試方法》 SJ/T 108181996 2 增益誤差EG 3 精度 EA 4 線性誤差EL 5 零點誤差EZ 6 功耗 ID 21 時基電路 1 復位電流IR 041807 《半導體集成電路時基電路測試方法的基本原理》 GB/T 140301992 《半導體集成電路 TTL 電路測試方法的基本原理》 SJ/T 107351996 ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 18 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 21 時基電路 2 觸發(fā)電流ITR 041807 《半導體集成電路時基電路測試方法的基本原理》 GB/T 140301992 《半導體集成電路 TTL 電路測試方法的基本原理》 SJ/T 107351996 3 閾值電流IT 4 靜態(tài)電源電流 ID 5 輸出高電平電壓 VOH 6 輸出低電平電壓 VOL 22 電壓比較器 1 輸入失調電壓 VIO 041807 《半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理》SJ/T 108052020 2 輸入失調電流 IIO 3 輸入偏置電流 IIB 4 靜態(tài)功耗PD 5 開環(huán)電壓增益 AVD 6 共模抑制比KCMR 7 電源電壓抑制比 KSVR ISO/IEC 17025 認可證書 CNASPD20/09B/1 No. CNAS L0910 第 19 頁 共 185 頁 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. 序號 檢測 對象 項目 /參數 領域 代碼 檢測標準（方法）名稱及編號（含年號） 限制 范圍 說明 序號 名稱 23 模擬開關 1 導通電阻Ron 041807 《半導體集成電路模擬開關測試方法的基本 原理》 GB/T 140281992 2 截止態(tài)漏極漏電流 ID 3 導通態(tài)漏電流 IDS 4 截止態(tài)源極漏電流 IS 5 靜態(tài)電流ID 24 V/F、 F/V轉換器 1 失調誤差EO 041