基于單片機(jī)智能充電器的設(shè)計(jì)課程設(shè)計(jì)報(bào)告書(shū)(編輯修改稿)
2025-07-24 19:09 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 掉電模式。在空閑模式下凍結(jié)CPU而RAM定時(shí)器、串行口和中斷系統(tǒng)維持其功能。掉電模式下，保存RAM數(shù)據(jù)，時(shí)鐘振蕩停止，同時(shí)停止芯片內(nèi)其它功能。89C52有PDIP(40pin)和PLCC(44pin)兩種封裝形式。 主要特點(diǎn) 標(biāo)準(zhǔn)MCS52內(nèi)核和指令系統(tǒng) 片內(nèi)8kROM(可擴(kuò)充64kB外部存儲(chǔ)器) 32個(gè)雙向I/O口 256x8bit內(nèi)部RAM(可擴(kuò)充64kB外部存儲(chǔ)器) 3個(gè)16位可編程定時(shí)/計(jì)數(shù)器 向上或向下定時(shí)計(jì)數(shù)器 改進(jìn)型快速編程脈沖算法 6個(gè)中斷源 全雙工串行通信口 布爾處理器—幀錯(cuò)誤偵測(cè) 4層優(yōu)先級(jí)中斷結(jié)構(gòu)—自動(dòng)地址識(shí)別 兼容TTL和CMOS邏輯電平 空閑和掉電節(jié)省模式 PDIP(40)和PLCC(44)封裝形式 震蕩起特性 外接石英晶體或者陶瓷諧振器以及電容CC2接在放大器的反饋回路（AT89C52內(nèi)部有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大電路，XTALXTAL2分別是該放大器的輸入和輸出端）中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。為了使裝置能夠被外部時(shí)鐘信號(hào)激活，XATL1應(yīng)該有效，而XTAL2應(yīng)該被懸空。由于輸入到內(nèi)部的時(shí)鐘信號(hào)電路通過(guò)了一個(gè)二分頻的信號(hào)，外部信號(hào)的工作周期比沒(méi)有別的要求，但是最大值和最小值的大小可以在數(shù)據(jù)表上觀察出來(lái)。當(dāng)正常工作時(shí)，外部振蕩器可以計(jì)算出XTAL1上的電容，最大可達(dá)到100pF。這是由于振蕩器電容和反饋電容之間的相互作用。當(dāng)外部信號(hào)是標(biāo)準(zhǔn)高電平或者低電平時(shí)，電容不會(huì)超過(guò)20pF.。 結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 補(bǔ)高性能金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可擦可 編程只讀存儲(chǔ)器/只讀存儲(chǔ)器/中央處理器 三個(gè)16位的定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 編程的時(shí)鐘輸出 Up/Down定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 三級(jí)程序鎖定系統(tǒng) 256字節(jié)片內(nèi)RAM 改進(jìn)的快速脈沖編程算法 布爾處理器 32根可編程的輸入/輸出線 1六個(gè)中斷源 1 可編程的串行通道帶有：——幀錯(cuò)誤檢測(cè) ——自動(dòng)地址識(shí)別 1TTL和CMOS兼容邏輯電平 1MCS51單片機(jī)可兼容指令集 1擴(kuò)展溫度范圍（﹣40℃到﹢85℃） AT89S52引腳功能 AT89S52單片機(jī)兼容MCS51指令系統(tǒng)、4k可反復(fù)擦寫(xiě)(1000次）ISP Flash ROM、32個(gè)雙向I/O口、2個(gè)16位可編程定時(shí)/計(jì)數(shù)器、時(shí)鐘頻率033MHz、全雙工UART串行中斷口線、128x8bit內(nèi)部RAM、2個(gè)外部中斷源、低功耗空閑和省電模式、中斷喚醒省電模式、3級(jí)加密位、看門(mén)狗（WDT）電路、軟件設(shè)置空閑和省電功能、靈活的ISP字節(jié)和分頁(yè)編程、雙數(shù)據(jù)寄存器指針。AT89S52引腳圖如下圖所示。各個(gè)引腳功能： VCC：電源 GND：接地 P0口：P0口是一個(gè)8位漏極開(kāi)路的雙向I/O口。作為輸出口，每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P0端口寫(xiě)“1”時(shí)，引腳用作高阻抗輸入。當(dāng)訪問(wèn)外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，P0口也被作為低8位地址/數(shù)據(jù)復(fù)用。在這種模式下，P0具有內(nèi)部上拉電阻。在flash編程時(shí)，P0口也用來(lái)接收指令字節(jié)；在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)。程序校驗(yàn)時(shí)，需要外部上拉電阻。 P1口：P1口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，p1輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P1端口寫(xiě)“1”時(shí)，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí)，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。此外，（）和時(shí)器/計(jì)數(shù)器2的觸發(fā)輸入（），具體如下表所示。在flash編程和校驗(yàn)時(shí)，P1口接收低8位地址字節(jié)。引腳號(hào)第二功能： T2（定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T2的外部計(jì)數(shù)輸入），時(shí)鐘輸出 T2EX（定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T2的捕捉/重載觸發(fā)信號(hào)和方向控制） MOSI（在系統(tǒng)編程用） MISO（在系統(tǒng)編程用） SCK（在系統(tǒng)編程用）P2口：P2口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P2端口寫(xiě)“1”時(shí)，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí)，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或用16位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行MOVX@DPTR）時(shí)，P2口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中，P2口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送1。在使用8位地址（如MOVX @RI）訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，P2口輸出 P2鎖存器的內(nèi)容。在flash編程和校驗(yàn)時(shí)，P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。 P3口：P3口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，p2輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P3端口寫(xiě)“1”時(shí)，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí)，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。P3口亦作為AT89S51特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。在flash編程和校驗(yàn)時(shí)，P3口也接收一些控制信號(hào)。P3引腳號(hào)第二功能： RXD（串行輸入） TXD（串行輸出） INT0(外部中斷0) INT0(外部中斷0) T0（定時(shí)器0外部輸入） T1（定時(shí)器1外部輸入） WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) RST：復(fù)位輸入。晶振工作時(shí)，RST腳持續(xù)2 個(gè)
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