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正文內(nèi)容

基于top227y芯片的單端反激式開關(guān)電源制作(編輯修改稿)

2025-07-24 19:32 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 內(nèi)部功率開關(guān)管MOSFET的漏極上,因此必須在漏極增加鉗位保護(hù)電路。鉗位電路由瞬態(tài)電壓抑制器或穩(wěn)壓管VR2和超快恢復(fù)二極管VD1組成。VR2和VD1能將漏感產(chǎn)生的尖峰電壓箝位到安全值。VR2采用反向擊穿電壓為200V的瞬態(tài)電壓抑制器P6KE200A,VD1選用1A/600V的超快恢復(fù)二極管BYV26C。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),變壓器的初級(jí)極性上端為正,下端為負(fù),從而導(dǎo)致VD4截止,因而鉗位電路不起作用。在MOSFET截止瞬間,初級(jí)極性則變?yōu)樯县?fù)下正,此時(shí)尖峰電壓就被VR2吸收掉。次級(jí)繞組電壓通過VDCCL2和C1 C14整流濾波,獲得12V輸出電壓Vo。輸出整流濾波電路由整流二極管和濾波電容、濾波電感構(gòu)成。輸出整流二極管的開關(guān)損耗占系統(tǒng)損耗的1/6多,是影響開關(guān)電源效率的主要因素,它包括正向?qū)〒p耗和反向恢復(fù)損耗。由于肖特基二極管反向恢復(fù)時(shí)間短,在降低反向恢復(fù)損耗以及消除輸出電壓中的紋波方面有明顯的性能優(yōu)勢(shì),所以選用肖特基二極管MUR620CT作為整流二極管。 對(duì)輸出濾波電容,ESR(等效串聯(lián)阻抗)和紋波電流是它的兩個(gè)重要參數(shù)。當(dāng)電容兩端電壓小于35V時(shí),ESR只與電容的體積有關(guān), 可以考慮使用高頻低阻電容。由于手里沒有這樣的電容,我采用兩個(gè)電解電容并聯(lián)降低內(nèi)阻的辦法。輸出濾波電感采用的是一個(gè)舊的拆機(jī)電感,測(cè)量大約有10uH。它的作用主動(dòng)抑制開關(guān)噪聲的產(chǎn)生。為減少共模干擾,在輸出的地與高壓側(cè)的地之間接共模抑制電容,如圖中的C11 。反饋繞組電壓經(jīng)過VDC7整流濾波后獲得反饋電壓,經(jīng)光耦合器中的光敏三極管給TOPSwitch的控制端提供偏壓 。輸出電壓Vo通過電阻R1R15分壓,然后通過光耦去改變控制端電流。TOPSwitch的占空比D與Ic(控制電流)成反比。反饋電路是通過調(diào)節(jié)TOPSwitch的占空比實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓的。關(guān)于反饋相關(guān)參數(shù)設(shè)計(jì)為使PWM線性調(diào)節(jié), 一般選PC817A二極管正向電流為3mA;TL431一般選20mA即可,不但可穩(wěn)定工作,又能提供一部分死負(fù)載。設(shè)計(jì)的取值為:R12=470Ω,R3=150Ω,R13=38K,R15=10K。(由于除了470歐的電阻手里沒有其他對(duì)應(yīng)阻
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