【總結】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結構特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結】數(shù)字電子技術班級姓名學號第一頁數(shù)字電子技術復習題題目一二三四五六七八總分數(shù)分數(shù)評卷人得分閱卷人一、選擇題(每小題分,共分).組合邏輯電路通常由()組合
2025-04-25 13:02
【總結】電子技術復習題一、填空:1.PN結沒有外加電壓時,擴散電流漂移電流。2.半導體有和兩種載流子,對于N型半導體多數(shù)載流子是。 。,則輸出電壓的平均值為,則二極管截止時承受的反向電壓的最大值為5.本證半導體的主要特
2024-08-12 06:17
【總結】.....電路電子技術復習題一、計算題:1、計算圖1所示各電路,K打開時及閉合時的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結】《數(shù)字電子技術》復習題參考答案一、選擇題1.在數(shù)字電路中,用“1”表示高電平,用“0”表示低電平,稱為(C);(A)譯碼(B)編碼(C)正邏輯(D)負邏輯2.AB(A+BC)化成最簡式是(D)A、AB、BC、A+BD、
2025-06-22 17:14
【總結】1、在本征半導體中摻入微量的D價元素,形成N型半導體。2、在N型半導體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導體。3、在本征半導體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導體溫度升高以后自
2025-06-24 23:32
【總結】《模擬電子技術》復習題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導體中摻入微量的D價元素,形成N型半導體。2、在N型半導體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導體。3、在本征半導體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14
【總結】第一章復習題?答:當晶閘管承受正向電壓時,僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導通。2.維持晶閘管導通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷?答:(1)維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導通的晶閘管關斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
2025-06-18 13:42
【總結】第1章直流電路及其分析方法-選擇復習題1.如圖所示電路中,當電阻R2增加時,電流I將______。(A)增加(B)減小(C)不變2.二只白熾燈的額定電壓為220V,額定功率分別為100W和25W,下面結論正確的是__________。(A)25W白熾燈的燈絲電阻較大(B)100W白熾燈的燈絲電阻較大
2024-08-14 10:14
【總結】數(shù)字電子技術基礎簡明教程復習題 一、填空 1、(238)10=(11101110)2=(EE)16。()2=()16=()10。 2、德?摩根定理表示為=(),=()。 3、數(shù)字信號只有(兩)種取值,分別表示為(0)和(1)。 4、異或門電路的表達式是();同或門的表達式是()。 5、組成邏輯函數(shù)的基本單元是(最小項
2024-08-03 21:28
【總結】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()
2024-10-25 11:36
【總結】數(shù)字電子技術基礎試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器,其地
2025-06-19 22:45
【總結】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組
2025-06-23 15:22
【總結】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質離子帶負電。2、三極管的內部結構是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2024-08-14 09:36
【總結】數(shù)字電子技術復習題(本科)一、簡答題:1、簡述組合電路和時序電路各自的特點是什么?答:組合電路的特點:任何時刻電路的穩(wěn)定輸出,僅取決于該時刻各個輸入變量的取值,組合電路是由門電路組合而成,沒有輸出到輸入的反饋連接,也不含記憶性的元件;時序電
2025-04-17 01:43